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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
存儲(chǔ)器市場(chǎng)高漲 20大IC供應(yīng)商重排座次
- 按IC Insight報(bào)告，在DRAM 及NAND市場(chǎng)高漲下，導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。 IC Insight的McLean的5月最新報(bào)告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲(chǔ)器廠，它們的排名至少前進(jìn)了一位，其中 Elpida前進(jìn)了6位，列于第10。 同時(shí)列于第2的三星電子，估計(jì)2010年它的銷(xiāo)售額離300億美元僅一步之遙，IC銷(xiāo)售額增長(zhǎng)達(dá)50%以上。 三星在本月初時(shí)，它將擴(kuò)大今年半導(dǎo)體的投資達(dá)96億美元， 也即表示
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND 半導(dǎo)體制造
Flash文件系統(tǒng)剖析
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： 文件系統(tǒng) Flash JFFS2 平均讀寫(xiě)
金士頓創(chuàng)辦人稱(chēng)：看好DRAM下半年銷(xiāo)售
- 6月3日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，全球DRAM模組龍頭美國(guó)金士頓創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)昨天在臺(tái)表示，DRAM廠的制程轉(zhuǎn)換技術(shù)門(mén)檻不低，再加上智能手機(jī)等新的應(yīng)用產(chǎn)品，帶動(dòng)DRAM需求，他認(rèn)為下半年的DRAM市況應(yīng)該會(huì)好。 孫大衛(wèi)表示，DRAM制造廠越來(lái)越少，各大廠多進(jìn)入制程轉(zhuǎn)換的階段，總產(chǎn)出量恐比實(shí)際預(yù)期要低。而在智能手機(jī)、3D電視等多元化的新應(yīng)用產(chǎn)品紛紛出線下，下半年的DRAM供需不僅趨于平衡，甚至可能出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。 南韓三星電子大舉提高資本支出的計(jì)劃，讓臺(tái)系廠商非常緊張。孫大衛(wèi)則認(rèn)為，目前全球的
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND 智能手機(jī)
NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
- NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì),閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類(lèi)型，其中NAND型是專(zhuān)為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類(lèi)型的閃存芯片。一個(gè)NAND類(lèi)型的閃存芯片的存儲(chǔ)空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個(gè)塊又劃分為固定大小的頁(yè)，塊是擦
- 關(guān)鍵字： 閃存 設(shè)計(jì) 映射 適應(yīng) NAND
存儲(chǔ)器市場(chǎng)高漲 引發(fā)全球前20大IC供應(yīng)商排名大變
- 按IC Insight報(bào)告，在DRAM 及NAND市場(chǎng)高漲下，導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。 IC Insight的McLean的5月最新報(bào)告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲(chǔ)器廠，它們的排名至少前進(jìn)了一位，其中 Elpida前進(jìn)了6位，列于第10。 同時(shí)列于第2的三星電子，估計(jì)2010年它的銷(xiāo)售額離300億美元僅一步之遙，IC銷(xiāo)售額增長(zhǎng)達(dá)50%以上。 三星在本月初時(shí)，它將擴(kuò)大今年半導(dǎo)體的投資達(dá)96億美元， 也即表示
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南北韓戰(zhàn)事升溫 三星命懸一線
- 才剛對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics)，再度因南北韓政治對(duì)立情勢(shì)升溫，戰(zhàn)事恐一觸即發(fā)，而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點(diǎn)。業(yè)界聚焦重點(diǎn)放在DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)，三星在此兩大產(chǎn)業(yè)中，DRAM市占率分別超過(guò)30%，NAND Flash市占率逼近40%，未來(lái)南北韓關(guān)系若持續(xù)緊繃，甚至有戰(zhàn)事發(fā)生，將使得全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)和消費(fèi)性電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈造成巨大變化。 全球DRAM和NAND Flash生產(chǎn)大廠：三星 根據(jù)DIGITIMES
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三星的行動(dòng)讓業(yè)界生畏
- 三星在DRAM及NAND中稱(chēng)霸，年產(chǎn)值達(dá)200億美元。然而近期的幾件事讓人聯(lián)想泛泛，三星擬再奪全球代工的寶座。 南韓半導(dǎo)體大廠三星電子(Samsung Electronics)日前提高資本支出，其中在系統(tǒng)LSI(System LSI)部門(mén)，資本支出亦增加逾50%，達(dá)2兆韓元(約18億美元)，以滿足手機(jī)等系統(tǒng)單芯片(SoC)需求，顯示三星有意加強(qiáng)晶圓代工業(yè)務(wù)。業(yè)界對(duì)此解讀，三星主要系著眼于最大客戶高通(Qualcomm)手機(jī)芯片訂單，未來(lái)是否會(huì)擴(kuò)大分食高通在臺(tái)積電訂單，高通訂單版圖移轉(zhuǎn)變化有待觀察
