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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
美光聯(lián)手華邦電：推NOR Flash搶攻物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用商機(jī)
- 美國(guó)存儲(chǔ)器大廠(chǎng)美光(Micron)宣布，與存儲(chǔ)器廠(chǎng)商華邦電擬進(jìn)一步合作開(kāi)發(fā)新一代超高速序列式編碼型快閃存儲(chǔ)器(Serial NOR Flash)，搶攻汽車(chē)電子、穿戴裝置，以及智慧家庭等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用商機(jī)，預(yù)計(jì)2015年1月就會(huì)開(kāi)始送樣認(rèn)證1GB芯片。 ? 據(jù)了解，美光日前宣布與華邦電結(jié)盟，雙方將開(kāi)發(fā)新一代Twin-Quad的超高速序列式NOR Flash產(chǎn)品線(xiàn);雙方所合作的Twin-Quad序列式NOR Flash，比NAND Flash速度更快，且比現(xiàn)有序列式NOR Fla
- 關(guān)鍵字： 美光 NOR Flash 物聯(lián)網(wǎng)
慧榮科技推出業(yè)界首款車(chē)載IVI級(jí)單封裝SSD解決方案
- 在設(shè)計(jì)及推廣用于固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其專(zhuān)為車(chē)載信息娛樂(lè)(IVI)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的汽車(chē)級(jí)PATA及SATA FerriSSD解決方案。 FerriSSD解決方案旨在代替以往被廣泛應(yīng)用在車(chē)載IVI系統(tǒng)等嵌入式應(yīng)用中的SATA及PATA硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。由于集成了NAND閃存及慧榮科技業(yè)界領(lǐng)先的控制器并采用小尺寸BGA封裝，F(xiàn)erriSSD解決方案與傳統(tǒng)的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器相比不僅運(yùn)行速度更
- 關(guān)鍵字： 慧榮科技 NAND BGA
NAND閃存窮途末路 下一代閃存技術(shù)百花齊放
- 由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤(pán)、MP3走向電腦、存儲(chǔ)陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機(jī)械硬盤(pán)有了較大幅度的提升，但縱觀(guān)整個(gè)計(jì)算架構(gòu)，閃存仍舊是計(jì)算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫(xiě)入壽命上都還不盡如人意，并且隨著工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來(lái)越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)達(dá)到15nm的水平，存儲(chǔ)密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個(gè)巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。 日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國(guó)際電子設(shè)備大會(huì))上就公布了其最新的可變電阻式存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字： NAND MLC TLC
研調(diào)：12月上旬NAND Flash合約價(jià)跌幅2%內(nèi)
- TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究顯示，美系廠(chǎng)商在第三季季底財(cái)報(bào)結(jié)算壓力過(guò)后，不再采取積極價(jià)格戰(zhàn)，使得原廠(chǎng)間戰(zhàn)火稍緩。另一方面，因模組廠(chǎng)預(yù)期此波價(jià)格跌勢(shì)將持續(xù)，再加上手中庫(kù)存仍充足下，大多傾向12月月底再進(jìn)行采購(gòu)談判，以爭(zhēng)取更優(yōu)惠的價(jià)格。因此，12月上旬因交易氣氛冷清，NAND Flash合約價(jià)呈持平或僅微幅下跌0-2%。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，在歐美圣誕節(jié)備貨動(dòng)能正式結(jié)束后，受到季節(jié)性因素影響，預(yù)期明(2015)年第一季全球智慧型手機(jī)
- 關(guān)鍵字： NAND Flash eMMC
三星半導(dǎo)體設(shè)備投資傳明年微幅加碼，擬加蓋 NAND 廠(chǎng)
