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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
內(nèi)存廠商:SSD將在2011年成為主流
- 臺(tái)灣DigiTimes報(bào)道，數(shù)家內(nèi)存廠商最近聚集在臺(tái)北探索建立對(duì)大陸和臺(tái)灣的固態(tài)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)共同標(biāo)準(zhǔn)，與會(huì)者們預(yù)計(jì)隨著制程逐漸過渡到20nm，NAND閃存價(jià)格將出現(xiàn)大幅下跌，最終實(shí)現(xiàn)一個(gè)可負(fù)擔(dān)的水平，不過這一時(shí)間點(diǎn)被認(rèn)為是2011年以后。 此外，來自大陸的工業(yè)代表敦促盡快發(fā)展和規(guī)范SSD的規(guī)格，以解決來自國(guó)際供應(yīng)商控制的核心技術(shù)。 去年Fusion-io公司首席科學(xué)家Steven Wozniak曾表示，他并不認(rèn)為SSD硬盤會(huì)很快就能替換普通硬盤。不過由于SSD硬盤功耗更低，同時(shí)性能更高，也不需
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蘋果NAND Flash減單 三星、新帝策略轉(zhuǎn)向
- 由于傳出大客戶蘋果(Apple)開始減少下單，加上原本三星電子(Samsung Electronics)供應(yīng)NAND Flash數(shù)量相當(dāng)有限，12月供應(yīng)量控制亦開始松動(dòng)，以及白牌記憶卡在市面上流通數(shù)量增加，使得淡季需求明顯反映在現(xiàn)貨及合約價(jià)上，近2個(gè)月NAND Flash價(jià)格從高檔連續(xù)緩跌，累計(jì)回檔幅度相當(dāng)深。不過，多數(shù)存儲(chǔ)器業(yè)者認(rèn)為，由于價(jià)格跌幅已大，預(yù)計(jì)后續(xù)再大跌機(jī)率不大，25日NAND Flash 11月下旬合約價(jià)開出，便呈現(xiàn)持平到小跌局面。 存儲(chǔ)器業(yè)者表示，蘋果對(duì)于NAND Flash供
- 關(guān)鍵字： 蘋果 NAND SSD
NAND成本優(yōu)勢(shì)明顯，NOR成明日黃花
- 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布“2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告”指出，NOR閃存在512Mb是個(gè)門檻。高于350Mb，NOR閃存的成本飛速增加。同時(shí)，NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一，應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大，成本優(yōu)勢(shì)越明顯，應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛，應(yīng)用廠家也多。手機(jī)市場(chǎng)變化迅速，現(xiàn)在每一款手機(jī)的生命周期通常都小于5年，NOR最強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)“長(zhǎng)壽”也不復(fù)存在。盡管NOR閃存的成本在進(jìn)入65納米后也大幅度下降，但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion。而NAND
- 關(guān)鍵字： 手機(jī) NAND NOR
恒憶躍居世界最大NOR閃存供應(yīng)商
- 盡管IC產(chǎn)業(yè)在步入2009年的時(shí)候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)終于看到了復(fù)蘇的曙光。面對(duì)市場(chǎng)可預(yù)期的需求增長(zhǎng)，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應(yīng)市場(chǎng)需求，擴(kuò)充產(chǎn)能。一是通過從高節(jié)點(diǎn)技術(shù)向低節(jié)點(diǎn)技術(shù)的制程升級(jí)，進(jìn)一步擴(kuò)大位級(jí)產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢(shì)，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。 展望2010年的市場(chǎng)前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球存儲(chǔ)器解
- 關(guān)鍵字： Numonyx NAND NOR閃存 PCM
恒憶樂觀展望2010年發(fā)展前景
- 盡管 IC 產(chǎn)業(yè)在步入 2009 年的時(shí)候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)終于看到了復(fù)蘇的曙光。面對(duì)市場(chǎng)可預(yù)期的需求增長(zhǎng)，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應(yīng)市場(chǎng)需求，擴(kuò)充產(chǎn)能。一是通過從高節(jié)點(diǎn)技術(shù)向低節(jié)點(diǎn)技術(shù)的制程升級(jí)，進(jìn)一步擴(kuò)大位級(jí)產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢(shì)，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。 展望2010年的市場(chǎng)前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球
- 關(guān)鍵字： Numonyx NAND NOR閃存
手機(jī)內(nèi)存：NAND優(yōu)勢(shì)愈加明顯，NOR風(fēng)光不再
- 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布"2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告"指出,NOR閃存在512Mb是個(gè)門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時(shí),NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢(shì)越明顯,應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,應(yīng)用廠家也多.手機(jī)市場(chǎng)變化迅速,現(xiàn)在每一款手機(jī)的生命周期通常都小于5年,NOR最強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)"長(zhǎng)壽"也不復(fù)存在.盡管NOR閃存的成本在進(jìn)入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion.而NAND領(lǐng)域,三
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND NOR RAM
IEEE：NAND閃存技術(shù)將在十年之內(nèi)遭遇技術(shù)極限
