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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
儲(chǔ)存市場(chǎng)新廠突圍 傳統(tǒng)大廠嚴(yán)陣以待
- 儲(chǔ)存裝置市場(chǎng)正醞釀一波小型新創(chuàng)公司革命。過去由惠普(HP)、IBM、NetApp與EMC等業(yè)者把持的儲(chǔ)存市場(chǎng)，目前已遭到許多小型新創(chuàng)公司崛起并搶走市場(chǎng)。調(diào)查也發(fā)現(xiàn)，消費(fèi)者預(yù)期未來將擴(kuò)大使用Flash存儲(chǔ)器與固態(tài)硬碟(SSD)，因此，傳統(tǒng)大廠必須調(diào)整策略才能扭轉(zhuǎn)頹勢(shì)。 據(jù)TechRadar報(bào)導(dǎo)，全球四大儲(chǔ)存大廠惠普、IBM、NetApp與EMC近期受到甫成立不久的新創(chuàng)公司推出快閃技術(shù)產(chǎn)品，因此，其外部硬碟儲(chǔ)存市場(chǎng)占有率已逐漸流失。 據(jù)IDC調(diào)查發(fā)現(xiàn)，截至2014年第2季為止，由四大廠供應(yīng)的高
- 關(guān)鍵字： IBM SSD Flash
東芝傳年內(nèi)量產(chǎn)3D Flash 技術(shù)更勝三星
- 三星電子(Samsung Electronics)領(lǐng)先全球同業(yè)、于去年10月?lián)屜攘慨a(chǎn)3D架構(gòu)的NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)產(chǎn)品，但三星的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)恐維持不了多久，因?yàn)槿荖AND Flash最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產(chǎn)3D NAND Flash、且其制造技術(shù)更勝三星一籌! 日本媒體產(chǎn)經(jīng)新聞25日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品為垂直堆疊32層，但東芝已研發(fā)出超越三星的制造技術(shù)、可堆疊48層，且東芝計(jì)劃于今年下半年透過旗下四日市工廠
- 關(guān)鍵字： 東芝 3D Flash
TLC產(chǎn)品今年將接近NAND整體產(chǎn)出之五成
- TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，隨著 TLC 產(chǎn)品的主流應(yīng)用開始從記憶卡與隨身碟產(chǎn)品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等OEM儲(chǔ)存裝置移動(dòng)，加上 NAND Flash 業(yè)者陸續(xù)推出完整的TLC儲(chǔ)存解決方案，預(yù)估今年TLC產(chǎn)出比重將持續(xù)攀升，將在第四季接近整體 NAND Flash 產(chǎn)出的一半。 DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，由于成本較具優(yōu)勢(shì)，過去TLC廣泛應(yīng)用在記憶卡與隨身碟等外插式產(chǎn)品中。三星(Samsung)從2013年起積極將
- 關(guān)鍵字： TLC NAND
性價(jià)比優(yōu)勢(shì)更明顯 TLC NAND應(yīng)用版圖急擴(kuò)張
- 三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術(shù)突破，加上控制晶片與錯(cuò)誤修正韌體效能大幅精進(jìn)，使得三層式儲(chǔ)存(TLC)NAND記憶體性價(jià)比較過去大幅提高，因而激勵(lì)消費(fèi)性固態(tài)硬碟制造商擴(kuò)大采用比例。 三層式儲(chǔ)存(TLC) NAND快閃記憶體市場(chǎng)滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如固態(tài)硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續(xù)成長(zhǎng)。 在單層式儲(chǔ)存(SLC)、多層式儲(chǔ)存(MLC)及TLC三種形式的NAND
- 關(guān)鍵字： 三星 TLC NAND
EMC：新技術(shù)沖擊導(dǎo)致傳統(tǒng)業(yè)務(wù)節(jié)節(jié)敗退
- 由EMC公司發(fā)布的一份圖表顯示，傳統(tǒng)SAN驅(qū)動(dòng)器陣列銷售衰退的趨勢(shì)已然出現(xiàn)，與此同時(shí)超融合型、軟件定義以及全閃存陣列存儲(chǔ)業(yè)務(wù)則及時(shí)趕上，填補(bǔ)了這部分市場(chǎng)空間。 William Blair公司分析師Jason Ader在本月十號(hào)出席了EMC戰(zhàn)略論壇大會(huì)，并以郵件的形式向客戶發(fā)布了此次會(huì)議的內(nèi)容總結(jié)。 EMC公司的管理層引用了一部分IDC研究公司的調(diào)查數(shù)據(jù)，其中顯示從2014年到2018年外部存儲(chǔ)系統(tǒng)市場(chǎng)的復(fù)合年均營(yíng)收(目前為260億美元)將實(shí)現(xiàn)3%增幅。在此期間，“傳統(tǒng)獨(dú)立混合系
- 關(guān)鍵字： EMC NAND
大陸手機(jī)市場(chǎng)驚人Mobile DRAM消費(fèi)量陡升
