美國內存大廠SanDisk近日公布第3季財報，意外由虧損轉為強勁獲利，主要由于銷售額優(yōu)于預期，以及先前減記的庫存收入回補加持。這也反映了內存制造商持續(xù)受惠于閃存芯片市場好轉趨勢。
據國外媒體報道，SanDisk第3季由去年同期的虧損1.659億美元或每股74美分，改善為獲利2.313億美元或每股99美分。去除特殊項目后，每股獲利則為76美分，優(yōu)于分析師預期的每股26美分。
該季營收增長14%至9.352億美元，遠優(yōu)于公司今年7月份預估的介于7.25-7.75億美元，以及分析師預期的7.87
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SanDisk NAND 閃存芯片
“經濟部”「DRAM產業(yè)再造計畫」20日最后截止日期，卻出現戲劇性變化!臺塑集團旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺灣存儲器產業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產NAND Flash，且100%為自有技術，比任何同業(yè)都符合“經濟部”所要求技術扎根條件，未來力晶
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力晶 DRAM 存儲器 NAND
鎂光34nm制程企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存芯片已經進入試樣階段，MLC部分的存儲密度可達32Gb，寫入壽命達3萬次，是普通MLC產品的6倍;SLC部分存儲密度為16Gb，寫入壽命同樣為3萬次，是普通SLC產品的3倍.
鎂光這次開發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規(guī)范(Open NAND Flash Interface)，數據傳輸率最高可達200MB/S，而且可以采用閃存封裝內部集成多片閃存芯片的封裝方案。
鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產。
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鎂光 NAND 閃存芯片 34nm
研究機構集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價上漲約8%~10%，主要原因是多數供貨商已接獲部份電子系統(tǒng)廠客戶10月到11月的旺季長單，同時近期記憶卡客戶的旺季備貨需求，因此NAND Flash市場供貨吃緊，在賣方主導市場下，10月上旬NAND Flash合約價持續(xù)地上揚。
16Gb MLC NAND Flash合約價走勢圖
集邦科技指出，在10月到11月，多數NANDFlash供貨商份仍將優(yōu)先供貨給電子系
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NAND 存儲 閃存
在Adobe舉辦的全球開發(fā)商大會Adobe MAX上，Adobe系統(tǒng)公司和先進無線技術、產品和服務的領先開發(fā)及創(chuàng)新廠商高通公司今天宣布，作為Open Screen項目的一部分，雙方正聯手優(yōu)化并顯著提高Adobe® Flash® Player 10.1在高通公司面向智能手機和智能本的芯片組上的運行性能。首批支持Flash Player 10.1的消費類終端將包括東芝等公司推出的智能手機和智能本，并基于高通公司的Snapdragon™芯片組。Flash Player的beta測
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高通 Flash 智能手機 智能本
2009年NAND Flash缺貨缺翻天，三星電子(Samsung Electronics)在享有最大獲利之余，不但對飽受缺貨之苦的存儲器模塊廠袖手旁觀，還要推出「SAMSUNG」自有品牌記憶卡產品來搶食客戶飯碗，到底葫蘆里是賣什么藥?業(yè)界相當好奇!而原本應該站在反對立場的大客戶創(chuàng)見，這次卻成為三星自有品牌記憶卡的代理商，究竟整起故事的來龍去脈為何?連同業(yè)都有霧里看花之感，只能說三星2009年真的是新人事、新作風，每一步都讓業(yè)界跌破眼鏡!