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM NAND
迎戰(zhàn)三星 臺(tái)塑集團(tuán)準(zhǔn)備好了
- 南韓三星電子大張旗鼓擴(kuò)充DRAM產(chǎn)能，引發(fā)各方關(guān)注。臺(tái)塑集團(tuán)總裁王文淵日前于內(nèi)部會(huì)議表示，原先預(yù)期三星明年下半年啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)，其進(jìn)度比預(yù)期快得多，惟集團(tuán)與美光合作的30納米制程已完成開(kāi)發(fā)，今年將切入50、42納米制程，技術(shù)超越臺(tái)系廠商;對(duì)照先前65納米，生產(chǎn)成本優(yōu)勢(shì)將提升約40%至50%，臺(tái)塑集團(tuán)已積極審慎應(yīng)戰(zhàn)。 三星大張旗鼓擴(kuò)充DRAM、NAND產(chǎn)能，由于比原先預(yù)期將在明年下半年啟動(dòng)快的多，也使臺(tái)灣廠商將被迫提前面臨新產(chǎn)業(yè)淘汰賽，但也突顯三星對(duì)DRAM后續(xù)產(chǎn)業(yè)前景，有偏多的立場(chǎng)。 南亞科董事
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM NAND 50納米
NAND閃存銷(xiāo)售Q1微增 三星東芝主宰市場(chǎng)
- 據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli發(fā)表的按美元統(tǒng)計(jì)的第一季度全球NAND閃存市場(chǎng)的銷(xiāo)售收入數(shù)字顯示，三星和東芝主宰了NAND閃存市場(chǎng)，僅給其它所有的公司留下了較少的市場(chǎng)份額。三星今年第一季度的市場(chǎng)份額是38.5%，緊隨其后的東芝的市場(chǎng)份額是33.8%。其它每一個(gè)廠商爭(zhēng)奪的市場(chǎng)份額只有27.7%。 按美元統(tǒng)計(jì)，今年第一季度全球NAND閃存市場(chǎng)的銷(xiāo)售收入是43.6億美元，比 2009年第四季度的43.3億美元增長(zhǎng)了0.6%。因此，你可以計(jì)算出供應(yīng)商的實(shí)際銷(xiāo)售收入。iSuppli稱(chēng)，這是一個(gè)好消息，因?yàn)闅v史
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Intel鎂光宣布開(kāi)始量產(chǎn)銷(xiāo)售25nm制程N(yùn)AND閃存芯片
- 繼今年二月份宣布成功試制出25nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品之后，Intel與鎂光的合資公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布開(kāi)始正式對(duì)外銷(xiāo)售量產(chǎn)的25nm制程N(yùn)AND閃存芯片，這種新制程的芯片產(chǎn)品容量將比34nm制程產(chǎn)品提升一倍。 這次采用25nm制程技術(shù)制作的NAND閃存芯片產(chǎn)品主要是8GB容量的芯片產(chǎn)品，這種8GB芯片的面積僅為167平方毫米，其容量可容納2000首歌曲，7000張照片或8小時(shí)時(shí)長(zhǎng)的視頻片段。 目前還不清楚首款配置這
- 關(guān)鍵字： Intel 25nm NAND
今年 Q1 NAND閃存市調(diào)報(bào)告出爐 三星東芝占據(jù)大半江山
- 據(jù)iSuppli市調(diào)公司2010年第一季度的NAND閃存市場(chǎng)調(diào)查報(bào)告顯示，三星與東芝公司兩家占據(jù)了NAND閃存市場(chǎng)的絕大部分份額，其中三星的營(yíng)收 份額最高，達(dá)到了38.5%，東芝則位居第二為33.8%，兩者合在一起占據(jù)了72.3%的NAND閃存市場(chǎng)營(yíng)收份額。按美元計(jì)算，今年第一季度NAND 閃存的市場(chǎng)總值達(dá)到43.6億美元，比去年第四季度NAND閃存市場(chǎng)總值43.3億美元提升了0.6%。由于季節(jié)性因素的影響，每年的第一季度閃存市場(chǎng)一 般都會(huì)比上一年最后一季度有所萎縮，而今年則反其道而行，iSuppli
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三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關(guān)
- 2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計(jì)，三星的市占率高達(dá)39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長(zhǎng)率較上季增加15%，但平均單價(jià)(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長(zhǎng)11.6%。 NAND Flash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈，但2010年表現(xiàn)空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)
- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購(gòu)NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco Partners)。 完成收購(gòu)恒憶后美光成為同時(shí)擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營(yíng)收約5.50億美元，自由現(xiàn)金流量達(dá)4,200萬(wàn)美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM NAND NOR
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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