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英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應對？
- 英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場首套具有0.55數(shù)值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術之后的制程節(jié)點。 相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業(yè)界預計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時觀望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術，以確保產(chǎn)品競爭力。Hig
- 關鍵字： 英特爾 High-NA EUV 臺積電
ASML兩款光刻機出口許可被撤銷
- 1月2日，全球光刻機龍頭ASML在官網(wǎng)發(fā)布聲明稱，荷蘭政府最近撤銷了此前頒發(fā)給其2023年發(fā)貨NXT:2050i和NXT:2100i光刻機的部分出口許可證，這將對ASML在中國內(nèi)地的個別客戶產(chǎn)生影響。在聲明中，ASML表示：“在新的出口管制條例下，今年（指2023年）年底前ASML仍能履行已簽訂的合同，發(fā)運這些光刻設備?？蛻粢惨阎こ隹诠苤茥l例所帶來的限制，即自2024年1月1日起，ASML將基本不會獲得向中國客戶發(fā)運這些設備的出口許可證?！鳖A計此次出口許可證撤銷及最新的美國出口管制限制不會對公司2023
- 關鍵字： ASML 光刻機 DUV EUV
佳能押注納米壓印技術 價格比阿斯麥EUV光刻機“少一位數(shù)”
- 11月6日消息，日本佳能一直在投資納米壓?。∟ano-imprint Lithography，NIL）這種新的芯片制造技術，并計劃將新型芯片制造設備的價格定在阿斯麥最好光刻機的很小一部分，從而在光刻機領域取得進展。納米壓印技術是極紫外光刻（EUV）技術的低成本替代品。佳能首席執(zhí)行官御手洗富士夫(Fujio Mitarai)表示，該公司最新的納米壓印技術將為小型芯片制造商生產(chǎn)先進芯片開辟出一條道路?！斑@款產(chǎn)品的價格將比阿斯麥的EUV少一位數(shù)，”現(xiàn)年88歲的御手洗富士夫表示。這是他第三次擔任佳能總裁，上一次退
- 關鍵字： 佳能 納米 壓印技術 阿斯麥 EUV 光刻機
納米壓?。阂粋€「備胎」走向「臺前」的故事
- 佳能在 10 月 13 日宣布，正式推出納米壓印半導體制造設備。對于 2004 年就開始探索納米壓印技術的佳能來說，新設備的推出無疑是向前邁出了一大步。佳能推出的這個設備型號是 FPA-1200NZ2C，目前可以實現(xiàn)最小線寬 14nm 的圖案化，相當于生產(chǎn)目前最先進的邏輯半導體所需的 5 納米節(jié)點。佳能表示當天開始接受訂單，目前已經(jīng)向東芝供貨。半導體行業(yè)可謂是「苦光刻機久已」，納米壓印設備的到來，讓期盼已久的半導體迎來一線曙光。那么什么是納米壓印技術？這種技術距離真的能夠取代光刻機嗎？納米壓印走向臺前想要
- 關鍵字： 納米壓印 EUV 光刻機
EUV光刻技術仍需克服的三個缺點
- 光刻技術是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術。其主要過程為：首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學反應；再通過顯影技術溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠（前者稱正性光刻膠，后者稱負性光刻膠），使掩膜版上的圖形被復制到光刻膠薄膜上；最后利用刻蝕技術將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。想要了解光刻技術對半導體供需穩(wěn)定將會產(chǎn)生什么樣的影響，首先要了解的是大家經(jīng)常聽到的 14 納米 DRAM、4 納米應用處理器等用語，要先說明納米是什么意
- 關鍵字： EUV
英特爾首次采用EUV技術的Intel 4制程節(jié)點已大規(guī)模量產(chǎn)
- 近日，英特爾宣布已開始采用極紫外光刻（EUV）技術大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節(jié)點。據(jù)英特爾中國官微獲悉，近日，英特爾宣布已開始采用極紫外光刻（EUV）技術大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節(jié)點。據(jù)悉，作為英特爾首個采用極紫外光刻技術生產(chǎn)的制程節(jié)點，Intel 4與先前的節(jié)點相比，在性能、能效和晶體管密度方面均實現(xiàn)了顯著提升。極紫外光刻技術正在驅(qū)動著算力需求最高的應用，如AI、先進移動網(wǎng)絡、自動駕駛及新型數(shù)據(jù)中心和云應用。英特爾“四年五個制程節(jié)點”計劃正在順利推進中。目前，Intel 7和I
- 關鍵字： 英特爾 EUV Intel4
俄羅斯7納米驚人突破 泄國產(chǎn)EUV曝光時間
- 俄羅斯企圖打破艾司摩爾（ASML）先進半導體設備獨占地位！俄媒消息指出，俄羅斯號稱開發(fā)出可取代曝光機的芯片制造工具，甚至發(fā)下豪語，將于2028年研發(fā)出可生產(chǎn)7納米芯片的曝光機，還可擊敗ASML同類產(chǎn)品。俄國目前普遍使用20年前的65納米制程，正在興建28納米晶圓廠。俄羅斯國際新聞通訊社（俄新社）報導，圣彼得堡理工大學研發(fā)出一種「國產(chǎn)曝光復合體」，可用于蝕刻生產(chǎn)無掩模芯片，將有助于解決俄羅斯在微電子領域的技術主權問題。科學家表示，這款芯片制造設備成本為500萬盧布（約臺幣161萬元），而另一種工具的成本未知
- 關鍵字： 俄羅斯 7納米 EUV
Intel 4技術在愛爾蘭大批量生產(chǎn)，點燃歐洲半導體制造能力
- DIGITAL-得益于ASML的芯片機，英特爾在愛爾蘭的尖端技術生產(chǎn)點燃了歐洲革命。在英特爾位于愛爾蘭的最新制造工廠Fab 34的潔凈室里。?英特爾公司?英特爾在技術領域掀起了波瀾，在愛爾蘭推出了英特爾4技術的大批量生產(chǎn)，引發(fā)了一場歐洲革命。這標志著極紫外光刻機（EUV）首次用于歐洲大規(guī)模生產(chǎn)。此舉鞏固了英特爾對快節(jié)奏生產(chǎn)戰(zhàn)略的承諾，并提升了歐洲的半導體制造能力。?這家科技巨頭在愛爾蘭、德國和波蘭的投資正在推動整個歐洲大陸的尖端價值鏈。英特爾對可持續(xù)發(fā)展的執(zhí)著也體現(xiàn)在其愛爾蘭氣候行動計
- 關鍵字： 英特爾，EUV，ASML
用新型極紫外光刻膠材料推進半導體工藝
- 新型極紫外光刻膠材料是不斷增強半導體技術的重要基石。
- 關鍵字： EUV
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