- 《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，看它們到2020年的時(shí)候能否在單位容量成本上超越機(jī)械硬盤，結(jié)果選出了兩個(gè)最有希望的候選 者：相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)(PCRAM)、自旋極化隨機(jī)存取存儲(chǔ)(STTRAM)。 PCRAM我們偶爾會(huì)有所耳聞。它基于硫系玻璃的結(jié)晶態(tài)和非結(jié)晶態(tài)相變屬性，單元尺寸較小，而且每個(gè)單元內(nèi)能保存多個(gè)比特，因此存儲(chǔ)密度和成本
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 相變存儲(chǔ)
TIMC與DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)劃
- 2008年DRAM產(chǎn)業(yè)跌落谷底，臺(tái)灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺(tái)幣1億元，且龐大的負(fù)債成為臺(tái)灣科技產(chǎn)業(yè)的巨大問題，因此經(jīng)濟(jì)部為挽救臺(tái)灣內(nèi)存演產(chǎn)業(yè)，宣布要進(jìn)行產(chǎn)業(yè)再造，成立臺(tái)灣內(nèi)存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因?yàn)榇嗣忠驯黄渌咀?cè)，因此改名為Taiwan Innovation Memory Company，簡(jiǎn)稱為TIMC。 TIMC正式于2009年7月31日登記成立，董事長(zhǎng)為聯(lián)電榮譽(yù)副董事長(zhǎng)宣明智，帶領(lǐng)臺(tái)灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)再造的任務(wù)，目的在于協(xié)助臺(tái)灣DRAM產(chǎn)
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美光推出NAND與低功率DRAM多芯片封裝產(chǎn)品
- 美光科技股份有限公司日前宣布，該公司將業(yè)界一流的34納米4Gb單層單元NAND閃存與50納米2Gb LPDDR相結(jié)合，生產(chǎn)出了市場(chǎng)上最先進(jìn)的NAND-LPDDR多芯片封裝組合產(chǎn)品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝產(chǎn)品以智能手機(jī)、個(gè)人媒體播放器和新興的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備為應(yīng)用目標(biāo)。較小的外形尺寸、低成本和節(jié)能是這類應(yīng)用的核心特色。 美光公司目前向客戶推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝試用產(chǎn)品，預(yù)計(jì)于2010年初投入量產(chǎn)。4Gb NAND-2Gb LPDDR組合
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND 34納米 智能手機(jī)
三星：2010存儲(chǔ)芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況
- 10月28日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的記憶體芯片制造商韓國(guó)三星電子周三表示，該公司目標(biāo)要在三年內(nèi)將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收提高逾50%，并對(duì)2010年記憶體市場(chǎng)發(fā)表樂觀的看法。 三星電子將在周五公布第三季財(cái)報(bào)。該公司估計(jì)，今年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收為166億美元，并稱目標(biāo)要在2012年達(dá)到255億美元營(yíng)收。 三星指出，明年動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)和NAND快閃記憶體(閃存)芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況。 韓國(guó)三星半導(dǎo)體事業(yè)群總裁勸五鉉在一項(xiàng)高層主管會(huì)議上發(fā)表上述預(yù)估，公司發(fā)言人士也確認(rèn)了這項(xiàng)消
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MIPS 科技向Tamarin開源項(xiàng)目提交代碼
- 為數(shù)字消費(fèi)、家庭網(wǎng)絡(luò)、無線、通信和商業(yè)應(yīng)用提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)處理器架構(gòu)與內(nèi)核的領(lǐng)導(dǎo)廠商 MIPS 科技公司今天宣布，發(fā)布了一個(gè)針對(duì) MIPSTM 優(yōu)化的ActionScript® 虛擬機(jī)(VM)版本，可用在 Adobe® Flash® Player等引人注目的網(wǎng)絡(luò)連接技術(shù)。ActionScript VM可通過Tamarin開源項(xiàng)目獲得，是運(yùn)行在MIPS架構(gòu)上的優(yōu)化的Adobe Flash Player的關(guān)鍵組件。MIPS的優(yōu)化加速ActionScript 3的驗(yàn)證套件(validat
- 關(guān)鍵字： MIPS Flash ActionScript
Intel宣布一項(xiàng)技術(shù)突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米
- 英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項(xiàng)新技術(shù).這兩家公司稱,這種新技術(shù)將使非易失性存儲(chǔ)器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲(chǔ)屬性縮小到一個(gè)內(nèi)存類. This image shows phase-change memory bu
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內(nèi)存市場(chǎng)價(jià)量普漲，存儲(chǔ)廠商轉(zhuǎn)虧為盈
- 最近幾個(gè)月來，DRAM價(jià)格連連上漲，同時(shí)也拉升了NAND Flash顆粒的價(jià)格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時(shí)期已經(jīng)有較大起色，但是這內(nèi)存的價(jià)格上漲也波及到了電子賣場(chǎng)中的零售價(jià)格。那么究竟現(xiàn)在的內(nèi)存產(chǎn)品是怎樣的一個(gè)局面呢，下面小編就給大家來個(gè)深度分析，給你講講這里面的道道。 9月DRAM價(jià)格猛增13% Flash亦漲4% 9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報(bào)價(jià)約為 1.70 美元，較上個(gè)月多出了近 13%。D
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM 內(nèi)存 存儲(chǔ)
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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