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DRAM價格或?qū)⒂|底，NAND供應商加快開發(fā)內(nèi)置產(chǎn)品
- 據(jù)Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合約價格下跌到了20美元左右，這也影響到了現(xiàn)貨市場的價格走勢。面向2007年下半年P(guān)C銷售旺季，PC廠商將增加庫存，預計DRAM需求將隨之增長。因此，DRAM價格可能在2007年下半年觸底。價格持續(xù)下滑，已使DRAM廠商瀕臨虧損。向更先進的生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)移，以及提高1GB芯片的出貨量，將是決定2007年下半年DRAM廠商業(yè)績的兩大因素。由于需求仍然疲軟，現(xiàn)貨市場的價格環(huán)境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到
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全球12吋DRAM廠版圖擴大 亞洲成為戰(zhàn)略重地
- 全球DRAM產(chǎn)業(yè)版圖在奇夢達(Qimonda)正式對外宣布，將在未來5年出資20億歐元，在亞洲地區(qū)自行興建第1座12吋廠，自此可說全球DRAM大廠從東北亞到東南亞均已到場卡位，其中，北有爾必達(Elpida)、三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)，中有臺灣DRAM四寶及大陸中芯，南則有美光(Micron)、奇夢達，全球各大DRAM廠幾乎都在亞洲建先進廠。 奇夢達26日表示，未來5年內(nèi)將在新加坡花費高達20億歐元興建12吋廠，奇夢達全球總裁暨執(zhí)行長羅建
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Hynix勢頭迅猛 三星DRAM冠軍寶座岌岌可危
- 4月28日消息，據(jù)國外媒體報道，權(quán)威調(diào)研機構(gòu)Gartner日前指出，三星在全球DRAM市場的份額已降至7年來的最低點，可能被競爭對手Hynix超越。 據(jù)Gartner的初步報告顯示，今年第一季度，三星全球DRAM市場份額已降至25.5%，比第二名的Hynix僅高出2.7個百分點。這是自2000年以來，三星在DRAM市場表現(xiàn)最糟糕的一次。 在過去的五年中，三星的DRAM市場份額平均比第二名高出17%。相比之下，競爭對手Hynix的市場份額達到了22.8%。銷售額達到了21.82億美元，同比增長6
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DRAM內(nèi)存可能被淘汰 PRAM才是正道
- 4月19日消息，據(jù)國外媒體報道，英特爾日前表示，其所開發(fā)的相變隨機存取存儲器（PRAM）有潛力取代當前的DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）。 在日前于北京召開的“英特爾信息技術(shù)峰會（IDF）”上，英特爾首席技術(shù)官Justin Rattner展示了新型PRAM內(nèi)存，并表示，PRAM有潛力取代當前的DRAM。 Rattner還稱，英特爾開發(fā)PRAM已經(jīng)有十年的歷史了。據(jù)悉，PRAM是一種非易失性的內(nèi)存產(chǎn)品，它集DRAM內(nèi)存的高速存取，以及閃存在關(guān)閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性為一體，因此被業(yè)界視為未來D
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4月DRAM合約價格繼續(xù)下滑 已突破生產(chǎn)商成本
- 據(jù)臺灣集邦科技公司（DRAMeXchange Technology Inc.）周二公布的數(shù)據(jù)，4月上旬DRAM內(nèi)存價格繼續(xù)下滑，而且已經(jīng)降到了多數(shù)制造商的生產(chǎn)成本以下。 據(jù)IDG新聞社報道，運營著一個在線DRAM市場的集邦科技稱，最常用的DRAM內(nèi)存，即512Mb 667MHz DDR2的合約價格4月又下降了16.7％，每芯片價格已經(jīng)降至2.50美元。 大約有四分之三的DRAM芯片均通過DRAM制造商和主要的PC制造商（如戴爾和惠普）之間簽署的合約進行買賣。最新的報價來自4月上旬的合約價格，它們顯示出DR
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4月DRAM合約價格繼續(xù)下滑 已突破生產(chǎn)商成本
- 4月11日消息，據(jù)臺灣集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的數(shù)據(jù)，4月上旬DRAM內(nèi)存價格繼續(xù)下滑，而且已經(jīng)降到了多數(shù)制造商的生產(chǎn)成本以下。 據(jù)IDG新聞社報道，運營著一個在線DRAM市場的集邦科技稱，最常用的DRAM內(nèi)存，即512Mb 667MHz DDR2的合約價格4月又下降了16.7%，每芯片價格已經(jīng)降至2.50美元。 大約有四分之三的DRAM芯片均通過DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴爾和惠普)之間簽署的合約進行買賣。最新的報價來
