nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
OEM需求拉貨動(dòng)能增溫，第三季NAND Flash品牌營收季增12.2%
- 第三季NAND Flash市況在蘋果iPhone6/6Plus新機(jī)上市備貨需求強(qiáng)勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下，eMMC/eMCP與SSD的成長力道均高于上半年，NAND Flash價(jià)格表現(xiàn)也相對穩(wěn)健，使得第三季NAND Flash品牌供貨商營收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場主流，有助于各家業(yè)者成本結(jié)構(gòu)的改善，而隨著蘋果第四季iPhone表現(xiàn)持續(xù)亮眼以及新產(chǎn)品的問世，整體N
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LED產(chǎn)業(yè)推動(dòng)中國半導(dǎo)體時(shí)代的來臨
- 過去媒體與業(yè)界常講最尖端、先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)不會(huì)到中國投資，某些國家的政府對于輸出特定半導(dǎo)體技術(shù)到中國投資都有設(shè)定限制，因此過去國際半導(dǎo)體廠在中國投資半導(dǎo)體相關(guān)事業(yè)，以芯片封裝測試廠、8 寸以下晶圓廠為主。不過，這個(gè)局面在中國市場打開，中國政府近期又積極招商，宣示要花大筆人民幣來買技術(shù)、買設(shè)備與外資合作建立中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新局后，有了重大改變。 英特爾才剛于 2014 年 9 月 26 日和中國手機(jī)芯片廠展訊聯(lián)合宣布，以 15 億美元入股紫光集團(tuán)，持股占比約為 20%。而前身是 AMD 快閃內(nèi)存事
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中芯國際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程
- 中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準(zhǔn)備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶生產(chǎn) NAND 產(chǎn)品的代工廠。該工藝平臺(tái)完全由中芯國際自主研發(fā)，可滿足特殊存儲(chǔ)器無晶圓廠客戶對高質(zhì)量、低密度 NAND 閃存持續(xù)增長的需求，使中芯國際占據(jù)該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 NAND 閃存是近年來發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(chǔ)(NVM)產(chǎn)品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動(dòng)計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、電視及機(jī)頂盒等多種大需求量的特殊應(yīng)用領(lǐng)域?？蛻粢部衫么思夹g(shù)帶動(dòng)串行外設(shè)接
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 NAND
iPhone 6推升智能手機(jī)NAND搭載容量
- TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調(diào)查報(bào)告顯示，蘋果(Apple) 9月份推出大螢?zāi)怀叽绲?iPhone 6 / 6 Plus在全球熱銷，帶動(dòng) 2014全年 iPhone 銷售量提升至1.88支，年成長率高達(dá)22%，成功扭轉(zhuǎn)過去一年來iPhone趨緩的銷售動(dòng)能，重新站穩(wěn)高階智慧型手機(jī)領(lǐng)導(dǎo)廠商的地位;值得注意的是，蘋果這次的改變除了將螢?zāi)怀叽鐝囊恢眻?jiān)守的4寸，向上突破至4.7與5.5寸，在儲(chǔ)存容量與價(jià)格上也開始展現(xiàn)更積極的策略。 DRAMeXchange
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提高M(jìn)SP430G 系列單片機(jī)的Flash 擦寫壽命方法
- 在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機(jī)中并不具備EEPROM。為了存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，MSP430G 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了256 字節(jié)的Flash 空間作為信息Flash，可用于存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距，所以在實(shí)際應(yīng)用中，這種應(yīng)用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本應(yīng)
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FLASH和反熔絲類型的FPGA你了解多少
- 由于航天應(yīng)用對可靠性提出了更高的要求，這是與一般的FPGA開發(fā)最大的不同。當(dāng)高能粒子撞擊可編程邏輯器件時(shí)，撞擊的能量會(huì)改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數(shù)據(jù)，使系統(tǒng)運(yùn)行到無法預(yù)知的狀態(tài)，從而引起整個(gè)系統(tǒng)失效。這在航天設(shè)備中是必須要避免的。以FLASH和反熔絲技術(shù)為基礎(chǔ)的FPGA與以SRAM為基礎(chǔ)的FPGA相比，在抗單粒子事件方面具有很大的優(yōu)勢，可靠性高。 ACTEL公司是可編程邏輯解決方案供應(yīng)商。它提供了多種服務(wù)，包括基于反熔絲和閃存技術(shù)的FPGA、高性能IP核、軟件開發(fā)工具和設(shè)計(jì)服務(wù)，定位
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新蘋效應(yīng) NAND下月涌急單
