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SiC邁入8英寸時(shí)代，國際大廠量產(chǎn)前夕國內(nèi)廠商風(fēng)口狂追
- 近日，包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導(dǎo)體SiC/GaN上出現(xiàn)新進(jìn)展。從國內(nèi)外第三代化合物進(jìn)展看，目前在碳化硅領(lǐng)域，國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕，國產(chǎn)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力，產(chǎn)業(yè)鏈條進(jìn)一步完善成熟，下文將進(jìn)一步說明最新情況。SiC/GaN 3個(gè)項(xiàng)目最新動(dòng)態(tài)公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠或?qū)⒀舆t至明年建設(shè)近日，據(jù)外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設(shè)的德國8英寸SiC晶圓廠建設(shè)計(jì)劃或被推遲，最早將于2025年開始。據(jù)悉，該工廠由Wolfsp
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Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程封頂
- 3月28日消息，當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程舉行了封頂儀式。據(jù)了解，該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠已有一些長晶爐設(shè)備進(jìn)場，預(yù)計(jì)2024年底將完成一期工程建設(shè)，2025年上半年開始生產(chǎn)，預(yù)計(jì)竣工達(dá)產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴(kuò)大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協(xié)議，查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 Wolfspeed SiC 瑞薩 英飛凌
近年來對碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增
- 隨著近年來對碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，市場研究公司TrendForce表示，對于SiC的成本降低呼聲越來越高，因?yàn)樽罱K產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費(fèi)者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個(gè)成本結(jié)構(gòu)的比例最高，約占50%。因此，襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關(guān)鍵。由于其成本優(yōu)勢，大尺寸襯底逐漸開始被采用，市場對其寄予了很高的期望。中國SiC襯底制造商天科藍(lán)半導(dǎo)體計(jì)算，從4英寸升級(jí)到6英寸可以使單位成本降低50%，從6英寸升級(jí)到8英寸可以再次降低35%。與此同時(shí)，8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片，從而減少邊緣浪
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如何通過SiC增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)？
- 電池可以用來儲(chǔ)存太陽能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開關(guān)的替代方案，改善BESS的性能。圖1：BESS 實(shí)施概覽BESS 的優(yōu)勢最常用的儲(chǔ)能方法有四種，分別是電化學(xué)儲(chǔ)能、化學(xué)儲(chǔ)能、熱儲(chǔ)能和機(jī)械儲(chǔ)能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng)，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)
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SiC是如何「拯救」降價(jià)車企的？
- 進(jìn)入 2024 年，10 多家車企紛紛宣布降價(jià)。車企給供應(yīng)商的降價(jià)壓力更大，普遍要求降價(jià) 20%，過去一般是每年降 3%-5%。有觀點(diǎn)認(rèn)為，車市降價(jià)是由于新技術(shù)帶來的成本下降，但從大背景來看，2 月銷量下滑，或是更多企業(yè)加入價(jià)格戰(zhàn)的不得已選擇。但從另一個(gè)角度來看，成本的下降確實(shí)會(huì)緩解降價(jià)的壓力，SiC（碳化硅）會(huì)不會(huì)是出路呢？降價(jià)風(fēng)波始末2 月 19 日，可以說是一切的開始。降價(jià)潮是由比亞迪掀起的，從 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春節(jié)假期結(jié)束后的 17 天里，比亞迪密集推出了 13 款主力車型的
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納微半導(dǎo)體與您相約亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來
- 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展，邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造，象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺(tái)。納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應(yīng)用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
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納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級(jí)CAN SIC: NCA1462-Q1
- 納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級(jí)CAN SIC（信號(hào)改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比當(dāng)前主流的CAN FD車載通信方案，NCA1462-Q1在滿足ISO 11898-2:2016標(biāo)準(zhǔn)的前提下，進(jìn)一步兼容CiA 601-4標(biāo)準(zhǔn)，可實(shí)現(xiàn)≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專利的振鈴抑制功能，即使在星型網(wǎng)絡(luò)多節(jié)點(diǎn)連接的情況下，NCA1462-Q1仍具有良好的信號(hào)質(zhì)量；此外，超高的EMC表現(xiàn)，更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
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EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET
- 全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。憑借超低導(dǎo)通電阻
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基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設(shè)計(jì)為先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用鋪平了道路
- 先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用（如高轉(zhuǎn)速、高頻、高功率密度、高溫等）需要相匹配的逆變器支持，但業(yè)界一直為其開發(fā)難度所困擾。全球領(lǐng)先的高溫半導(dǎo)體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆變器參考設(shè)計(jì)很好地解決了這一問題。該參考設(shè)計(jì)整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅(qū)動(dòng)器，Silicon Mobility公司的控制板和軟件，超低寄生電感的直流母線電容和EMI濾波器，直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用提供了一個(gè)已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開發(fā)平
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Qorvo推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊
- 中國 北京，2024 年 2 月 29 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導(dǎo)通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動(dòng)汽車充電站、儲(chǔ)能、工業(yè)電源和太陽能等應(yīng)用。Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達(dá)四個(gè)分立式 SiC FET，從而簡化
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適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南
- 激光探測及測距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無人機(jī)、倉庫自動(dòng)化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔(dān)心 LiDAR 激光可能會(huì)對眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時(shí)發(fā)射功率不超過 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復(fù)頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰(zhàn)性，因?yàn)樾枰褂梦⒖刂破骰蚱渌笮蛿?shù)字集成電路 (IC) 來控制激光二極管，但又不能直接驅(qū)動(dòng)它，這樣就必須增加一個(gè)柵極
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內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC，助推工廠智能化
- 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)各行各業(yè)的工廠都在擴(kuò)大生產(chǎn)線的智能化程度，在生產(chǎn)線上的裝置和設(shè)備旁邊導(dǎo)入先進(jìn)信息通信設(shè)備的工廠越來越多。要將高壓工業(yè)電源線的電力轉(zhuǎn)換為信息通信設(shè)備用的電力，需要輔助設(shè)備用的高效率電源，而采用內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC可以輕松構(gòu)建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進(jìn)生產(chǎn)線的智能化如今，從汽車、半導(dǎo)體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠，既需要進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì)，還需要推進(jìn)無碳生產(chǎn)（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業(yè)中，提高工廠的生產(chǎn)效率和
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安森美碳化硅技術(shù)專家“把脈”汽車產(chǎn)業(yè)2024年新風(fēng)向
- 回首2023年，盡管全球供應(yīng)鏈面臨多重挑戰(zhàn)，但我們看到了不少閃光點(diǎn)，比如AIGC的熱潮、汽車電子的火爆，以及物聯(lián)網(wǎng)的小跑落地……今天，安森美(onsemi)碳化硅技術(shù)專家牛嘉浩先生為大家?guī)砹怂麑^去一年的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)和對新一年的展望期盼。汽車產(chǎn)業(yè)鏈中的困難與挑戰(zhàn)在過去一年中，汽車芯片短缺、全球供應(yīng)鏈的復(fù)雜性和不確定性及市場需求的變化，可能是汽車產(chǎn)業(yè)鏈最為棘手的難題，汽車制造商需要不斷調(diào)整生產(chǎn)和采購策略以應(yīng)對潛在的風(fēng)險(xiǎn)和瓶頸。隨著更多傳統(tǒng)車企和新興造車勢力進(jìn)入新能源汽車市場，競爭壓力加大，汽車制造商需要不斷提
- 關(guān)鍵字： 智能電源 智能感知 汽車領(lǐng)域 SiC
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