sic fet 文章進(jìn)入sic fet技術(shù)社區(qū)

氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來選擇

　　當(dāng)人們思考電力電子應(yīng)用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料時(shí)，都會(huì)不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因?yàn)榈壔蛱蓟枋请娏﹄娮討?yīng)用中最先進(jìn)的寬禁帶技術(shù)。市場研究公司Yole Développement在其報(bào)告中指出，電力電子應(yīng)用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個(gè)更大的帶隙，可以進(jìn)一步提高功率器件性能。　　　　n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元　　由碳化硅電力設(shè)備市場驅(qū)動(dòng)，n型碳化硅基
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業(yè)界首款全SiC功率模塊問世：開關(guān)效率提升10倍

　　集LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業(yè)界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用于高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)開關(guān)和并網(wǎng)逆變器等應(yīng)用。目前世強(qiáng)已獲授權(quán)代理SiC系列產(chǎn)品。　　圖：CAS300M17BM2模塊外觀圖　　世強(qiáng)代理的CAS300M17BM2 碳化硅功率模塊采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
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性價(jià)比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)

　　Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世強(qiáng)代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強(qiáng)，同時(shí)又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點(diǎn)，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢。　　SiC與Si性能對(duì)比　　簡單來說，SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強(qiáng)度高(10倍于S
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業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ

　　SiC市場領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺(tái)。該款升級(jí)版平臺(tái)，基于Cree的SiC平面技術(shù)從而擴(kuò)展了產(chǎn)品組合，能夠應(yīng)對(duì)市場更新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線電壓。且領(lǐng)先于900V超結(jié)Si基MOSFET技術(shù)，擴(kuò)大了終端系統(tǒng)的功率范圍，在更高溫度時(shí)仍能提供低導(dǎo)通電阻Rds(on)，大大減小了熱管理系統(tǒng)的尺寸，很好地解決了散熱及顯著降額的問題。與目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平臺(tái)為電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)者提供了更多的創(chuàng)新空間，方便
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SiC功率模塊關(guān)鍵在價(jià)格，核心在技術(shù)

　　日前，碳化硅(SiC)技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標(biāo)用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽能和風(fēng)能逆變器、UPS和開關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。　　世強(qiáng)代理的CAS300M12BM2外殼采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的62mm x 106mm x 30mm，封裝則采用Half-Bridge Module，具有超低損耗、高頻率特性以及易于并聯(lián)等特點(diǎn)。漏極電流方面，連續(xù)通電時(shí)
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EV/HEV市場可期 SiC/GaN功率器件步入快車道

　　根據(jù)Yole Development預(yù)測，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實(shí)現(xiàn)更高功率。　　在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動(dòng)電力電子應(yīng)用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報(bào)告中，Yole Development指出，促進(jìn)這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動(dòng)力量之一來自電動(dòng)車(EV)與混合動(dòng)力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預(yù)期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動(dòng)Si
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矢野經(jīng)濟(jì)研究所：SiC功率半導(dǎo)體將在2016年形成市場

　　矢野經(jīng)濟(jì)研究所2014年8月4日公布了全球功率半導(dǎo)體市場的調(diào)查結(jié)果。　　 ? 　　全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模的推移變化和預(yù)測(出處：矢野經(jīng)濟(jì)研究所) (點(diǎn)擊放大) 　　2013年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模(按供貨金額計(jì)算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負(fù)增長，但2013年中國市場的需求恢復(fù)、汽車領(lǐng)域的穩(wěn)步增長以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴(kuò)大等起到了推動(dòng)作用。　　預(yù)計(jì)2014年仍將繼續(xù)增長，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴(kuò)大。矢野經(jīng)濟(jì)研究
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ROHM發(fā)布2015年度第一季度(4~6月)財(cái)務(wù)報(bào)告

　　ROHM Co., Ltd.(總部：日本京都，社長澤村諭，下稱"ROHM")發(fā)布了2015年度第一季度(4~6月)的業(yè)績。　　第一季度銷售額為949億2千萬日元(去年同比增長7.4%)，營業(yè)利潤為115億6千7百萬日元(去年同比增長24.7%)。　　縱觀電子行業(yè)，在IT相關(guān)市場方面，雖然智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備等市場的行情仍然在持續(xù)走高，然而一直以來都保持持續(xù)增長的平板電腦的普及率的上升勢頭大幅下降，個(gè)人電腦市場呈現(xiàn)低迷態(tài)勢。在AV相關(guān)市場方面，雖然4K電視(※1)等高附加
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專利設(shè)計(jì)發(fā)功　ROHM量產(chǎn)溝槽式SiC-MOSFET

