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          一種基于大功率FET的數(shù)控直流電流源設(shè)計(jì)

          車載SiC功率半導(dǎo)體前景光明 逆變器大幅實(shí)現(xiàn)小型化及低成本化

          •   豐田汽車在“ICSCRM 2007”展會(huì)第一天的主題演講中,談到了對(duì)應(yīng)用于車載的SiC功率半導(dǎo)體的期待。為了在“本世紀(jì)10年代”將其嵌入到混合動(dòng)力車等所采用的馬達(dá)控制用逆變器中,“希望業(yè)界廣泛提供合作”。如果能嵌入SiC半導(dǎo)體,將有助于逆變器大幅實(shí)現(xiàn)小型化及低成本化。   在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用是許多SiC半導(dǎo)體廠商瞄準(zhǔn)的目標(biāo),但多數(shù)看法認(rèn)為,就元器件的成本、性能及可靠性而言,比起在產(chǎn)業(yè)設(shè)備以及民用設(shè)備上配備,在汽車上配備的障礙更大。該公司雖然沒有透露計(jì)劃采用SiC半導(dǎo)體的日期,但表示“到本世紀(jì)10年代前
          • 關(guān)鍵字: 汽車電子  豐田  SiC  半導(dǎo)體  汽車電子  

          Intersil集成式FET穩(wěn)壓器支持60V輸入電壓和100V尖峰

          •    Intersil 公司宣布推出新的、高效、2A 集成式 FET 步降 DC/DC 開關(guān)穩(wěn)壓器系列,支持廣泛的工作輸入電壓,并且可以處理高達(dá) 100V 的瞬態(tài)尖峰。   ISL8560 支持 9V 至 60V 的輸入電壓以及 1.21V 至 55V 的可編程輸出電壓;而 ISL8540 支持 9
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  Intersil  FET  穩(wěn)壓器  電源  

          飛兆推出業(yè)界最小的DrMOS FET加驅(qū)動(dòng)器多芯片模塊

          •   飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優(yōu)化的集成式FET加驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)解決方案FDMF6700,采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對(duì)于空間極度受約束的應(yīng)用,比如小外形尺寸的臺(tái)式電腦、媒體中心PC、超密集服務(wù)器、刀片服務(wù)器、先進(jìn)的游戲系統(tǒng)、圖形卡、網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備,以及其它電路板空間有限的DC-DC應(yīng)用,F(xiàn)DMF6700為設(shè)計(jì)人員提供別具吸引力的解決方案。   在個(gè)人電腦主板中,典型的降壓轉(zhuǎn)換器在每個(gè)相位可能包含:采用DPAK封裝的三個(gè)N溝道MOSFE
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  飛兆  DrMOS  FET  模塊  

          京大等三家開發(fā)成功SiC外延膜量產(chǎn)技術(shù)

          •    京都大學(xué)、東京電子、羅姆等宣布,使用“量產(chǎn)型SiC(碳化硅)外延膜生長(zhǎng)試制裝置”,確立對(duì)SiC晶圓進(jìn)行大批量統(tǒng)一處理的技術(shù)已經(jīng)有了眉目。由此具備耐高溫、耐高壓、低損耗、大電流及高導(dǎo)熱系數(shù)等特征的功率半導(dǎo)體朝著實(shí)用化邁出了一大步。目前,三家已經(jīng)開始使用該裝置進(jìn)行功率半導(dǎo)體的試制,面向混合動(dòng)力車的馬達(dá)控制用半導(dǎo)體等環(huán)境惡劣但需要高可靠度的用途,“各廠商供應(yīng)工程樣品,并獲得了好評(píng)”。      此次開發(fā)的是SiC外延生長(zhǎng)薄膜的量產(chǎn)技術(shù)。
          • 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子  京大  SiC  外延膜  消費(fèi)電子  

          移動(dòng)終端中三類射頻電路的演進(jìn)方向

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 射頻  GSM  CMOS  GaAs  HBT  FET  SAW  FEM  VOC  DCR  DCT  

          如何使低功耗放大器在便攜式產(chǎn)品中提高性能

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: FET  DAC  ADI  

          功率P-FET控制器LTC4414

          • LTC4414是一種功率P-EFT控制器,主要用于控制電源的通、斷及自動(dòng)切換,也可用作高端功率開關(guān)。該器件主要特點(diǎn):工作電壓范圍寬,為3.5~36V;電路簡(jiǎn)單,外圍元器件少;靜態(tài)電流小,典型值為30μA;能驅(qū)動(dòng)大電流P溝道功率MOSFET;有電池反極性保護(hù)及外接P-MOSFET的柵極箝位保護(hù);可采用微控制器進(jìn)行控制或采用手動(dòng)控制;節(jié)省空間的8引腳MSOP封裝;工作溫度范圍-40℃~+125℃。 圖1 LTC4414的引腳排列   引腳排列及功能 LTC4414的引腳排列如圖1所示,各引腳
          • 關(guān)鍵字: LTC4414  P-FET  電源技術(shù)  工業(yè)控制  模擬技術(shù)  工業(yè)控制  

          FET新版本可用于Serial RapidIO端點(diǎn)

          擴(kuò)展射頻頻譜分析儀可用范圍的高阻抗 FET 探頭

          • 頻譜分析儀的電流模式一般有自10Hz低頻起始的頻率響應(yīng)。當(dāng)與1Hz或帶寬更窄的 FET 軟件結(jié)合使用時(shí),現(xiàn)代頻譜分析儀就具備了擴(kuò)展的低頻性能,使之成為設(shè)計(jì)與調(diào)試高性能模擬電路不可或缺的工具。
          • 關(guān)鍵字: FET  射頻  頻譜分析儀  高阻抗    
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          sic fet介紹

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