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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
消息稱(chēng)張汝京或?qū)⒐芾碇行境啥技拔錆h芯片廠
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，近期市場(chǎng)傳出中芯國(guó)際將切割代管的成都廠及武漢廠等兩地晶圓廠，而兩座廠將可能由中芯前總裁張汝京出面統(tǒng)籌管理，張汝京等于找到了新舞臺(tái)。 臺(tái)灣媒體引述“內(nèi)部人士”的話報(bào)道稱(chēng)，成都及武漢兩地政府日前希望與中芯國(guó)際CEO王寧國(guó)見(jiàn)面，但王寧國(guó)未有正面回應(yīng)，目前中芯切割兩晶圓廠政策已是箭在弦上，成都市政府上周密會(huì)中芯前總裁張汝京，兩地政府希望未來(lái)成都廠及武漢廠由張汝京出面統(tǒng)籌管理。 據(jù)報(bào)道，中芯在張汝京時(shí)代，曾與成都、武漢等兩地方政府達(dá)成協(xié)議，成都市政府出資成立成
- 關(guān)鍵字： 中芯國(guó)際 晶圓 NOR NAND
東芝第三季度NAND閃存營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)近50%
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，市場(chǎng)研究公司iSuppli最新研究數(shù)據(jù)顯示，第三季度全球NAND閃存市場(chǎng)業(yè)績(jī)強(qiáng)勁，東芝表現(xiàn)最為搶眼，營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)近50%。 全球NAND閃存市場(chǎng)第三季度的營(yíng)收較第二季度的31億美元，增長(zhǎng)了25.5%，達(dá)39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強(qiáng)于市場(chǎng)，其N(xiāo)AND閃存營(yíng)收較第二季度的9.24億美元增長(zhǎng)了47.5%，達(dá)14億美元。東芝在全球NAND閃存市場(chǎng)上位居第二，僅次于三星電子。 iSuppli資深分析師Michael Yang說(shuō)：“東芝在第三季度充分利用了有利的NAN
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND 閃存
東芝發(fā)布業(yè)內(nèi)最大容量嵌入式NAND閃存模組
- 東芝公司本周一發(fā)布了據(jù)稱(chēng)為業(yè)內(nèi)最大容量的64GB嵌入式NAND閃存模組。這種模組內(nèi)建專(zhuān)用的控制器，并內(nèi)含16個(gè)采用32nm制程技術(shù)制作的32Gbit存儲(chǔ)密度的閃存芯片，這種閃存芯片的厚度則僅有30微米。 這款內(nèi)存模組產(chǎn)品裝備在便攜設(shè)備如iPod/智能手機(jī)等之上后，手機(jī)的存儲(chǔ)容量將實(shí)現(xiàn)倍增。比如采用單閃存模組設(shè)計(jì)的iPhone的容量可由原來(lái)的32GB提升到64GB,而采用雙閃存模組設(shè)計(jì)的iPod touch的最大容量則可達(dá)到128GB。 東芝本月將開(kāi)始對(duì)外提供這種64GB嵌入式閃存模組的
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臺(tái)美日DRAM廠連手 抗韓策略發(fā)酵
- 兩大韓系內(nèi)存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調(diào)高2010年資本支出，繼三星預(yù)計(jì)投入30億美元擴(kuò)產(chǎn)及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺(tái)系DRAM廠合作，盡管過(guò)去喊出的臺(tái)美日廠連手抗韓策略，在DRAM整合戲碼停擺后沒(méi)再被提起，但DRAM廠指出，實(shí)際上全球4大DRAM陣營(yíng)板塊運(yùn)動(dòng)，仍按照臺(tái)美日廠連手抗韓局勢(shì)發(fā)展。 隨著三星和海力士都擴(kuò)增2010年資本支出，隱約釋出對(duì)
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張忠謀：臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)將面臨三大挑戰(zhàn)
