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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> nand flash

          提高M(jìn)SP430G單片機(jī)的Flash擦寫壽命的方法

          • 在嵌入式設(shè)計(jì)中,許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù),由于成本原因,某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒(méi)有集 ...
          • 關(guān)鍵字: MSP430G  單片機(jī)  Flash  擦寫壽命    

          武漢新芯:定位存儲(chǔ)器制造,兩年后或推3D NAND

          • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立,2012年底起獨(dú)立經(jīng)營(yíng),是國(guó)有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國(guó)際)和華力微電子(HLMC)等,XMC將立足存儲(chǔ)器制造。近日,武漢新芯董事長(zhǎng)王繼增告訴筆者。
          • 關(guān)鍵字: XMC  存儲(chǔ)器  NOR  NAND  201401  

          單片機(jī)高手是怎樣煉成的

          • 近來(lái)在論壇總是見(jiàn)到一些菜鳥(niǎo)們?cè)诖蠼校骸拔蚁雽W(xué)單片機(jī)”,“我要學(xué)單片機(jī)”,“如何入門啊?”,“你們?cè)趺催@么厲害,是怎樣學(xué)的??”等等等等一系列的問(wèn)題,實(shí)在是看多了也感到煩了,今天,就由我電子白菜厚著面皮,頂著無(wú)數(shù)老蝦的磚頭,在這里寫上一篇單片機(jī)學(xué)習(xí)心得,讓菜鳥(niǎo)們勇敢地跨出第一步。
          • 關(guān)鍵字: 單片機(jī)  LED  LCD  FLASH  USB  

          ARM11 S3C6410系列教程之四:NANDflash操作

          • 在本章開(kāi)始之前,我們先來(lái)看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu):
          • 關(guān)鍵字: ARM11  DDR  NAND  flash  寄存器  

          武漢新芯:已建成IP體系,欲以存儲(chǔ)器為特色

          • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導(dǎo)體企業(yè),2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資,并由東湖高新區(qū)管理的全資國(guó)有企業(yè),前幾年委托SMIC(中芯國(guó)際)經(jīng)營(yíng)管理,從2012年底起獨(dú)立經(jīng)營(yíng)。
          • 關(guān)鍵字: XMC  存儲(chǔ)器  NAND  

          AVR的主要特性

          • AVR單片機(jī)是1997年由ATMEL公司研發(fā)出的增強(qiáng)型內(nèi)置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精簡(jiǎn)指令集高 ...
          • 關(guān)鍵字: AVR單片機(jī)  ATMEL  Flash  

          缺少仿真器時(shí)avr單片機(jī)的開(kāi)發(fā)方法

          • 對(duì)FLASH存貯器單片機(jī),不要仿真機(jī)也能方便快速地開(kāi)發(fā)程序。具體可以從以下幾方面入手: 一、盡量使用高級(jí)語(yǔ)言開(kāi) ...
          • 關(guān)鍵字: 仿真器時(shí)  avr單片機(jī)  FLASH  

          ARM編程中Flash ROM驅(qū)動(dòng)示例

          • Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:i28F320B: 64*64K,64個(gè)blocks,4M空間,每個(gè)block 64K,第一個(gè)64K由8個(gè)8*8 ...
          • 關(guān)鍵字: ARM編程  Flash  ROM驅(qū)動(dòng)    

          單片機(jī)下程序RAM, ROM ,F(xiàn)lash

          • 8K的flash是有8*1024個(gè)字節(jié),一條指令可能有1~4個(gè)機(jī)器碼,即1~4個(gè)字節(jié),其中1~2機(jī)器碼的指令使用最為頻繁,所以這樣 ...
          • 關(guān)鍵字: 單片機(jī)  RAM  ROM  Flash    

          東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

          • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC),該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。同時(shí)該模塊符合最新的e·MMC?[1]標(biāo)準(zhǔn),旨在應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等廣泛的數(shù)字消費(fèi)品。批量生產(chǎn)將從11月底開(kāi)始。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  嵌入式  NAND  

