nand-flash 文章 進入nand-flash技術(shù)社區(qū)
使用NAND門的基本邏輯門
- 邏輯門主要有三種類型,即 AND 門、OR 門和 NOT 門。每種邏輯門都有自己不同的邏輯功能。因此,在這些基本邏輯門的幫助下,我們可以得到任何邏輯函數(shù)或任何布爾或其他邏輯表達式。基本邏輯門的真值表:了解每個邏輯門的功能對熟悉轉(zhuǎn)換非常重要。1.NOT 邏輯門:這種邏輯門是數(shù)字邏輯電路中最簡單的一種。該邏輯門只有兩個端子,一個用于輸入,另一個用于輸出。門的輸入是二進制數(shù),即只能是 1 或 0。邏輯門輸出端的輸出總是與輸入端相反,也就是說,如果輸入端為 1,則輸出端為 0,反之亦然??赡艹霈F(xiàn)的級數(shù)由 2a 計
- 關(guān)鍵字: NAND 邏輯門
NAND 原廠過夠了「苦日子」,有晶圓合約成功漲價 10%
- 廠家期待觸底后的反彈早日到來。
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采用NAND和NOR門的SR觸發(fā)器
- 在本教程中,我們將討論數(shù)字電子學(xué)中的基本電路之一--SR 觸發(fā)器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門的 SR 觸發(fā)器的基本電路、其工作原理、真值表、時鐘 SR 觸發(fā)器以及一個簡單的實時應(yīng)用。電路簡介我們迄今為止看到的電路,即多路復(fù)用器、解復(fù)用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗發(fā)生器和校驗器等,都被稱為組合邏輯電路。在這類電路中,輸出只取決于輸入的當(dāng)前狀態(tài),而不取決于輸入或輸出的過去狀態(tài)。除了少量的傳播延遲外,當(dāng)輸入發(fā)生變化時,組合邏輯電路的輸出立即發(fā)生變化。還有一類電路,其輸出不僅取決于當(dāng)前的輸入,還取決
- 關(guān)鍵字: NAND NOR門 SR觸發(fā)器
三星明年將升級NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈
- 據(jù)媒體報道,三星作為全球最大的NAND閃存供應(yīng)商,為了提高新一代NAND閃存的競爭力,將在2024年升級其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈,各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進行設(shè)備運行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產(chǎn)線將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進的第8代V-NAND,同時正在將日本東京電子(TEL)的最新設(shè)備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線,此次采購的TEL設(shè)備是用于整個半導(dǎo)體工藝的蝕刻設(shè)備。三星的半導(dǎo)體產(chǎn)品庫存在今年上半年都有一定程度的增加,在上半年結(jié)束時,三星旗下設(shè)備解決方案部門的庫存已增至
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND 閃存
3D NAND還是卷到了300層
- 近日,三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存,據(jù)爆料,這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu),并超過 300 層。同樣在 8 月,SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存,并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份,據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道,西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知,固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價和容量還
- 關(guān)鍵字: V-NAND 閃存 3D NAND
基于FPGA的NAND Flash的分區(qū)續(xù)存的功能設(shè)計實現(xiàn)
- 傳統(tǒng)的控制器只能從NAND Flash存儲器的起始位置開始存儲數(shù)據(jù),會覆蓋上次存儲的數(shù)據(jù),無法進行數(shù)據(jù)的連續(xù)存儲。針對該問題,本文設(shè)計了一種基于FPGA的簡單方便的NAND Flash分區(qū)管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲空間,記錄最新分區(qū)信息,將剩余的NAND Flash空間劃成多個分區(qū)。本文給出了分區(qū)工作機理以及分區(qū)控制的狀態(tài)機圖,并進行了驗證。
- 關(guān)鍵字: 202308 NAND Flash FPGA 分區(qū) 起始地址
因業(yè)務(wù)低迷,消息稱三星計劃暫停部分工廠 NAND 閃存生產(chǎn)
- IT之家 8 月 16 日消息,據(jù)韓國電子時報報道,為了克服低迷的存儲器市場狀況,三星電子計劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產(chǎn)設(shè)備。業(yè)內(nèi)人士透露,三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產(chǎn)線部分設(shè)備的生產(chǎn),該生產(chǎn)區(qū)主要負責(zé)生產(chǎn) 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND,其中的設(shè)備將停產(chǎn)至少一個月。外媒表示,鑒于市場持續(xù)低迷,業(yè)界猜測三星的 NAND Flash 產(chǎn)量可能會減少 10% 左右,而三星在近來 4 月份發(fā)布的 2023 年第一季度財報中也正式
- 關(guān)鍵字: 三星電子 V-NAND
基于NAND門的行李安全警報
- 在乘坐火車和公共汽車的旅途中,我們會攜帶許多重要的物品,而且總是擔(dān)心有人會偷走我們的行李。因此,為了保護我們的行李,我們通常會用老辦法,借助鏈條和鎖來鎖住行李。但鎖了這么多把鎖之后,我們還是會擔(dān)心有人會割斷鎖鏈,拿走我們的貴重物品。為了克服這些恐懼,這里有一個基于 NAND 門的簡易電路。在這個電路中,當(dāng)有人試圖提起你的行李時,它就會發(fā)出警報,這在你乘坐公共汽車或火車時非常有用,即使在夜間也是如此,因為它還能在繼電器上產(chǎn)生聲光指示。這種電路的另一個用途是,您可以在家中使用這種電路,以便在這種報警電路的幫助
- 關(guān)鍵字: NAND 邏輯門
ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么?一次性搞清楚!