- 臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀日前表示，臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢(shì)引起的新臺(tái)幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價(jià)格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負(fù)成本。 張忠謀只提到美元弱勢(shì)，并沒(méi)有說(shuō)新臺(tái)幣有升值壓力，張忠謀認(rèn)為，全球經(jīng)濟(jì)都在復(fù)蘇中，復(fù)蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復(fù)蘇，但張忠謀認(rèn)為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴(yán)峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴(yán)峻因?yàn)槭沁^(guò)去兩年、甚至十年沒(méi)遇見(jiàn)過(guò)。 第一個(gè)挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說(shuō)，臺(tái)灣過(guò)去20年沒(méi)有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來(lái)愈弱，這會(huì)是一個(gè)趨勢(shì)，相對(duì)地新臺(tái)幣波
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 芯片代工 DRAM NAND
12月上旬合約價(jià)DRAM持平 Flash下跌
- 12月上旬的存儲(chǔ)器合約價(jià)格中，DRAM合約價(jià)意外持平開(kāi)出，南亞科副總經(jīng)理白培霖表示，主要是個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價(jià)格則反應(yīng)市場(chǎng)需求不佳，16Gb芯片價(jià)格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合約價(jià)格貼近現(xiàn)貨價(jià)格水平，下游存儲(chǔ)器業(yè)者都盡量減少庫(kù)存水位，以免營(yíng)運(yùn)被跌價(jià)的NAND Flash芯片庫(kù)存燙傷。 近期DRAM現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)反彈，1Gb容量DDR2價(jià)格從2美元反彈至2.5美元，屬于觸底反彈，然整個(gè)市場(chǎng)的交易量是相當(dāng)有限，反倒是原本各界預(yù)期12月上旬
- 關(guān)鍵字： 南亞科 NAND DRAM
張忠謀：臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)
- 12月9日消息，臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀昨日表示，臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢(shì)引起的新臺(tái)幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價(jià)格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負(fù)成本。 張忠謀只提到美元弱勢(shì)，并沒(méi)有說(shuō)新臺(tái)幣有升值壓力，張忠謀認(rèn)為，全球經(jīng)濟(jì)都在復(fù)蘇中，復(fù)蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復(fù)蘇，但張忠謀認(rèn)為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴(yán)峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴(yán)峻因?yàn)槭沁^(guò)去兩年、甚至十年沒(méi)遇見(jiàn)過(guò)。 第一個(gè)挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說(shuō)，臺(tái)灣過(guò)去20年沒(méi)有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來(lái)愈弱，這會(huì)是一個(gè)趨勢(shì)
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三星每年提高一倍代工芯片產(chǎn)能 目標(biāo)直指臺(tái)積電
- 據(jù)報(bào)道，為了更加快速的追趕臺(tái)積電，三星計(jì)劃將以后每年的代工芯片產(chǎn)能提高一倍直至達(dá)到臺(tái)積電的規(guī)模。 根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計(jì)，去年全球芯片代工市場(chǎng)的產(chǎn)值為190億美元，而臺(tái)積電獨(dú)自占據(jù)了其中的100億美元。 三星是全球第二大芯片制造商，在DRAM內(nèi)存和NAND閃存市場(chǎng)處于領(lǐng)先地位，但是他們?cè)诖な袌?chǎng)的收入?yún)s只有可憐的幾億美元。三星發(fā)言人近日表示，三星已經(jīng)決定擴(kuò)大其代工產(chǎn)能，目標(biāo)直指臺(tái)積電。 三星目前在韓國(guó)器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠，專(zhuān)門(mén)用于代工業(yè)務(wù)。三星一直強(qiáng)調(diào)
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三星開(kāi)始量產(chǎn)兩種新型30nm制程N(yùn)AND閃存芯片