          基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

          • 摘要: NAND Flash應(yīng)用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲(chǔ)器管理接口結(jié)合I/O口來(lái)實(shí)現(xiàn)NAND Flash存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的搭建和管理的方法,并介紹底層的驅(qū)動(dòng)程序。
          • 關(guān)鍵字: Flash  嵌入式  MCU  存儲(chǔ)器  NAND  寄存器  201312  

          Marvell擴(kuò)大固態(tài)硬盤控制器在全球領(lǐng)先OEM中的市場(chǎng)份額

          • 全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell,納斯達(dá)克代碼:MRVL)日前宣布,其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續(xù)加速實(shí)現(xiàn)全球消費(fèi)者和企業(yè)的“美滿互聯(lián)生活(Connected Lifestyle)”。當(dāng)前,Marvell擁有豐富的端到端存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算、移動(dòng)和聯(lián)網(wǎng)解決方案,在行業(yè)中占據(jù)著獨(dú)一無(wú)二的領(lǐng)導(dǎo)地位。
          • 關(guān)鍵字: Marvell  固態(tài)硬盤  NAND  

          2014年Flash LED市場(chǎng)走勢(shì)將呈現(xiàn)M型化

          •   FlashLED在智慧型手機(jī)的滲透率已達(dá)100%,看準(zhǔn)Flash商機(jī),LED業(yè)者積極投入Flash市場(chǎng)。2013年FlashLED的規(guī)格以驅(qū)動(dòng)電流1000mA、500mA與350mA為主流,業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,2014年FlashLED市場(chǎng)將呈現(xiàn)M型化發(fā)展,高階規(guī)格以驅(qū)動(dòng)電流1000mA所主導(dǎo),而低階則會(huì)以驅(qū)動(dòng)電流350mA為主。   LEDFlash具有高穩(wěn)定性、發(fā)光角度小、低電壓即可驅(qū)動(dòng)、不需要充電與壽命較長(zhǎng)等特性,F(xiàn)lashLED已成為智慧型手機(jī)標(biāo)配,以2013年FlashLED市況來(lái)看,主流規(guī)
          • 關(guān)鍵字: Flash  LED  

          可管理NAND:適用于移動(dòng)設(shè)備的嵌入式大容量存儲(chǔ)

          • 與多年前相比,現(xiàn)在的移動(dòng)消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜,功能豐富,能夠存儲(chǔ)大量音樂(lè)、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是,存儲(chǔ)...
          • 關(guān)鍵字: NAND    移動(dòng)設(shè)備    大容量存儲(chǔ)  

          國(guó)際廠競(jìng)搶Flash LED新高地 明年恐見(jiàn)殺價(jià)潮

          •   LED產(chǎn)品價(jià)格不斷下滑,壓縮各廠獲利空間,廠商除靠壓低生產(chǎn)成本外,也持續(xù)開(kāi)發(fā)高毛利產(chǎn)品領(lǐng)域以求生存,因此高毛利的FlashLED(閃光燈)成為各廠欲競(jìng)逐的市場(chǎng),除國(guó)際大廠PhilipsLumileds、CREE、OSRAM等外,臺(tái)廠有億光、新世紀(jì)、光寶科等業(yè)者,但近期市場(chǎng)傳出,韓廠三星將走出過(guò)去堅(jiān)守的4139封裝規(guī)格,計(jì)劃加入主流的2016規(guī)格戰(zhàn)局。隨著市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)者越來(lái)越多,估計(jì)FlashLED明年將會(huì)見(jiàn)到一波價(jià)格下殺潮。   消費(fèi)者對(duì)于智慧型手機(jī)要求越來(lái)越高,除處理效能要接近電腦外,就連照相功能也向
          • 關(guān)鍵字: Flash  LED  
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          nand flash介紹

           Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]

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