- 中國(guó)大陸智能型手機(jī)的高成長(zhǎng)，使得內(nèi)存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內(nèi)存供應(yīng)商不管是從零組件競(jìng)爭(zhēng)還是手機(jī)整機(jī)的競(jìng)爭(zhēng)上都倍感壓力。
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND Flash
3D NAND堆疊競(jìng)爭(zhēng)鳴槍 SK海力士、東芝苦追三星
- 為提升NAND Flash性能而將Cell垂直堆疊的3D堆疊技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)逐漸升溫。目前三星電子(Samsung Electronics)已具備生產(chǎn)系統(tǒng)獨(dú)大市場(chǎng)，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)等半導(dǎo)體大廠也正加速展開相關(guān)技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)作業(yè)。 據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，NAND Flash的2D平面微細(xì)制程，因Cell間易發(fā)生訊號(hào)干擾現(xiàn)象等問題，已進(jìn)入瓶頸。主要半導(dǎo)體大廠轉(zhuǎn)而致力確保將Cell垂直堆疊的3D技術(shù)。半導(dǎo)體業(yè)界的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)從制程微細(xì)化，轉(zhuǎn)變?yōu)榇怪倍?/li>
- 關(guān)鍵字： NAND 三星
美光開放日：引領(lǐng)互聯(lián)世界存儲(chǔ)潮流
- 近日，美光科技在上海舉行以“存儲(chǔ)及其發(fā)展如何幫助實(shí)現(xiàn)未來互聯(lián)世界”為主題的“美光開放日”活動(dòng)。美光科技高層與業(yè)內(nèi)專家、學(xué)者和媒體共同分享公司在該領(lǐng)域的見解和創(chuàng)新解決方案，探討和展望未來行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。 美光科技作為僅有的兩家能夠提供提供全存儲(chǔ)類型解決方案的廠商，占據(jù)整個(gè)存儲(chǔ)器22%以上的市場(chǎng)份額，穩(wěn)居第二位。如今美光科技面向網(wǎng)絡(luò)建設(shè)、機(jī)器對(duì)機(jī)器、移動(dòng)設(shè)備、云和大數(shù)據(jù)五大應(yīng)用領(lǐng)域，提供全球最廣泛的存儲(chǔ)產(chǎn)品組合，包括：DRAM芯片和存儲(chǔ)條、固態(tài)硬盤、NA
- 關(guān)鍵字： 美光 存儲(chǔ)器 NAND 201503
美光與希捷宣布成立策略聯(lián)盟
- 希捷科技(Seagate Technology)與美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布簽署策略性協(xié)議，設(shè)立一結(jié)合兩家公司創(chuàng)新與專業(yè)技術(shù)之架構(gòu)。在此協(xié)議的架構(gòu)基礎(chǔ)上，雙方客戶能夠同時(shí)受益于領(lǐng)先業(yè)界的儲(chǔ)存解決方案，進(jìn)而更快速且有效率地實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新。 盡管在合作初期，美光與希捷將著重于下個(gè)世代的 SAS 固態(tài)硬碟(SSD)與策略性 NAND 型快閃記憶體的供貨，但是雙方皆預(yù)期這項(xiàng)長(zhǎng)達(dá)數(shù)年的結(jié)盟協(xié)議在未來將有機(jī)會(huì)發(fā)展更多合作，甚至推出采用美光 NAND 型快閃記憶體的企業(yè)級(jí)儲(chǔ)存解決
- 關(guān)鍵字： 美光 希捷 NAND
半導(dǎo)體市場(chǎng)今年迎向高規(guī)格之爭(zhēng)
- 2015年由行動(dòng)裝置帶動(dòng)的高規(guī)格半導(dǎo)體之爭(zhēng)蓄勢(shì)待發(fā);行動(dòng)應(yīng)用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲(chǔ)存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導(dǎo)體需求增加，被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)新動(dòng)能。 據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)的報(bào)導(dǎo)，智慧型手機(jī)的功能高度發(fā)展，讓核心零組件如應(yīng)用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導(dǎo)體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進(jìn)化到64位元，可望讓多工與資料處理
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 NAND Flash LPDDR4
NAND閃存下一步指向3D架構(gòu)14納米