與三星做生意的客戶都知道，2009年不論在DRAM或是N
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三星 NAND Flash
NAND Flash產業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機內嵌存儲器的帶動，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價大漲至7.5美元，存儲器模塊廠9月營收在NAND Flash和DRAM芯片價格雙雙大漲的帶動下，預計可再次創(chuàng)下新高，同時第3季獲利也將雨露均沾;群聯9月營收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見也受惠歐洲市場買氣回籠，9月預計可達新臺幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月營收預估可達35億~40億元，勁永9月營收也將維持高檔不墜。
NAND Flash現貨
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Apple NAND 智能手機
三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經營團隊上任，營運策略出現不少重大轉變，將影響存儲器產業(yè)生態(tài)，三星日前決定全面停止對臺銷售DRAM芯片，一律只銷售DRAM模塊。存儲器廠表示，三星策略明顯側重OEM市場，減少與現貨客戶合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費性電子大廠為優(yōu)先，尤其近期PC廠對于DRAM模塊需求強勁，三星供應臺灣DRAM模塊數量大減，市場日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價。
存儲器業(yè)者指出，三星2009年在全球供貨策略出現許多
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Samsung DRAM NAND
NAND Flash產業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機內嵌存儲器的帶動，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價大漲至7.5美元，存儲器模塊廠9月營收在NAND Flash和DRAM芯片價格雙雙大漲的帶動下，預計可再次創(chuàng)下新高，同時第3季獲利也將雨露均沾;群聯9月營收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見也受惠歐洲市場買氣回籠，9月預計可達新臺幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月營收預估可達35億~40億元，勁永9月營收也將維持高檔不墜。
NAND Flash現貨
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Apple NAND 智能手機
據iSuppli 公司，雖然2009 年面向筆記本電腦的固態(tài)硬盤(SSD)銷售因為內存價格飛漲而受挫，但企業(yè)市場對彌補上述領域的疲軟表現是綽綽有余，從而推動今年整體SSD 市場的營業(yè)收入將增長六倍。
第二季度NAND 閃存的成本大幅上升，引起SSD 價格跳漲，使其與硬盤驅動器(HDD)相比缺乏競爭力，并影響其在筆記本電腦中的普及。 NAND 閃存是SSD 中的關鍵部分，約占其價值的90%。然而，對于尋求擴展功能和降低整體功耗的企業(yè)數據中心來說，SSD 仍然是一個具有吸引力的選擇。
由于企業(yè)
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NAND SSD PC
分析師指出，資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場供應收緊，價格可能隨之上漲，但可能會發(fā)生其他不可預料的結果。
IC Insights總裁Bill McClean稱，今年半導體資本支出在銷售額中所占的比例降至12%，創(chuàng)歷史新低。芯片商在經歷了嚴重衰退后，對資本投入依然比較謹慎。
“我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說道，“我們從來沒有遇到過這種情況。”
資本支出比例在2008年為16%，2004年至2007年均在20%至
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NAND DRAM
據業(yè)者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計劃要在明年下半年開始采用20nm級別制程來量產NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產能，直至達到20萬片的產能水平。
東芝公司最近已經開始32nm制程3bpc(每存儲單元3bit數據)閃存芯片的量產，按原先的計劃，合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產量應在今年底前達到總產量的50%左右，不過按目前的產能規(guī)劃來看，實際的量產實施時間看來已經會有所拖延。
另一方面，對手In
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SanDisk 20nm NAND 閃存芯片
蘋果意外在9月初向NAND Flash大廠下訂單，導致NAND Flash供給大幅吃緊，預計在2009年11月底之前，缺貨情況仍無解?，F在三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)產能都被蘋果包下來，另外存儲器模塊龍頭大廠金士頓(Kingston)則是包下英特爾70%的NAND Flash產能，雙方成為長期合作伙伴，顯示未來全球4大NAND Flash廠能釋出的產能相當少，缺貨潮將延燒到11月。
存儲器業(yè)者表示，這次NAND Flash缺貨潮相
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英特爾 NAND 存儲器
2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際，各廠紛紛壓寶氣勢如虹的DDR3氣勢，DDR2飽受冷板凳之苦許久，然現在風水輪流轉，DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故，市場意外出現缺貨聲浪，DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢，導致現在DDR2庫存過低，南亞科副總白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺貨問題將更明顯浮上臺面，且由合約價蔓延至現貨價，屆時1Gb DDR2現貨價格將看到2美元。
近期市場傳言，三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價格壓在1.7美
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Samsung DRAM NAND
手機搭載記憶體分為2種形式，第1是外接快閃記憶卡，第2是內建NAND Flash記憶體。隨著消費者對于利用手機下載多媒體影音、照片、游戲等需求日益提升，對于記憶體容量的需求更是越來越高。
過去只流行數位相片的時代，NAND Flash容量可能只要1GB或2GB即相當夠用，但數位影片的風氣盛行后，這樣的低容量產品已無法滿足消費者的需求，因此除了外接快閃記憶卡之外，內建NAND Flash記憶體的風潮已開始發(fā)酵，從最早內建4GB和8GB容量記憶體，現在內建記憶體容量已提升至16GB和32GB。
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Samung NAND 智能手機
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數 [
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