- 韓國(guó)時(shí)報(bào)(Korea Times)15 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三星電子明年將投資半導(dǎo)體設(shè)備 13.5 兆韓圜，或相當(dāng)于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。 全球記憶體晶片市場(chǎng)目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠(chǎng)市占率合計(jì)來(lái)到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設(shè)備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價(jià)格穩(wěn)定與市場(chǎng)供需平衡。 據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星看準(zhǔn)儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場(chǎng)需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開(kāi)設(shè)新廠(chǎng)房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩(wěn)，
- 關(guān)鍵字： 三星 SK 海力士 美光 NAND
MSP430F單片機(jī)設(shè)計(jì)的超低功耗電子溫度計(jì)方案
- 本文設(shè)計(jì)的超低功耗電子溫度計(jì)能夠通過(guò)溫度傳感器測(cè)量和顯示被測(cè)量點(diǎn)的溫度，并可進(jìn)行擴(kuò)展控制。該溫度計(jì)帶電子時(shí)鐘，其檢測(cè)范圍為l0℃～30℃， 檢測(cè)分辨率為1℃，采用LCD液晶顯示，整機(jī)靜態(tài)功耗為0.5μA。其系統(tǒng)設(shè)計(jì)思想對(duì)其它類(lèi)型的超低功耗微型便攜式智能化檢測(cè)儀表的研究和開(kāi)發(fā)，也具有一 定的參考價(jià)值。 1 元器件選擇 本系統(tǒng)的溫度傳感器可選用熱敏電阻。在10～30℃的測(cè)量范圍內(nèi)，該器件的阻值隨溫度變化比較大，電路簡(jiǎn)單，功耗低，安裝尺寸小，同時(shí)其價(jià)格也很 低，但其熱敏電阻精度、重復(fù)性、可
- 關(guān)鍵字： MSP430 傳感器 FLASH
挺進(jìn)蘋(píng)果三星，新芯代工兆易Flash突破十萬(wàn)晶圓
- 伴隨大陸手機(jī)產(chǎn)業(yè)的崛起，一批本土IC設(shè)計(jì)企業(yè)正在逐步壯大，兆易創(chuàng)新無(wú)疑是其中的佼佼者之一。 功能手機(jī)大多采用SPI NOR Flash芯片，設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，而且制造成本較低，對(duì)于低端手機(jī)頗有吸引力。目前來(lái)看，功能機(jī)的市場(chǎng)容量依然不可小覷。工信部曾發(fā)布2014年第一季度《中國(guó)手機(jī)行業(yè)運(yùn)行狀況》報(bào)告，其中顯示今年一季度，2G手機(jī)(功能機(jī))總出貨量為1144萬(wàn)部，雖然同比下降超七成，但是仍然是個(gè)不小的數(shù)字。放眼全球市場(chǎng)，根據(jù)IDC發(fā)布的全球智能手機(jī)出貨量報(bào)告，去年全球智能手機(jī)的出貨量達(dá)到10億400萬(wàn)臺(tái)
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 三星 Flash
東芝NAND Flash漲勢(shì)迅猛 TransferJet高效近場(chǎng)傳輸技術(shù)加速市場(chǎng)化
- 2014年NAND Flash市場(chǎng)在便攜式電子新品持續(xù)、快速更新的帶動(dòng)下表現(xiàn)出價(jià)格穩(wěn)定、需求強(qiáng)勁的發(fā)展態(tài)勢(shì)。尤其在下半年蘋(píng)果iPhone6/6Plus新機(jī)上市備貨需求強(qiáng)勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場(chǎng)主流，三星、東芝這些存儲(chǔ)行業(yè)大牌的表現(xiàn)尤為出色。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce最新報(bào)告，2014年第三季度東芝NAND Flash產(chǎn)品營(yíng)收環(huán)比大增23.7%，穩(wěn)居世界前二位，其中15nm新制程的產(chǎn)出比重持續(xù)增加。 在今年的高交會(huì)上，記者也對(duì)東芝新制程的存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND Flash TransferJet
無(wú)NAND之地：閃存無(wú)法占領(lǐng)數(shù)據(jù)中心？
- NAND會(huì)不會(huì)徹底占據(jù)數(shù)據(jù)中心？答案是不會(huì)。截至2018年的磁盤(pán)與SSD出貨容量預(yù)測(cè)顯示，磁盤(pán)的發(fā)展速度將一路高于閃存方案。SSD整體出貨容量與磁盤(pán)間的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND幾何尺寸的每一次縮減都會(huì)給制造流程帶來(lái)巨大的成本壓力、并要求供應(yīng)商利用更多配套解決方案保持現(xiàn)有使用壽命——具體而言，在每天寫(xiě)滿(mǎn)一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
- 關(guān)鍵字： NAND SSD 數(shù)據(jù)中心 閃存
基于藍(lán)牙技術(shù)的LED點(diǎn)陣屏設(shè)計(jì)方案