- 存儲(chǔ)是電子產(chǎn)品中最重要的部分之一，它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。近年來，存儲(chǔ)芯片行業(yè)熱點(diǎn)話題不斷：3D NAND的生產(chǎn)制造進(jìn)展情況如何?LPDDR4在市場(chǎng)上的應(yīng)用進(jìn)程是怎樣的?移動(dòng)產(chǎn)品中eMCP將成為主流封裝形式嗎?存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展的路徑或許會(huì)爭(zhēng)論不休，但是整體方面卻不會(huì)改變，那就是更大的容量、更高的密度、更快的存儲(chǔ)速度、更加節(jié)能以及更低的成本。 2015年手機(jī)存儲(chǔ)市場(chǎng) 著眼用戶體驗(yàn)提升 目前業(yè)界對(duì)于2015年中國(guó)智能手機(jī)市場(chǎng)走勢(shì)的預(yù)測(cè)很多，總的觀點(diǎn)是增長(zhǎng)率放緩。當(dāng)
- 關(guān)鍵字： NAND 14納米
2014年Q4品牌NAND供應(yīng)商營(yíng)收僅成長(zhǎng)2%
- 根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報(bào)告， 2014年第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn)，但在三星電子(Samsung)、東芝(Toshiba)與晟碟(SanDisk)各自面臨價(jià)格與產(chǎn)銷端的壓力影響營(yíng)收、及第三 季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應(yīng)商營(yíng)收僅較第三季成長(zhǎng)2%至87.5億美元。 DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，因需求端面臨淡季效應(yīng)，2015年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求，在價(jià)格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下
- 關(guān)鍵字： NAND 英特爾 三星
淡季影響銷售，NAND Flash 供應(yīng)商 Q1 將供過于求
- 根據(jù) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報(bào)告顯示，第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn)，但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價(jià)格與產(chǎn)銷端的壓力影響營(yíng)收、及第三季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應(yīng)商營(yíng)收僅較第三季成長(zhǎng) 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，因需求端面臨淡季效應(yīng)，2015 年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求，在價(jià)格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下，業(yè)者將藉由加速先進(jìn)制程的轉(zhuǎn)進(jìn)，改善成本架構(gòu)，以減低價(jià)格跌幅的沖擊。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 三星 東芝
國(guó)際大廠找Mobile RAM貨源 敲開與臺(tái)廠合作大門
- 存儲(chǔ)器廠持續(xù)在eMCP(eMMC結(jié)合MCP封裝)領(lǐng)域擴(kuò)大進(jìn)擊，繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯(lián)盟，新帝(SanDisk)亦傳出首度來臺(tái)尋找移動(dòng)式存儲(chǔ)器Mobile RAM合作伙伴，考慮與南亞科簽定長(zhǎng)約或包下產(chǎn)能，顯示國(guó)際存儲(chǔ)器大廠亟欲尋找Mobile RAM貨源，并敲開與臺(tái)廠合作大門。 半導(dǎo)體業(yè)者透露，在三星電子和SK海力士主導(dǎo)下，智能型手機(jī)內(nèi)建存儲(chǔ)器規(guī)格從eMMC轉(zhuǎn)為eMCP，原本NAND Flash芯片外加關(guān)鍵零組件Mobile RAM芯片，2015年?yáng)|芝??新帝陣營(yíng)將展開大反撲。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash Mobile RAM
NAND Flash價(jià)格續(xù)滑 難擺脫供給過剩困境
- 由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應(yīng)量持續(xù)增加，造成價(jià)格連續(xù)兩個(gè)月下滑，業(yè)界預(yù)期若三星電子(Samsung Electronics)等業(yè)者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產(chǎn)比重，后續(xù)MLC產(chǎn)品價(jià)格下滑情況恐將更明顯。 根據(jù)韓媒DigitalTimes報(bào)導(dǎo)，由于USB、硬碟與記憶卡市場(chǎng)進(jìn)入淡季，加上庫(kù)存堆積，導(dǎo)致NAND Flash價(jià)格走滑，市場(chǎng)供給過剩情況恐持續(xù)到農(nóng)歷春節(jié)。業(yè)界認(rèn)為目前NAND Flash下滑走勢(shì)雖大部分是受
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 三星
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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