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          受惠5G及汽車科技 SiC及GaN市場前景向好

          •   相較目前主流的硅晶圓(Si),第三代半導(dǎo)體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外,也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢,不僅可使芯片面積可大幅減少,并能簡化周邊電路的設(shè)計,達到減少模組、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積。根據(jù)估計,2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8億美元,而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。        此外,除了輕化車輛設(shè)計之外,因第三代半導(dǎo)體的低導(dǎo)通電阻及低切換損失的特性,也能大幅降低車輛運轉(zhuǎn)時的能源轉(zhuǎn)換損失,兩者對于電動車續(xù)航力的提升有相當?shù)膸椭R虼耍?/li>
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          ROHM攜汽車電子及工業(yè)設(shè)備市場產(chǎn)品強勢登陸“2018慕尼黑上海電子展”

          •   全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM于2018年3月14日--16日參加了在上海新國際展覽中心舉辦的"2018慕尼黑上海電子展(electronica?China?2018)"?!  澳侥岷谏虾k娮诱?不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽,還是行業(yè)內(nèi)最重要的盛會之一。ROHM在此次展會上以“汽車電子”和“工業(yè)設(shè)備”為軸,為大家呈現(xiàn)包括“汽車電子”、?“模擬”、“電源”、“傳感器”以及“移動設(shè)備”在內(nèi)的5大解決方案展區(qū),囊括了業(yè)界領(lǐng)先的強大產(chǎn)品陣容。另外,為此
          • 關(guān)鍵字: ROHM  SiC  

          慕展:功率電子、微波通信、阻容感、材料、結(jié)構(gòu)件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品 都在世強

          •   慕尼黑上海電子展舉辦,作為亞洲第一電子大展,展會吸引了數(shù)萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學(xué)習(xí)。而全球先進的元件分銷商——世強元件電商,則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動化、結(jié)構(gòu)件、阻容感、材料、測試測量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相?! {借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示,以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門市場的最新產(chǎn)品的展示,世強元件電商吸引了大批工程師
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          5G和交通電氣化的核心是SiC和GaN功率射頻器件

          •   據(jù)麥姆斯咨詢報道,一些非常重要的市場趨勢正在推動化合物半導(dǎo)體器件在關(guān)鍵行業(yè)的應(yīng)用,化合物半導(dǎo)體正在強勢回歸。這些趨勢主要包括第五代(5G)無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議、無人駕駛和自動汽車、交通電氣化、增強現(xiàn)實和虛擬現(xiàn)實(AR/VR)。這些應(yīng)用正在推動3D傳感的應(yīng)用,提高功率模塊效率和更高頻率的通信應(yīng)用。所有這些新發(fā)展背后的關(guān)鍵器件都是由化合物半導(dǎo)體制造而成。科銳(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關(guān)于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告,還僅僅是化合物半導(dǎo)體應(yīng)用的冰山一角。   我們
          • 關(guān)鍵字: 5G  SiC  

          ADI用于Microsemi SiC功率模塊的隔離驅(qū)動器板加快產(chǎn)品上市時間

          •   Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯(lián)合推出市場首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評估板,在200kHz開關(guān)頻率時該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設(shè)計旨在提高設(shè)計可靠性,同時減少創(chuàng)建額外原型的需求,為電源轉(zhuǎn)換和儲能客戶節(jié)省時間、降低成本并縮短上市時間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會上展示該評估
          • 關(guān)鍵字: ADI  SiC  

          安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本

          •   推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體?(ON?Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品,擴展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開關(guān)性能、更低的功率損耗,并輕松實現(xiàn)器件并聯(lián)?! “采腊雽?dǎo)體最新發(fā)布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復(fù)、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容
          • 關(guān)鍵字: 安森美  SiC  

