nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
全SSD儲存時(shí)代正式來臨，充分發(fā)揮NAND架構(gòu)優(yōu)勢
- 幾年前，SSD以其穩(wěn)定、快速，不怕震動(dòng)的特性，前進(jìn)PC產(chǎn)業(yè)的儲存市場，獲得許多電腦玩家的青睞。只不過，當(dāng)時(shí)SSD與HDD每GB的價(jià)格，換算下來仍有一段不小的價(jià)差。而現(xiàn)在，隨著成本更低廉的TLC架構(gòu)問世，SSD在價(jià)格方面已經(jīng)逼近傳統(tǒng)HDD。挾著NAND Flash穩(wěn)定、高速、低耗能的優(yōu)勢特色，SSD不只在PC市場快速普及，下一步更將前進(jìn)資料中心、數(shù)位看板、POS機(jī)等商用市場。 SanDisk：SSD全面進(jìn)占資料中心 當(dāng)云端應(yīng)用已經(jīng)成為重要產(chǎn)業(yè)趨勢，相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)備趕上這樣的趨勢，也成為了一種必
- 關(guān)鍵字： SSD NAND
走進(jìn)三星半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線：打造綠色經(jīng)營系統(tǒng)
- 陜西西安的三星(中國)半導(dǎo)體有限公司剛成立不久，公司園區(qū)內(nèi)部假山流水，綠樹成蔭，人工湖內(nèi)魚兒游來游去。這里生產(chǎn)世界最先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)品——10納米級NAND 閃存芯片(V-NAND)。 對三星半導(dǎo)體來說，引導(dǎo)社會未來發(fā)展的不僅僅是生產(chǎn)全球最先進(jìn)的產(chǎn)品，同時(shí)也包括在環(huán)保方面打造世界最高水平的綠色經(jīng)營系統(tǒng)(G-EHS)。 形成半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈 三星半導(dǎo)體工廠所在的地方，原本是空曠的野外，現(xiàn)正在變成發(fā)達(dá)的電子產(chǎn)業(yè)基地。 西安是三星電子海外芯片生產(chǎn)線投資規(guī)模最大的一個(gè)
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)
- 2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達(dá)10%，為當(dāng)初預(yù)期的3倍以上，預(yù)料到了2016年，占比將進(jìn)一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。 據(jù)韓媒Money Today報(bào)導(dǎo)，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計(jì)資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
平面架構(gòu)1x納米NAND揭密！
- 過去的一年半以來，主要NAND快閃記憶體制造商已經(jīng)開始銷售1x奈米等級的平面快閃記憶體;根據(jù)我們調(diào)查開放市場上所銷售元件的供應(yīng)來源，美光(Micron)是從2014年2月開始供應(yīng)1x奈米元件的第一家記憶體廠商，隨后是在同年10月推出產(chǎn)品的SK海力士(Hynix)。在近六個(gè)月之后，TechInsights實(shí)驗(yàn)室才出現(xiàn)三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產(chǎn)品。 針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點(diǎn)，在文獻(xiàn)中已經(jīng)有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體，例如三星
- 關(guān)鍵字： NAND SK海力士
蘋果要用？三星西安半導(dǎo)體工廠傳擴(kuò)產(chǎn) 50%
- 南韓媒體中央日報(bào)日文版 19 日報(bào)導(dǎo)，因固態(tài)硬碟(SSD)需求提振 3D 架構(gòu)的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)需求呈現(xiàn)急速增長，故三星電子(Samsung)計(jì)劃把生產(chǎn) 3D NAND 的中國西安半導(dǎo)體工廠產(chǎn)量較現(xiàn)行擴(kuò)增 50%。報(bào)導(dǎo)指出，據(jù)熟知三星事務(wù)的關(guān)系人士透露，目前三星西安工廠晶圓月產(chǎn)量為 4-5 萬片，而三星計(jì)劃于今年內(nèi)將其產(chǎn)量提高 5 成(增加 2 萬片)至 6-7 萬片。 據(jù) 報(bào)導(dǎo)，三星于去年 5 月開始量產(chǎn) 3D NAND，為目前唯一導(dǎo)入量產(chǎn)的廠商，且三星計(jì)劃
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
臺美日首度合體搶SSD 東芝、宜鼎、美超微成立合資公司