- 0 引言 本文設(shè)計(jì)一種內(nèi)容更新便捷、可擴(kuò)展、低價(jià)格的點(diǎn)陣LED 文字顯示屏。降低成本的途徑是①用幾乎人人都有的手機(jī)的藍(lán)牙數(shù)據(jù)傳輸功能進(jìn)行LED 顯示內(nèi)容的更新，免去專(zhuān)業(yè)上位機(jī)軟件和控制卡的成本，操作也更簡(jiǎn)單;②單次顯示內(nèi)容在5 ~ 30 個(gè)漢字或英文字母，因?yàn)轱@示內(nèi)容較少，就可實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展電路的簡(jiǎn)單化。 1 系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案 1. 1 系統(tǒng)組成 系統(tǒng)由帶藍(lán)牙功能的智能手機(jī)和LED 顯示屏組成。其中，LED 顯示屏由單片機(jī)、LED 點(diǎn)陣模塊、字庫(kù)芯片、藍(lán)牙接收模塊、5V 開(kāi)關(guān)電源和3.3
- 關(guān)鍵字： 藍(lán)牙 LED FLASH
DSP編程技巧之29---答疑解惑哪家強(qiáng)之（4）
- 答疑解惑哪家強(qiáng)?當(dāng)屬我們EEPW最強(qiáng)。。。接下來(lái)繼續(xù)我們的答疑解惑。 22. 除了使用編譯器的優(yōu)化選項(xiàng)之外，還可以使用什么方法提高程序的性能? 編譯器的優(yōu)化選項(xiàng)，只能在代碼滿(mǎn)足眾多選項(xiàng)的要求時(shí)，才能得到較好的優(yōu)化效果。在我們編程的時(shí)候，首先要做到心里有數(shù)，盡可能使用一些高效的編程方式，例如使用右移操作代替除以2的倍數(shù)的操作，可以大幅度地減少代碼運(yùn)行時(shí)間等。這些技巧很多是與C/C++的熟練使用所相關(guān)的。此外，根據(jù)器件的特點(diǎn)，例如是否包含F(xiàn)PU、CLA等，把特定的代碼放在不同的區(qū)域執(zhí)行，也能起
- 關(guān)鍵字： DSP C/C++ Flash
NAND吃緊！花旗：三星、hTC將學(xué)蘋(píng)果加大智能機(jī)容量
- Investor.com 3日?qǐng)?bào)導(dǎo)，花旗發(fā)表研究報(bào)告指出，三星電子、宏達(dá)電 (2498)等智慧型手機(jī)制造商有望跟隨蘋(píng)果 ( Apple Inc. )的腳步增加手機(jī)的儲(chǔ)存容量，這會(huì)提高市場(chǎng)對(duì)SanDisk產(chǎn)品的需求。 費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)成分股SanDisk 3日聞?dòng)嵣蠞q2.02%、收103.36美元;該檔個(gè)股在11月總計(jì)勁揚(yáng)了9.9%、年初迄今大漲46.53%。SanDisk 11月26日收盤(pán)(104.26美元)甫創(chuàng)7月16日以來(lái)收盤(pán)新高。 根據(jù)報(bào)告，花旗分析師Joe Yoo將SanDisk的投
- 關(guān)鍵字： 花旗 三星 NAND Flash
分析師：2015年NAND Flash市況“上冷下熱”
- TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 調(diào)查顯示， NAND Flash 成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如 SSD 與eMMC等需求則持續(xù)成長(zhǎng)，估計(jì) 2015年 NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長(zhǎng)12%，至276億美元。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，由于終端產(chǎn)品出貨與新機(jī)上市多半集中在第三季和第四季，相較之下上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場(chǎng)，受淡季效應(yīng)影響情況將較為顯著，因此預(yù)估2015年NAND Flash市況將呈現(xiàn)上冷下熱的格局，也就是
- 關(guān)鍵字： TrendForce NAND Flash SSD
SSD價(jià)格快速下滑 普及化只剩時(shí)間問(wèn)題
- 固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格正迅速下滑，3D NAND和TLC等SSD新技術(shù)逐漸擴(kuò)散，帶動(dòng)儲(chǔ)存容量擴(kuò)大，并加速SSD大眾化時(shí)代的來(lái)臨。 據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，SSD將形成半導(dǎo)體新市場(chǎng)，價(jià)格跌幅相當(dāng)明顯。外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料指出，256GB容量的SSD平均價(jià)格在2014年第3季時(shí)為124美元，與2013年第3季的171美元相比降低27.5%。若與2012年相比則減少45.1%。 南韓業(yè)界認(rèn)為，目前價(jià)格69美元、容量128GB的SSD，在2015年價(jià)格將降低至50美元以下。 南韓Woor
- 關(guān)鍵字： 3D NAND SSD TLC
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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