nand flash 文章 進入nand flash技術(shù)社區(qū)
三星東芝宣布將參與DDR2.0 NAND接口規(guī)范制定工作
- 閃存業(yè)兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標準規(guī)范的制訂工作，這種新一代閃存標準規(guī)范的接口數(shù)據(jù)傳輸率將高達400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時候會完成該標準規(guī) 范的制定工作，另外也沒有說明新一代閃存規(guī)范使用的閃存芯片存儲密度參數(shù)。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動和消費級電子類應用。 現(xiàn)有的DDR1.0版本NAND閃存接口規(guī)范只是將DDR數(shù)據(jù)傳輸接口與傳統(tǒng)的單倍數(shù)據(jù)傳輸率NAND單元結(jié)合在一起使用，接口數(shù)據(jù)傳輸率僅133Mbit/s
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
爾必達赴臺設NAND Flash研發(fā)中心
- 據(jù)了解，日商爾必達已決定來臺設立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領域。爾必達來臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣，未來將與力晶等日系半導體業(yè)者進一步合作。 據(jù)悉，爾必達與臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達與臺灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達互動密切，爾必達已于日前向經(jīng)濟部遞出在臺設立研發(fā)中心的初步計劃書，經(jīng)濟部正進行審查中。 官員透露，爾必達來臺設立研發(fā)中心的計劃相當成熟，已進入實質(zhì)合作內(nèi)容洽談中，研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動態(tài)存儲器
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亞洲需求成全球半導體市場強力支撐
- 全球半導體市場需求成長已優(yōu)于2008年秋季金融危機爆發(fā)前的水平，2010年5月半導體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來看，含大陸在內(nèi)的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續(xù)成長中，已成為全球半導體市場需求的強力支撐。然因市場對歐洲經(jīng)濟成長仍持疑慮，2010年秋季后市場需求動態(tài)值得關(guān)注。 美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計數(shù)據(jù)指出，金融危機爆發(fā)前全球半導體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導體銷售額達2
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SEMICON West來臨之際那些分析師說些什么？
- 編者點評：每年的SEMICON West時，時間己經(jīng)過半，所以業(yè)界都會關(guān)心下半年與未來會是怎么樣。2010年半導體業(yè)可能十分亮麗，似乎已成定局。然而對于設備業(yè)看似今年的增長幅度達90%，但是許多設備公司仍是興奮不起來，因為2010年業(yè)績的增長仍顯不足于彌補之前的損失。而未來的前景有點模糊，增長點來自哪里?似乎誰也說不清楚。 SEMICON West美國半導體設備展覽會即將開幕，與去年全球IC下降不同，如今半導體設備業(yè)有點紅火。 按市場調(diào)研公司 VLSI預計，2010年半導體設備業(yè)增長96%
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TMS320C6201 處理器與FLASH存儲器接口設計
- 關(guān)鍵字： TMS320C6201/6701 FLASH 接口設計 引導
力晶聚焦NAND Flash 挑戰(zhàn)20納米
- 近期臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟部補助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場，3方人馬點燃臺灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash產(chǎn)業(yè)6年來投入新臺幣70億元，是臺灣血統(tǒng)最純正技術(shù)，目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國際大廠仍晚1個世代，但若未來成功走向20納米制程，對臺灣NAND Flash研發(fā)是很大突破。 事實上，力晶NAND Flash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renes
- 關(guān)鍵字： TIMC NAND
TMS320C6201DSP處理器與FLASH存儲器接口設計
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
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NAND閃存芯片價格三季度將上漲
- 據(jù)iSuppli稱，隨著消費電子廠商準備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求。 iSuppli高級半導體分析師Rick Pierson說，當市場供貨量緊張的時候，平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產(chǎn)品存儲數(shù)據(jù)。 今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導致價格出現(xiàn)下降的趨勢。但是，智能手機等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。 廠商產(chǎn)量不會由于超過了需求而進行限制。但是，供應商將根據(jù)合同義務和關(guān)系向關(guān)鍵
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片
因供不應求 NAND 閃存芯片價格三季度將上漲
- 據(jù)iSuppli稱，隨著消費電子廠商準備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求。 iSuppli高級半導體分析師Rick Pierson說，當市場供貨量緊張的時候，平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產(chǎn)品存儲數(shù)據(jù)。今年第二 季度NAND閃存芯片供貨量充足導致價格出現(xiàn)下降的趨勢。但是，智能手機等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。 廠商產(chǎn)量不會由于超過了需求而進行限制。但是，供應商將根據(jù)合同義務和關(guān)系向關(guān)鍵的合作
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片
華邦：NOR Flash市場缺口達20%
- 華邦總經(jīng)理詹東義表示，NOR Flash市場供不應求的情況仍然嚴重，估計市場缺口約20%，第3季的NOR Flash價格仍會持續(xù)調(diào)漲，甚至對于第4季營運都相當樂觀，尤其是華邦在客戶策略上，逐漸集中在一線客戶之后，受到全球景氣波動的影響相對較小。 華邦表示，若扣除重覆下單(Double Booking)，目前NOR Flash市場缺口約20%，華邦的優(yōu)勢在于質(zhì)量、成本和交期穩(wěn)定。目前對于NOR Flash產(chǎn)能的規(guī)劃，仍由目前的7,000片提升至年底1萬片水平，但預計這樣的產(chǎn)能水平仍無法滿足客戶需求
- 關(guān)鍵字： 華邦 NOR Flash
基于M25P32 SPI Flash的TFFS設計與實現(xiàn)
- 本文對VxWorks下TFFS文件系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)和FTL層的啟動過程、塊映射算法、垃圾回收算法以及用FTL創(chuàng)建DOSFS進行了分析，給出了在M25P32 SPI Flash上創(chuàng)建TFFS文件系統(tǒng)和將TFFS掛在DOSFS的實現(xiàn)方法。通過對TFFS核心層FIL的分析給出的TFFS實現(xiàn)方法，可以從更基礎的層面來認識VxWorks中的TFFS文件系統(tǒng)，從而給TFFS文件系統(tǒng)的問題定位和實現(xiàn)帶來新的方法。
- 關(guān)鍵字： M25P32 Flash TFFS SPI
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]
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