- 宜鼎國際布局云端SSD市場，找來美超微和東芝一起搶商機(jī)。李建梁攝云端NAND Flash儲存陣列市場需求即將大爆發(fā)，美商都已卡好位，臺灣也拿到第一張參與競賽的門票。由日商東芝(Toshiba)、美商美超微(Supermicro)，以及臺系存儲器模組廠宜鼎國際三方合資的新公司正式成立，臺方掌握主導(dǎo)權(quán)，由于首波客戶瞄準(zhǔn)金融和電信業(yè)者，因此邀請101董事長宋文琪夫婿徐善可擔(dān)任董事長。 一般講到云端儲存商機(jī)，第一個(gè)聯(lián)想到固態(tài)硬碟(SSD)，這是NAND Flash大廠如三星電子(Samsung Elec
- 關(guān)鍵字： SSD NAND
分析師：IC與PC第二季全球市場需求皆衰弱
- 根據(jù)德意志銀行(Deutsche Bank)的分析報(bào)告， 2015年第二季全球市場對半導(dǎo)體元件的需求持續(xù)疲弱，主因是部分亞洲PC組裝業(yè)者表示，部分零組件的采購量與 2014年同季相較，減少了15~20%;不過在近五年拜訪了近30家臺灣、韓國與日本業(yè)者的該銀行分析師指出：“iPhone供應(yīng)鏈與汽車市場仍然是表現(xiàn)亮眼。” 德意志銀行的報(bào)告也顯示，平板電腦、電視以及許多Android手機(jī)的晶片需求亦呈現(xiàn)衰弱，該銀行對整體晶片產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域發(fā)展的評等為中性。“在中國智慧型手
- 關(guān)鍵字： PC NAND
慧榮科技宣布SM2256 SATA 6Gb/s SSD控制器現(xiàn)支持Micron 128Gb 16nm TLC NAND閃存
- 在設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)今日宣布旗下SM2256 SATA(6Gb/s)客戶端SSD控制器現(xiàn)支持Micron(鎂光)新推出的16nm 128Gb TLC NAND 閃存，有助實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的性能和無可比擬的可靠性，成就新一代高性價(jià)比的TLC SSD產(chǎn)品。 SM2256是世界上首款支持Micron 16nm TLC NAND的SSD控制器，同時(shí)也是市場上性能最佳、成本最優(yōu)
- 關(guān)鍵字： NAND SM2256
Flash廠力推3D/TLC NAND 高密度/低成本SSD加速問世
- 固態(tài)硬碟(SSD)規(guī)格更吸睛。記憶體制造商擴(kuò)大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設(shè)計(jì)架構(gòu)，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著下滑，吸引固態(tài)硬碟開發(fā)商大舉采納，用以打造兼具高儲存容量和價(jià)格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點(diǎn)--價(jià)格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案，并將于2015?2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
Flash廠力推3D/TLC NAND 高密度/低成本SSD加速問世
- 固態(tài)硬碟(SSD)規(guī)格更吸睛。記憶體制造商擴(kuò)大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設(shè)計(jì)架構(gòu)，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著下滑，吸引固態(tài)硬碟開發(fā)商大舉采納，用以打造兼具高儲存容量和價(jià)格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點(diǎn)--價(jià)格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案，并將于2015?2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計(jì)
- 筆者在設(shè)計(jì)一項(xiàng)目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核，帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH，98k字節(jié)的片內(nèi)RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU.由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運(yùn)行程序時(shí)，需對片外的NOR FLASH擦寫的需求。圖1為存儲部分框圖。 圖1存儲部分原理框圖 在設(shè)計(jì)中，片外NOR FLASH的大小為16M字節(jié)。其中2M規(guī)劃為存放運(yùn)行程序，剩余的空間用于產(chǎn)品運(yùn)
- 關(guān)鍵字： ARM7 FLASH
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
nand flash電路
nand flash相關(guān)帖子
nand flash資料下載
nand flash專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473