- 三星近日宣布將開(kāi)始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類(lèi)似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱(chēng)，這種產(chǎn)品的讀取帶寬 是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達(dá)133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達(dá)到40Mbps的水平。 即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機(jī)，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤(pán)等設(shè)備。 另外一款
- 關(guān)鍵字： 三星 30nm NAND
三星擬明年投資60億美元擴(kuò)大芯片業(yè)務(wù)
- 北京時(shí)間12月2日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，《韓國(guó)先驅(qū)報(bào)》援引匿名消息人士的話報(bào)道稱(chēng)，三星2010年計(jì)劃投資約7萬(wàn)億韓元(約合60億美元)擴(kuò)大芯片業(yè)務(wù)。 消息稱(chēng)，其中約5萬(wàn)億韓元(約合43億美元)將用于擴(kuò)大DRAM芯片業(yè)務(wù)，2萬(wàn)億(約合17億美元)韓元將用于擴(kuò)大NAND閃存和邏輯芯片業(yè)務(wù)。 三星2010年芯片投資將比2009年的4萬(wàn)億韓元(約合34億美元)高75%。10月份發(fā)布第三季度財(cái)報(bào)時(shí)，三星曾表示明年芯片投資將超過(guò)5.5萬(wàn)億韓元(約合47億美元)。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 邏輯芯片 DRAM
某閃存廠商指控蘋(píng)果在閃存市場(chǎng)上“欺行霸市”
- 近日，有某匿名廠商指控蘋(píng)果在NAND閃存市場(chǎng)上“欺行霸市”，威逼閃存廠商。該廠商指蘋(píng)果經(jīng)常向韓系三星，海力士等廠商超額訂貨?！俄n國(guó)時(shí)報(bào)》還報(bào)道稱(chēng)蘋(píng)果經(jīng)常采取等待閃存由于供過(guò)于求而出現(xiàn)價(jià)格下降時(shí)，才采購(gòu)少量閃存的采購(gòu)策略，這很容易導(dǎo)致閃存廠商的庫(kù)存再次出現(xiàn)積壓現(xiàn)象。 由于海力士與三星兩家廠商的閃存業(yè)務(wù)對(duì)蘋(píng)果依賴(lài)甚大，因此他們對(duì)蘋(píng)果的這種策略可謂敢怒不敢言，只好被迫接受蘋(píng)果將簽訂的長(zhǎng)期訂貨協(xié)約價(jià)下調(diào)4%。這家未具名廠商的高管指這種行為“極為不合理”。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)兩種30nm制程N(yùn)AND閃存芯片
- 三星近日宣布將開(kāi)始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類(lèi)似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱(chēng)，這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達(dá)133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達(dá)到40Mbps的水平。 即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機(jī)，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤(pán)等設(shè)備。 另外一款三
- 關(guān)鍵字： 三星 30nm NAND
NAND記憶卡需求轉(zhuǎn)強(qiáng) 封測(cè)產(chǎn)能缺到明年初
- 據(jù)悉，包括三星、LG、諾基亞等手機(jī)大廠第四季將上市銷(xiāo)售的手機(jī)，已將MicroSD等NAND記憶卡列為標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)建配備，加上消費(fèi)者擴(kuò)充手機(jī)記憶卡的需求也明顯轉(zhuǎn)強(qiáng)，帶動(dòng)第四季記憶卡銷(xiāo)售量大增。力成董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，MicroSD記憶卡封測(cè)產(chǎn)能吃緊現(xiàn)象將延續(xù)到明年1、2月。 NAND晶片大廠三星下半年開(kāi)始跨足記憶卡市場(chǎng)，并與創(chuàng)見(jiàn)合作銷(xiāo)售，新帝(SanDisk)也傳出介入貼牌白卡市場(chǎng)，只是手機(jī)用小型記憶卡需采用較先進(jìn)的基板打線封裝(COB)制程，但兩家大廠自有封測(cè)廠產(chǎn)能已多年未曾擴(kuò)充，因此8、9月后已大量將
- 關(guān)鍵字： SanDisk NAND 封測(cè)
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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