色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

          首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
          EEPW首頁 >> 主題列表 >> sic fet

          利用SiC模塊進行電動壓縮機設計要點

          • 壓縮機是汽車空調(diào)的一部分,它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體,再流經(jīng)冷凝器,節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱,實現(xiàn)車內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動機為動力,通過皮帶帶動壓縮機轉(zhuǎn)動。而新能源汽車脫離了發(fā)動機,以電池為動力,通過逆變電路驅(qū)動無刷直流電機,從而帶動壓縮機轉(zhuǎn)動,實現(xiàn)空調(diào)的冷熱交換功能。電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件,除了可以提高車廂內(nèi)的環(huán)境舒適度(制冷,制熱)以外,對電驅(qū)動系統(tǒng)的溫度控制發(fā)揮著重要作用,對電池的使用壽命、充電速度和續(xù)航里程都至關(guān)重要。圖1.電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件電動壓縮機需
          • 關(guān)鍵字: 壓縮機  汽車空調(diào)  SiC  

          意法半導體第四代碳化硅功率技術(shù)問世!為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制

          • 意法半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時,意法半導體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計劃在2027年前推出更多先進的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果,履行創(chuàng)新承諾。意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部(APMS)總裁Marco Cassis表示:“意法半導體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術(shù),推動電動汽車和高能效工業(yè)的未來發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
          • 關(guān)鍵字: STPOWER  SiC  MOSFET  

          東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員,其將助力工業(yè)電源設備實現(xiàn)高效率

          • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,最新推出第3代碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品,為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關(guān)電源等工業(yè)設備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品,其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品,其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進型結(jié)勢壘肖特基(JBS)結(jié)構(gòu)[1]。在結(jié)勢壘中使用新型金屬,有
          • 關(guān)鍵字: 東芝  SiC  肖特基勢壘二極管  工業(yè)電源  

          第4講:SiC的物理特性

          • 與Si材料相比,SiC半導體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯,比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導性好等,使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導體功率器件材料,具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比,4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度,可實現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導體GaN相比,物理特性相似,但在p型器件導通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異,4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢。此外,由
          • 關(guān)鍵字: 三菱電機  SiC  

          第5講:SiC的晶體缺陷

          • SiC晶體中存在各種缺陷,對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷,其中一些會影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯(SF)、以及刃位錯(TED)、螺旋位錯(TSD)、基面位錯(BPD)和這些復合體的混合位錯。就密度而言,最近質(zhì)量相對較好的SiC晶體中,微管是1?10個/cm2,位錯的密度約為103~10?長達個/cm2。至今,與Si相
          • 關(guān)鍵字: 三菱電機  SiC  

          6.6 kW車載電動汽車充電器設計

          • 我們采用單全橋LLC拓撲結(jié)構(gòu),以獲得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等組成。NCV4390(U60)是一種電流模式高級LLC控制器。它是FAN7688的引腳到引腳兼容設備。如果您在網(wǎng)站上找不到該設備,可以參考FAN7688的說明。有關(guān)該零件的更多詳細信息,請參閱數(shù)據(jù)表和應用說明。由于輸出電壓高(250?450 Vdc),同步整流器對整流器的幫助不大傳導損失。因此,我們省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有內(nèi)部電隔離功能的大電流單通道IGBT驅(qū)動器。
          • 關(guān)鍵字: 車載電動汽車充電器  NVHL060N090SC1  SiC   

          羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應用于吉利集團電動汽車品牌“極氪”3種主力車型

          • 8月29日上午,備受矚目的2024年武漢鐵人三項亞洲杯賽、2024年武漢全國鐵人三項冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國·武漢鐵人三項公開賽新聞發(fā)布會成功召開。發(fā)布會上,賽事組委會發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競賽距離、競賽日程、公開賽標志、賽事獎牌等相關(guān)內(nèi)容。武漢市體育局黨組成員、副局長洪旭艷,江夏區(qū)人民政府黨組成員、副區(qū)長梁爽出席此次發(fā)布會;武漢市社會體育指導中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息;江夏區(qū)文化和旅游局(體育局)局長繆璐進行江夏區(qū)文旅推介,向社會各界發(fā)出“跟著賽事游江夏”的邀
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC MOSFET  極氪  

          新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目延期

          • 8月13日,新潔能發(fā)布公告稱,擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目達到預定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響,項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關(guān)工作進度均受到一定程度的影響,無法在計劃時間內(nèi)完成。據(jù)悉,此次延期項目屬新潔能二廠區(qū)擴建項目,項目總投資約2.23億元,2022年開建,原計劃2024年建設完成。項目建成后,將實現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱,本次募投項目延期僅涉及項目進度的
          • 關(guān)鍵字: 新潔能  SiC  GaN  功率器件  封測  

          羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會

          • 全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)將于8月28日~30日參加在深圳國際會展中心(寶安新館)舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(以下簡稱PCIM Asia)(展位號:11號館D14)。屆時,將聚焦碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體,展示其面向工業(yè)設備和汽車領域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時,羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的碳化硅
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  氮化鎵  GaN  

          第三代半導體,距離頂流差了什么

          • 潮流就是即便你放棄了我,也不妨礙我越來越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過去了一年,這個市場非但沒有被拋棄,反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體發(fā)展備受關(guān)注:Yole 數(shù)據(jù)顯示,2026 年 GaN 市場規(guī)模預計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導體市場規(guī)模有望突破 60 億美元。預測是人算不如天算,第三代半導體優(yōu)勢已經(jīng)被講的翻來覆去了,市場的反饋是最真實和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛?新能源是第三代半導體應用的重要驅(qū)動力。新能源車的最大
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          悉智科技首顆DCM封裝8并SiC產(chǎn)品量產(chǎn)下線

          • 7月22日,蘇州悉智科技有限公司(以下簡稱“悉智科技”)宣布,其首批車規(guī)級功率模塊量產(chǎn)產(chǎn)品正式下線投產(chǎn)。悉智科技表示,此次下線的首批量產(chǎn)模塊,是悉智科技自研的高端電驅(qū)SiC塑封功率模塊產(chǎn)品。在SiC DCM塑封功率模塊的定制化開發(fā)上,悉智科技取得了顯著進展,目前該產(chǎn)品已獲取到客戶的量產(chǎn)訂單,并會在今年四季度實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。資料顯示,悉智科技自2022年1月1日正式運營以來,始終專注于車規(guī)級功率與電源模塊的研發(fā)與生產(chǎn),致力于為智能電動汽車、光儲新能源等客戶提供深度定制化的解決方案。目前,該公司已在蘇州建成具
          • 關(guān)鍵字: 悉智科技  DCM封裝  8并  SiC  

          電動汽車和光伏逆變器的下一項關(guān)鍵技術(shù)

          • 圖1 半導體對許多新興綠色科技至關(guān)重要毋庸置疑,從社會發(fā)展的角度,我們必須轉(zhuǎn)向采用可持續(xù)的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小,清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個不幸的事實是,擺脫化石燃料正被證明極其困難,向綠色技術(shù)的轉(zhuǎn)變也帶來了一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。無論是生產(chǎn)要跟上快速擴張的市場步伐,還是新解決方案努力達到現(xiàn)有系統(tǒng)產(chǎn)出水平,如果我們要讓化石燃料成為過去,這些難題都必須被克服。對于電動汽車(EV)和太陽能電池板等應用,工程師面臨著更多的挑戰(zhàn),因為敏感的電子元件必須在惡劣的環(huán)境中持續(xù)可靠地運
          • 關(guān)鍵字: 電動汽車  光伏逆變器  SiC  

          碳化硅模塊在太陽能逆變器中的應用

          • 碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關(guān),具有低損耗、寬帶隙技術(shù)和易于集成設計等優(yōu)勢。Qorvo的SiC FET技術(shù)如今以高效模塊化產(chǎn)品的形式呈現(xiàn);本文探討了這種產(chǎn)品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽能逆變器應用的理想之選。
          • 關(guān)鍵字: 202407  太陽能  PV  SiC FET  寬帶隙  碳化硅  光伏  

          瞻芯電子:第三代SiC MOSFET通過車規(guī)認證

          • 6月23日,瞻芯電子宣布,公司基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試認證。同時,瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn),后續(xù)將依托浙江義烏的車規(guī)級SiC晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。瞻芯電子成立于2017年,是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領域的高科技芯片公司,致力于開發(fā)碳化硅(SiC)功率器件、驅(qū)動和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品。瞻芯電子表示,第三代1200V 13
          • 關(guān)鍵字: 瞻芯電子  SiC  MOSFET  車規(guī)認證  

          2023年SiC功率元件營收排名,ST以32.6%市占率穩(wěn)居第一

          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動汽車應用的驅(qū)動下保持強勁成長,前五大SiC功率元件供應商約占整體營收91.9%,其中ST以32.6%市占率持續(xù)領先,onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨詢分析,2024年來自AI服務器等領域的需求則顯著大增,然而,純電動汽車銷量成長速度的明顯放緩和工業(yè)需求走弱正在影響SiC供應鏈,預計2024年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)營收年成長幅度將較過去幾年顯著收斂。作為關(guān)鍵的車用SiC MOSFE
          • 關(guān)鍵字: SiC  功率元件  ST  
          共520條 2/35 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

          sic fet介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic fet!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對sic fet的理解,并與今后在此搜索sic fet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

          熱門主題

          樹莓派    linux   
          關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
          Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
          備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473