　　SiC-MOSFET技術(shù)新突破。羅姆半導(dǎo)體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立完整量產(chǎn)機(jī)制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導(dǎo)通電阻，大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)用變流器等設(shè)備的功率損耗。　　羅姆半導(dǎo)體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示，新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)專利，目前已開始量產(chǎn)。　　羅姆半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)支援部課長蘇建榮表示，相對(duì)于Si-IGBT，SiC
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高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測量

　　目前，電動(dòng)汽車和工業(yè)馬達(dá)的可變速馬達(dá)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進(jìn)化。因?yàn)槭褂昧艘缘碗娮琛⒏咚匍_關(guān)為特點(diǎn)的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器，其應(yīng)用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達(dá)等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。　　各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時(shí)測量，利用它們的差和比
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詳解LED PWM調(diào)光技術(shù)及設(shè)計(jì)注意點(diǎn)

　　無論LED是經(jīng)由降壓、升壓、降壓/升壓或線性穩(wěn)壓器驅(qū)動(dòng)，連接每一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路最常見的線程就是須要控制光的輸出?，F(xiàn)今僅有很少數(shù)的應(yīng)用只需要開和關(guān)的簡單功能，絕大多數(shù)都需要從0～100%去微調(diào)亮度。目前，針對(duì)亮度控制方面，主要的兩種解決方案為線性調(diào)節(jié)LED的電流(模擬調(diào)光)或在肉眼無法察覺的高頻下，讓驅(qū)動(dòng)電流從0到目標(biāo)電流值之間來回切換(數(shù)字調(diào)光)。利用脈沖寬度調(diào)變(PWM)來設(shè)定循環(huán)和工作周期可能是實(shí)現(xiàn)數(shù)字調(diào)光的最簡單的方法，原因是相同的技術(shù)可以用來控制大部分的開關(guān)轉(zhuǎn)換器。　　PWM調(diào)光能調(diào)配準(zhǔn)確色光
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一款專為SiC Mosfet設(shè)計(jì)的DC-DC模塊電源

　　SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關(guān)的特質(zhì)，極大地提升了太陽能逆變器的電源轉(zhuǎn)換效率，拉長新能源汽車的可跑里程，應(yīng)用在高頻轉(zhuǎn)換器上，為重型電機(jī)、工業(yè)設(shè)備帶來高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢。。。。。。。據(jù)調(diào)查公司Yole developmet統(tǒng)計(jì)，SiC Mosfet現(xiàn)有市場容量為9000萬美元，估計(jì)在2013-2020年SiC Mosfet市場將每年增長39%。由此可預(yù)見，SiC即將成為半導(dǎo)體行業(yè)的新寵! 　　SiC Mosfet對(duì)比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢：　　i. 低導(dǎo)通電阻RDS
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世界首家！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日于世界首家開發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。　　另外，此次開發(fā)的SiC-MOSFET計(jì)劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品，目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為
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ROHM（羅姆）舉辦“2015 ROHM科技展”　將于全國5個(gè)城市巡回展出

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM于今年夏季將分別在成都(06/12)、長沙(06/26)、蘇州(07/10)、青島(07/ 24)、哈爾濱(08/07)等5個(gè)城市隆重推出“2015 ROHM科技展”巡展活動(dòng)。在展示ROHM最新產(chǎn)品和技術(shù)的同時(shí)，還包括了由半導(dǎo)體業(yè)界專家和ROHM工程師帶來的主題演講，獲得了眾多工程師的盛情參與。　　“2015 ROHM科技展”以“羅姆對(duì)智能生活的貢獻(xiàn)”為主題，從應(yīng)用層面出發(fā)，介紹功率電子、傳感器網(wǎng)絡(luò)
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SiC功率器件的技術(shù)市場走勢

　　摘要：探討了SiC的技術(shù)特點(diǎn)及其市場與應(yīng)用。　　近期，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在清華大學(xué)內(nèi)舉辦了以“SiC功率元器件技術(shù)動(dòng)向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學(xué)習(xí)會(huì)。此次交流學(xué)習(xí)會(huì)上，ROHM在對(duì)比各種功率器件的基礎(chǔ)上，對(duì)SiC元器件的市場采用情況和發(fā)展趨勢做了分析，并對(duì)ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開發(fā)以及市場情況做了詳盡的介紹。　　各種功率器件的比較　　功率元器件主要用于轉(zhuǎn)換電源，包括四大類：逆變器、轉(zhuǎn)換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉(zhuǎn)換器、矩陣
關(guān)鍵字： SiC 功率器件 ROHM IGBT 201503