- 簡單解釋ROMROM:只讀存儲器,內(nèi)容寫入后就不能更改了,制造成本比較低,常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios,在系統(tǒng)裝好的電腦上時,計算機將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存,然后通過cpu調(diào)用各種配件進行工作這時系統(tǒng)存放存儲器為RAM。PROM:可編程程序只讀存儲器,但是只可以編寫一次。EPROM:可抹除可編程只讀存儲器,可重復(fù)使用。EEPROM:電子式可抹除可編程只讀存儲器,類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。RAMRAM:隨機存取存儲器,也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器
- 關(guān)鍵字: ROM RAM FLASH DDR EMMC
6月中國市場NAND Flash Wafer部分容量合約價有望小幅翻揚
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,5月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后,已見到部分供應(yīng)商開始調(diào)高wafer報價,對于中國市場報價均已略高于3~4月成交價。因此,TrendForce集邦咨詢預(yù)估6月在模組廠啟動備貨下,主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈,結(jié)束自2022年5月以來的猛烈跌勢,預(yù)期今年第三季起將轉(zhuǎn)為上漲,漲幅約0~5%,第四季漲幅將再擴大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫存仍待促銷去化,現(xiàn)階段價格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至,盡管今
- 關(guān)鍵字: NAND Flash Wafer TrendForce
傳鎧俠/西數(shù)合并進入最終階段 NAND Flash營收或超三星?
- 近日,據(jù)日本共同社消息,日本存儲器大廠鎧俠與合作方美國西部數(shù)據(jù)的合并經(jīng)營已經(jīng)進入最終收尾調(diào)整階段。目前,作為全球知名的存儲器廠商,鎧俠和西部數(shù)據(jù)既是競爭對手又是合作伙伴,目前兩家公司正在共同運營巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報道引用相關(guān)人士消息稱,鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探討出資設(shè)立新公司、統(tǒng)一開展半導(dǎo)體生產(chǎn)及營銷的方案等,未來雙方將進行經(jīng)營合并,擬由鎧俠掌握主導(dǎo)權(quán),關(guān)于出資比率等將繼續(xù)探討。報道稱,由于面向智能手機等的半導(dǎo)體行情疲軟、業(yè)績低迷,鎧俠和西部數(shù)據(jù)此舉意在提升經(jīng)營效率并提高競爭力。資料顯示,鎧俠
- 關(guān)鍵字: 鎧俠 西數(shù) NAND Flash 三星
DDR5 重新下跌,內(nèi)存現(xiàn)貨價格未見回暖
- 業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場預(yù)期不太樂觀。
- 關(guān)鍵字: NAND Flash NAND DDR5
需求持續(xù)下修,第一季NAND Flash總營收環(huán)比下跌16.1%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,第一季NAND Flash買方采購動能保守,供應(yīng)商持續(xù)透過降價求售,但第一季NAND Flash位元出貨量僅微幅環(huán)比增長2.1%,平均銷售(ASP)單價季減15%,合計NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收約86.3億美元,環(huán)比減少16.1%。SK集團(SK hynix & Solidigm)及西部數(shù)據(jù)(WDC)量價齊跌,沖擊營收表現(xiàn),環(huán)比下降均逾兩成。SK集團受淡季及削價競爭影響,第一季NAND Flash營收僅13.2億美元,環(huán)比減少24.8%
- 關(guān)鍵字: 集邦 NAND Flash
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