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          第一季度SSD出貨勁增,尤其是在超級本與PC平板領(lǐng)域

          • 據(jù)IHS公司的存儲市場追蹤報告,超薄/超級本PC以及PC平板的使用大增,在第一季度極大地推動了固態(tài)硬盤(SSD)的發(fā)展。SSD在這些領(lǐng)域的出貨量同比激增兩倍。
          • 關(guān)鍵字: IHS  SSD  NAND  HDD  

          芯片制造設(shè)備行業(yè)2014年前景看好

          •   據(jù)國外媒體報道,芯片廠商尚未打破增長-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會SemiconWest上透露出的一個關(guān)鍵信息是,盡管對芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長的預(yù)期落空,但明年的前景要光明得多。   SEMI(半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會)預(yù)計,2013年芯片制造設(shè)備營收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預(yù)測,2014年芯片制造設(shè)備營收將猛增21%。   當(dāng)然,SEMI以往曾對芯片制造設(shè)備營收作出過高的預(yù)期。1年前,SEMI曾預(yù)計2013年芯片制造設(shè)備營收將增長約1
          • 關(guān)鍵字: 芯片制造  NAND  

          2013年:芯片制造業(yè)陷入低谷 明年會變好

          •   根據(jù)國外媒體的報道,2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退,預(yù)計芯片制造設(shè)備的全年?duì)I收下降2%,而此前SEMI曾經(jīng)預(yù)計2013年芯片制造設(shè)備營收會增長10%。   這次衰退預(yù)計同樣出自SEMI,這表明此前他們對2013年的樂觀預(yù)計已經(jīng)落空。實(shí)際上從2012年下半年開始,以NAND閃存為首的芯片廠商對芯片制造設(shè)備的訂單就已經(jīng)開始萎縮。目前只有Intel、三星、臺積電三家狀況比較穩(wěn)定,主要是因?yàn)橄M(fèi)類電子產(chǎn)品對芯片需求量大,三家企業(yè)處于難以撼動的統(tǒng)治地位。   不過SEMI依然對2014年的發(fā)展
          • 關(guān)鍵字: 芯片制造  NAND  

          中國廠商成全球芯片行業(yè)增長新引擎

          •   導(dǎo)語:路透社今天撰文指出,近年來高端手機(jī)市場的需求趨于飽和,曾經(jīng)推動芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長也開始放緩,但隨著華為、聯(lián)想等中國移動廠商的強(qiáng)勢崛起,以及中國移動市場的火爆,中國力量正成為全球芯片行業(yè)增長的新引擎。   以下為文章全文:   重新掌握主動   隨著中國低端智能手機(jī)和平板電腦的需求激增,以及華為等中國移動設(shè)備廠商的強(qiáng)勢崛起,東芝、SKHynix等亞洲存儲芯片廠商有望從這種趨勢中獲得重要回報。中國目前已取代美國,成為全球第一大智能手機(jī)市場
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          內(nèi)存芯片商揚(yáng)眉吐氣 靠中國企業(yè)賺錢了

          •   7月5日消息,由于中國廉價平板、智能手機(jī)需求增長,由于中國移動設(shè)備商的出現(xiàn),東芝、海力士等內(nèi)存商終于擺脫了倒霉運(yùn),開始收獲金錢了。   在高端產(chǎn)品領(lǐng)域,盡管市場增速沒過去那么快了,但是,這些設(shè)備渴望裝上更大的內(nèi)存,也會刺激內(nèi)存銷售的增長。   兩種趨勢之下,加上2011年以來內(nèi)存商縮減投資,DRAM(動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)和NAND內(nèi)存芯片價格已經(jīng)開始回升,在廠商面前,內(nèi)存制造商抬起頭來,它們有了更高的議價能力。   I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出:“
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存芯片  NAND  

          基于Flash和JTAG的FPGA系統(tǒng)

          • 基于Flash和JTAG的FPGA系統(tǒng), 引言針對需要切換多個FPGA配置碼流的場合, Xilinx公司提出了一種名為System ACE的解決方案,它利用CF(Compact Flash)存儲卡來替代配置用PROM,用專門的ACE控制芯片完成CF卡的讀寫,上位機(jī)軟件生成專用的ACE文件并下
          • 關(guān)鍵字: 系統(tǒng)  FPGA  JTAG  Flash  基于  

          基于TMSF240芯片的內(nèi)部FLASH自測試方法

          • 飛控計算機(jī)CPU模塊的處理器通常選用PowerPC或X86系列,CPU模塊設(shè)計有專門的FLASH芯片,為保證飛控程序存放的正確無誤,F(xiàn)LASH測試必不可少。而智能接口模塊的處理器通常選用TMSF240、TMSF2812等,采用片內(nèi)FLASH存放自
          • 關(guān)鍵字: FLASH  TMSF  240  芯片    

