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sic jfet 文章 進(jìn)入sic jfet技術(shù)社區(qū)
GaN 出擊
- 自上世紀(jì)五十年代以來(lái),以硅材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。隨著時(shí)間的流逝,盡管目前業(yè)內(nèi)仍然以 Si 材料作為主流半導(dǎo)體材料,但第二代、第三代甚至是第四代半導(dǎo)體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導(dǎo)體材料——氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)受到大眾關(guān)注。近段時(shí)間,GaN 方面又有了新進(jìn)展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日,英飛凌宣布收購(gòu)氮化鎵公司 GaN Systems,交易總值 8.3 億美元(約 57.3 億人民幣)。根據(jù)公告,英飛凌計(jì)劃
- 關(guān)鍵字: GaN SiC
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng))和半橋模塊“SA110”“SA111”(非常適用于眾多高電壓應(yīng)用)兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的
- 關(guān)鍵字: ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex 工業(yè)設(shè)備功率模塊
OBC充電器中的SiC FET封裝小巧,功能強(qiáng)大
- EV 車(chē)載充電器和表貼器件中的半導(dǎo)體電源開(kāi)關(guān)在使用 SiC FET 時(shí),可實(shí)現(xiàn)高達(dá)數(shù)萬(wàn)瓦特的功率。我們將了解一些性能指標(biāo)。引言在功率水平為 22kW 及以上的所有級(jí)別電動(dòng)汽車(chē) (EV) 車(chē)載充電器半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)領(lǐng)域,碳化硅 (SiC) MOSFET 占據(jù)明顯的優(yōu)勢(shì)。UnitedSiC(如今為 Qorvo)SiC FET 具有獨(dú)特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu),其效率高于 IGBT,且比超結(jié) MOSFET 更具吸引力。不過(guò),這不僅關(guān)乎轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的整體損耗。對(duì)于 EV 車(chē)主來(lái)說(shuō),成本、尺寸和
- 關(guān)鍵字: Qorvo OBC SiC
英飛凌持續(xù)賦能數(shù)字化和低碳化,多維度推動(dòng)社會(huì)永續(xù)發(fā)展
- 日前,英飛凌科技大中華區(qū)在京舉辦了2023年度媒體交流會(huì)。英飛凌科技全球高級(jí)副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技大中華區(qū)電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部負(fù)責(zé)人潘大偉率大中華區(qū)諸多高管出席,分享公司在過(guò)去一個(gè)財(cái)年所取得的驕人業(yè)績(jī),同時(shí)探討數(shù)字化、低碳化行業(yè)發(fā)展趨勢(shì),并全面介紹英飛凌前瞻性的業(yè)務(wù)布局。 2022財(cái)年英飛凌全球營(yíng)收達(dá)到142.18億歐元,利潤(rùn)達(dá)到33.78億歐元,利潤(rùn)率為23.8%,均創(chuàng)下歷史新高。其中,大中華區(qū)在英飛凌全球總營(yíng)收中的占比高達(dá)37%,繼續(xù)保持英飛凌全球最大區(qū)域市場(chǎng)的地位,為公司全球業(yè)務(wù)的發(fā)展提供
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 數(shù)字化 低碳化 SiC
Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs
- 中國(guó) 北京,2023 年 3 月 21 日 —— 全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? (納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布,將展示一種全新的無(wú)引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術(shù),其高性能具體表現(xiàn)在:750V SiC FET 擁有全球最低的5.4 (mΩ) 的導(dǎo)通阻抗。這也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 產(chǎn)品 TOLL 封裝系列中的首發(fā)產(chǎn)品,其導(dǎo)通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于空間極其有限的應(yīng)用場(chǎng)景,如從幾百瓦到千萬(wàn)瓦的交流 / 直流電源以及高達(dá)
- 關(guān)鍵字: Qorvo 750V SiC FETs
SiC融資火熱!今年以來(lái)超20家獲融資,金額超23億
- 第三代半導(dǎo)體包括碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN),整體產(chǎn)值又以SiC占80%為重。據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究統(tǒng)計(jì),隨著安森美、英飛凌等與汽車(chē)、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化,將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)產(chǎn)值達(dá)22.8億美元,年成長(zhǎng)41.4%?!鱏ource:TrendForce集邦咨詢(xún)今年以來(lái),SiC領(lǐng)域?qū)沂苜Y本青睞,融資不斷。截至今日,已有20家SiC相關(guān)企業(yè)宣布獲得融資,融資金額超23億。融資企業(yè)包括天科合達(dá)、天域半導(dǎo)體、瞻芯電子、派恩杰等領(lǐng)先企業(yè)。天科合達(dá)天科合達(dá)完成了Pre-IPO輪融
- 關(guān)鍵字: SiC 融資
是時(shí)候從Si切換到SiC了嗎?