          納微半導(dǎo)體將在中國臺灣的電源設(shè)計技術(shù)論壇活動上

          •   納微 (Navitas)半導(dǎo)體宣布其現(xiàn)場應(yīng)用及技術(shù)營銷總監(jiān)黃萬年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設(shè)計與功率組件技術(shù)論壇”上發(fā)表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實現(xiàn)下一代電源適配器設(shè)計”的主題演講。他將分享如何利用業(yè)內(nèi)首個及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統(tǒng)中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見解。納微是這項活動的銀級贊助商,該活動為具有創(chuàng)新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個交互論壇,以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專業(yè)知識?! ↑S萬年
          • 關(guān)鍵字: 納微  SiC  

          ROHM贊助上海同濟大學(xué)“DIAN Racing”電動方程式車隊

          •   近年來,出于地球溫室化對策和減少空氣污染的考慮,對汽車的環(huán)保性能要求越來越高。世界各國均已制定了新能源汽車的開發(fā)和引進計劃,未來新能源汽車的普及將會進一步加速。其中,中國新能源汽車市場發(fā)展勢頭最為迅猛。隨著中國新能源汽車市場的迅速壯大和新能源汽車技術(shù)的快速發(fā)展,越來越多的中國新能源汽車品牌開始走出國門,投身到波瀾壯闊的世界新能源汽車市場?! ∽鳛槿蛑雽?dǎo)體制造商, ROHM一直以來都將汽車市場為主要目標領(lǐng)域,通過開發(fā)并提供SiC元器件、電源IC、控制IC等滿足最新汽車電子化需求的創(chuàng)新型高
          • 關(guān)鍵字: ROHM  SiC  

          電動汽車打開應(yīng)用窗口:SiC產(chǎn)品要來了!

          • 隨著技術(shù)的不斷更新?lián)Q代,以及電動汽車市場的巨大助力,SiC產(chǎn)品有望迎來快速增長期。
          • 關(guān)鍵字: 電動汽車  SiC  

          集成智能——第1部分:EMI管理

          •   智能集成電機驅(qū)動器和無刷直流(BLDC)電機可以幫助電動汽車和新一代汽車變得更具吸引力、更可行及更可靠?! D1所示為集成電機驅(qū)動器結(jié)合驅(qū)動電機所需的一切要素,如場效應(yīng)晶體管(FET)、柵極驅(qū)動器和狀態(tài)機。集成避免了電線從電子控制單元(ECU)到電機的布線距離過長,并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統(tǒng)成本的優(yōu)點?! LDC電機在汽車應(yīng)用中提供的優(yōu)勢包括效率、緊湊的尺寸、更長的電機壽命和電池壽命、更安靜的車內(nèi)體驗以及更好的EMI性能?! D1:智能集成BLDC電機驅(qū)動器  集成智能系列博
          • 關(guān)鍵字: BLDC  FET  

          使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路

          • 使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構(gòu)成的。這個寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
          • 關(guān)鍵字: FET  雙極性晶體管  緩沖電路  寬帶  

          我國第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破

          •   近日,863計劃先進制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”課題通過了技術(shù)驗收。   通常,國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱之為第三代半導(dǎo)體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導(dǎo)率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢,特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯,由于第三代半導(dǎo)體材料的制造裝備對設(shè)備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場分布、設(shè)備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質(zhì)量和成品率的關(guān)鍵技術(shù)有很高的
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  SiC  

          如何保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

          • 如何保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響- 在使用電子元器件時,你有時候不可避免地會聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓,系統(tǒng)中的電流以相反的方向運行;從輸出到輸入。幸運的是,有很多方法可以保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護系列博文的第一篇文章,在這篇文章中,你將能夠?qū)ΜF(xiàn)有解決方案有高層次的總體認識和了解。
          • 關(guān)鍵字: FET  TPS22963  德州儀器  反向電流  

          揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗

          • 揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設(shè)備具有更高的移動性并且比以前更綠色,電池技術(shù)進步推動了這一進展,并惠及了包括便捷式電動工具、插電式混合動力車、無線揚聲器在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品。近年來,電池效率(輸出功率/尺寸比)和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重,其主要用途是啟動汽車。隨著技術(shù)的最新進展,你可以改用鋰離子電池來迅速啟動汽車,其重量只有幾磅,尺寸也就人手那么大。
          • 關(guān)鍵字: 電池管理系統(tǒng)  FET  FET驅(qū)動器  
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