- 儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯(lián) (8299)董事長潘健成表示，智慧手機(jī)市場本季需求不振，主要是受到市場上迷漫觀望氣氛影響，直到蘋果公布iPhone 6系列產(chǎn)品規(guī)格之后，其它手機(jī)品牌廠出現(xiàn)搶零組件熱潮。 他說，10月的急單火紅，第4季零組件拉貨力道優(yōu)于本季。 潘健成表示，先前消費(fèi)者期待iPhone 6上市，導(dǎo)致iPhone 5系列產(chǎn)品，自今年3月起就銷售不佳;其它品牌的Android系統(tǒng)也在第2季出現(xiàn)清庫存的情況，上游供應(yīng)商不敢備貨、通路商也不愿意拉貨囤積庫存
- 關(guān)鍵字： NAND 控制晶片
中芯國際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來了
- 雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺(tái)積電、UMC臺(tái)聯(lián)電等代工巨頭，不過中芯國際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯(cuò)，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國際自主研發(fā)的技術(shù)。 NAND閃存的重要性不必說，目前SSD固態(tài)硬盤以及消費(fèi)電子上所用的存儲(chǔ)器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合
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東芝在閃存峰會(huì)上展示最新NAND和存儲(chǔ)產(chǎn)品
- 東芝公司今天宣布，該公司在閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。閃存峰會(huì)是全球最大的閃存討論會(huì)，于8月5至7日在美國加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉會(huì)議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。 閃存峰會(huì)的展覽環(huán)節(jié)在會(huì)議的最后兩天8月6日和7日舉行，東芝在504號(hào)展位布展。 主要展品 ??? 1、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(eSSD)： ??? 企業(yè)級(jí)讀密集型
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND 固態(tài)硬盤
一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法
- 摘要：提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法，并完成了設(shè)計(jì)和仿真。 關(guān)鍵詞：微控制器 在線仿真 開發(fā)系統(tǒng) Flash SRAM 由于市場對MCU功能的要求總是不斷變化和升級(jí)，MCU應(yīng)用的領(lǐng)域也不斷擴(kuò)展， 因此往往需要對最初的設(shè)計(jì)進(jìn)行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相比，最大的優(yōu)點(diǎn)就在于可進(jìn)行高達(dá)上萬次的擦寫操作，順應(yīng)了MCU功能不斷修改的需求;另一方面，F(xiàn)lash MCU市場價(jià)格也在不斷下降。因此，許多OEM已將Flash MCU用于產(chǎn)品的批量生產(chǎn)。對于F
- 關(guān)鍵字： MCU Flash 仿真器
匯聚中國移動(dòng)行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)廠商 第二屆閃迪年度客戶研討會(huì)圓滿舉行
- 全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商閃迪公司今日宣布，來自移動(dòng)設(shè)備、平板電腦和消費(fèi)類電子產(chǎn)品行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的300多位領(lǐng)導(dǎo)廠商本周齊聚中國深圳，參加閃迪舉辦的第二屆年度“Future Proof Storage”研討會(huì)。本次活動(dòng)于8月26日舉行，囊括了中國及世界各地極具影響力的領(lǐng)先移動(dòng)科技公司(包括幾乎所有領(lǐng)先芯片組供應(yīng)商的代表)，共同探討塑造移動(dòng)互聯(lián)市場的新技術(shù)、新應(yīng)用、新趨勢和閃存技術(shù)演進(jìn)。Future Proof Storage 研討會(huì)邀請了移動(dòng)行業(yè)中的十幾位領(lǐng)導(dǎo)者擔(dān)任演講嘉賓
- 關(guān)鍵字： 閃迪 智能手機(jī) NAND
終端需求多元化帶動(dòng)NAND Flash市場穩(wěn)健增長
- TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)裝置需求穩(wěn)健增長，固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加，而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元，年增長9%。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?014年NANDFlash需求位增長率為36%，在更多元化的產(chǎn)品開始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 穿戴性裝置
基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計(jì)
- 摘要：本文以ARM7內(nèi)核的MCU LPC2458在片外FLASH上運(yùn)行程序時(shí)，采用SWI軟中斷的方法實(shí)現(xiàn)同時(shí)寫片外FLASH的例子，詳細(xì)講述ARM7內(nèi)核的MCU如何設(shè)計(jì)SWI軟中斷程序的流程、方法和應(yīng)用原理。 1 背景描述 筆者在設(shè)計(jì)一項(xiàng)目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核，帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH，98k字節(jié)的片內(nèi)RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU。由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
- 關(guān)鍵字： ARM7 LPC2458 FLASH MCU SWI CPU 201409
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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