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揚長補短發(fā)展FeRAM
- 存儲器在半導體行業(yè)就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當做單獨的存儲元件，有數(shù)據(jù)計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當前的主流半導體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。 易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術(shù)，包
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印度半導體離中國還很遠
- 29年前,美國愛達荷州,三個年輕人在一間牙醫(yī)診所的倉庫里,無意中開始了一個名叫DRAM的芯片設計生意。發(fā)展到今天,便是年銷售額高達52.6億美金的半導體企業(yè)——美光公司。 3月21日,美光正式啟動了其在中國投資的第一家制造工廠。這座位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的封裝測試廠,總投資2.5億美金。 美光公司總裁兼首席執(zhí)行官史蒂夫•阿普爾頓(Steve R. Appleton)在該項目啟動典禮間隙,接受了本報記者專訪。這位年輕的CEO是個典型的冒險家,擁有多架私人表演式飛機,喜歡在空中做俯沖動作。
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DRAM 8英寸線趨減 IC制造須理性突圍
- DRAM 8英寸線將逐漸退出 隨著半導體工藝制程技術(shù)的進步，90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴大，首先在競爭最激烈的存儲器制造中呈現(xiàn)。 臺灣力晶半導體的黃崇仁表示，2006年是轉(zhuǎn)折點，DRAM中的8英寸芯片性價比已不具有優(yōu)勢，一批較早的8英寸芯片廠，已無法采用0.11微米工藝來制造512Mb的DDR2存儲器。 臺灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認為，五大集團三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達主導了全球的DRAM業(yè)，全球DRAM(動態(tài)隨機存儲器)應用中，有
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DRAM 8英寸生產(chǎn)線趨減 IC制造須理性突圍
- 推動全球半導體工業(yè)進步的兩個輪子，一個是縮小特征尺寸，另一個是增大硅片直徑，通?？偸且圆粩嗟乜s小特征尺寸為先。如今，全球正進入12英寸，65納米芯片生產(chǎn)線的興建高潮，業(yè)界正在為何時進入18英寸硅片生產(chǎn)展開可行性討論。在此前提下，業(yè)界關(guān)心全球8英寸芯片生產(chǎn)線的現(xiàn)狀，以及何時將退出歷史舞臺?？v觀全球半導體業(yè)發(fā)展的歷史過程，進入8英寸硅片時代約于1997年。通常每種硅片的生存周期在20年左右，所以8英寸硅片目前仍處于平穩(wěn)發(fā)展時段，顯然90納米及65納米產(chǎn)品已開始上升。 &
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奇夢達與南亞科技獲75納米DRAM技術(shù)驗證
- 奇夢達公司和南亞科技公司宣布已成功獲得75納米 DRAM 溝槽式(Trench)技術(shù)之驗證，最小之制程尺寸為70納米, 第一個75納米之產(chǎn)品將為512Mb DDR2 內(nèi)存芯片。此項新的技術(shù)平臺和產(chǎn)品是雙方共同在德國德累斯頓(Dresden) 和慕尼黑(Munich)的奇夢達開發(fā)中心所開發(fā)的。目前已經(jīng)在奇夢達的德累斯頓十二吋廠生產(chǎn)線開始此項新一代 DRAM技術(shù)之試產(chǎn)。 負責奇夢達的市場和運作，也是管理委員會的委員之一的賽佛(Thomas&
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05年DRAM芯片銷售排名三星仍保持冠軍
- 據(jù)著名市場調(diào)研機構(gòu) Gartner 公司最新公布的調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2005年全球DRAM儲存芯片的銷售收入比上年下滑了5%為250億美元，2004年全球DRAM儲存芯片的銷售收入為263億美元。在全球DRAM 儲存芯片行業(yè)銷售收入比2004年下滑5%的不利環(huán)境下，中國臺灣南亞科技公司（Nanya）和日本最大的DRAM儲存芯片制造商爾必達公司（Elpida）是全球最高前六個公司中銷售收入實現(xiàn)了增長的公司。 調(diào)研公司表示，盡管這是自2001年以后DRAM儲存芯片
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