          NAND需求旺盛 模塊廠Q3將迎來火爆場面

          •   存儲器大廠美光(Micron)昨(20)日召開法說會,執(zhí)行長MarkDurcan看好下半年NANDFlash旺季,并指出未來12個月,NAND市場產(chǎn)能供給增加的幅度有限,但需求十分強(qiáng)勁,幾乎可用貪婪的需求(insatiabledemand)來形容,因此對下半年NAND市場抱持樂觀正面看法。   根據(jù)集邦科技旗下DRAMeXchange調(diào)查,由于全球4大供應(yīng)商近一年來沒有擴(kuò)產(chǎn)動作,加上制程微縮難度太高導(dǎo)致速度放緩,第3季NANDFlash位元成長率恐低于10%,但因行動裝置及固態(tài)硬盤(SSD)市場進(jìn)入
          • 關(guān)鍵字: SSD  NAND  

          NAND閃存閃現(xiàn)光芒,今年?duì)I業(yè)收入有望大增

          • 據(jù)IHS公司的閃存市場動態(tài)簡報,由于在手機(jī)、游戲控制臺和混合存儲驅(qū)動器等產(chǎn)品中的使用擴(kuò)大,NAND閃存市場今年有望實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長。
          • 關(guān)鍵字: IHS  NAND  

          NAND在2012年第四季度表現(xiàn)強(qiáng)勁

          •   據(jù)IHS iSuppli公司的數(shù)據(jù)閃存市場追蹤報告,低端平板電腦市場相對強(qiáng)健,幫助NAND閃存產(chǎn)業(yè)在2012年第四季度取得良好表現(xiàn),提升了全年?duì)I業(yè)收入水平,并縮減了2012年虧損程度。   2012年第四季度NAND營業(yè)收入為58億美元,比第三季度的48億美元增長17%,這是當(dāng)年表現(xiàn)最好的一個季度,如圖3所示。在最后一個季度的強(qiáng)力推動下,2012年全年NAND營業(yè)收入達(dá)到200億美元,比2011年只下降4.6%,降幅小于最初擔(dān)憂的水平。   圖3:2012年各季度全球NAND閃存營業(yè)收入預(yù)估(以百
          • 關(guān)鍵字: NAND  平板電腦  

          日系半導(dǎo)體公司一季度恢復(fù)盈利

          •   根據(jù)Digitimes的研究報告顯示,日本前三大半導(dǎo)體公司,東芝,瑞薩電子和索尼,盡管2012財年(從2012年4月至2013年3月)收入按年繼續(xù)降低,但利潤已經(jīng)提高。   其中,東芝今年第一季度NAND閃存營業(yè)收入達(dá)到了1730億日元(17.1億美元),達(dá)到2010年第一季度以來的最高水平。NAND閃存營業(yè)收入上升是由于出貨量增加和價格穩(wěn)定。東芝已經(jīng)看到半導(dǎo)體營業(yè)收入和營業(yè)利潤連續(xù)三個季度增長。   瑞薩電子今年第一季度營業(yè)收入,環(huán)比下降1.9%,達(dá)到1739億日元。然而,在連續(xù)七個季度的經(jīng)營虧
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩電子  閃存  NAND  

          DRAM看漲 類股營運(yùn)走俏

          •   由于韓國三星半導(dǎo)體將七成存儲器供自家手機(jī)、平板及電視使用下,加上大陸白牌平板計算機(jī)、智能手機(jī)備貨潮重新啟動,存儲器近期報價緩步上揚(yáng),DDR32Gb均價每顆站上1.74美元,站上二年多來新高,相關(guān)DRAM族群營運(yùn)看俏。    ?   此外,NANDFlash應(yīng)用大廠群聯(lián)預(yù)期,今年7、8月,NANDFlash芯片將陷入缺貨窘境,擁有強(qiáng)力貨源為后盾的廠商將受惠。   市場得知,三星將把七成行動存儲器產(chǎn)能保留給自家產(chǎn)品后,市場備貨潮5月中旬再度啟動,讓標(biāo)準(zhǔn)型DRAM現(xiàn)貨報價再度揚(yáng)升,站上
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          NAND閃存深入解析

          • 對于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言,NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案,這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn) ...
          • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  

          MSP430---FLASH 讀寫

          • MSP430 FLASH型單片機(jī)的FLASH存儲器模塊根據(jù)不同的容量分為若干段,其中信息存儲器SegmengA及SegmentB各有128 ...
          • 關(guān)鍵字: MSP430  FLASH  存儲器  

          DRAM漲價或提氣

          • DRAM曾是半導(dǎo)體業(yè)的王牌產(chǎn)品,在上世紀(jì)90年代的半導(dǎo)體市場上曾約占到3~4成的樣子,同時,它的加工技術(shù)、設(shè)備技術(shù)和生產(chǎn)線技術(shù)也常常主導(dǎo)著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)開發(fā)。Intel公司40年前研發(fā)出的DRAM,后成為PC的核心器件之一而獲得傲人的成長。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  201305  
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          nand flash介紹

           Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]

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