- 在過(guò)去的幾年里,碳化硅(SiC)開(kāi)關(guān)器件,特別是SiC MOSFET,已經(jīng)從一個(gè)研究課題演變成一個(gè)重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏(PV)逆變器和電池電動(dòng)車(chē)(BEV)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中采用,但現(xiàn)在,越來(lái)越多的應(yīng)用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中都必須評(píng)估SiC在系統(tǒng)中可能的潛力,以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么,你從哪里開(kāi)始呢?工程師老前輩可能還記得雙極晶體管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快,或者IGBT模塊將雙極達(dá)林頓晶體管模塊踢出逆變器的速度有多快。電力電子的驅(qū)動(dòng)力一直是降低損耗
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 SiC
碳化硅MOSFET加速應(yīng)用于光伏領(lǐng)域 增量市場(chǎng)需求望爆發(fā)
- 據(jù)報(bào)道,近年來(lái),光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來(lái)越快。最近,又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日,德國(guó)KATEK集團(tuán)宣布,其Steca太陽(yáng)能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導(dǎo)體的GeneSiC系列功率半導(dǎo)體,以提高效率,同時(shí)減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術(shù),可以在高溫和高速下運(yùn)行,壽命最多可延長(zhǎng)3倍,適用于大功率和快速上市的應(yīng)用。1月13日,美國(guó)制造商Brek Electronics開(kāi)發(fā)了采
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET
SiC市場(chǎng)產(chǎn)值 今年估增4成
- 根據(jù)市調(diào)統(tǒng)計(jì),隨著安森美(onsemi)、英飛凌(Infineon)等與汽車(chē)、能源業(yè)者合作案明朗化,將推動(dòng)2023年整體碳化硅(SiC)功率組件市場(chǎng)產(chǎn)值達(dá)22.8億美元、年成長(zhǎng)41.4%。 主要成長(zhǎng)原因在于SiC適合高壓、大電流的應(yīng)用場(chǎng)景,能進(jìn)一步提升電動(dòng)車(chē)與再生能源設(shè)備系統(tǒng)效率。集邦表示,SiC功率組件的前兩大應(yīng)用為電動(dòng)車(chē)與再生能源領(lǐng)域,分別在2022年已達(dá)到10.9億美元及2.1億美元,占整體SiC功率組件市場(chǎng)產(chǎn)值約67.4%和13.1%。車(chē)用方面,安森美與大眾汽車(chē)簽屬戰(zhàn)略協(xié)議,另外該系列產(chǎn)品亦被起亞
- 關(guān)鍵字: SiC
市場(chǎng)規(guī)模節(jié)節(jié)攀升,第三代半導(dǎo)體成收購(gòu)的熱門(mén)賽道
- 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)正如火如荼地發(fā)展著,而“圍墻”之外的企業(yè)亦對(duì)此賽道十分看重。近日,中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復(fù)審核,其對(duì)第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開(kāi)拓有了新的進(jìn)展。3月6日,中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購(gòu)買(mǎi)資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報(bào)告書(shū)(草案)(修訂稿)》。根據(jù)該修訂稿,中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式,購(gòu)買(mǎi)博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債、國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾94.6029%股權(quán)。事實(shí)上,除中瓷電子外,近來(lái)還有許多企業(yè)選擇以收購(gòu)的方式,布局或擴(kuò)大第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2023年3月2
- 關(guān)鍵字: 第三代半導(dǎo)體 收購(gòu) SiC GaN
新能源汽車(chē)時(shí)代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC(碳化硅)
- 前 言 1824年,一種全新的材料被瑞典科學(xué)家,貝采里烏斯合成出來(lái),這是一種名為碳化硅的黑色粉末,平平無(wú)奇的樣子,仿佛是隨處可見(jiàn)的灰燼,也許誰(shuí)也沒(méi)能想到,就是這一小撮雜質(zhì)般的黑色顆粒,將會(huì)在近200年后,在其之上長(zhǎng)出絢爛的花朵,幫助人類(lèi)突破半導(dǎo)體的瓶頸。在人類(lèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的起步初期,基于硅(Si)芯片的技術(shù)發(fā)展速度卓越,無(wú)論是成本還是性能都達(dá)到了完美的平衡,自然對(duì)于碳化硅(SiC)沒(méi)有過(guò)多的注意。直到20世紀(jì)90年代,Si基電力電子裝置出現(xiàn)了性能瓶頸,再次激發(fā)
- 關(guān)鍵字: SiC 新能源汽車(chē) 汽車(chē)電子
GaN 時(shí)代來(lái)了?
- 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動(dòng)力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%,預(yù)計(jì)第三代化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)狀況將發(fā)生變化,GaN 被認(rèn)為會(huì)產(chǎn)生后續(xù)替代效應(yīng)。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露,這有望使臺(tái)積電、世界先進(jìn)半導(dǎo)體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益,它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署,并繼續(xù)擴(kuò)大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿(mǎn)足市場(chǎng)上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達(dá) 1200V 的電壓等級(jí),并具備高載流能力,因此非常適合汽車(chē)和機(jī)車(chē)牽引逆變器、高功率太陽(yáng)能發(fā)電場(chǎng)和大型三相電網(wǎng)
- 關(guān)鍵字: GaN SiC
碳化硅快充時(shí)代來(lái)臨,800V高壓超充開(kāi)始普及!
- 一直以來(lái),“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車(chē)脖子的關(guān)鍵問(wèn)題,是車(chē)企和車(chē)主共同的焦慮;但隨著高壓電氣技術(shù)的不斷進(jìn)步和快充時(shí)代的到來(lái),將SiC(碳化硅)一詞推向了市場(chǎng)的風(fēng)口浪尖。繼2019年4月保時(shí)捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后,800V高壓超充終于開(kāi)始了普及。相比于400V,800V帶來(lái)了更高的功效,大幅提升功率,實(shí)現(xiàn)了15分鐘的快充補(bǔ)能。而構(gòu)建800V超充平臺(tái)的靈魂就是材料的革新,基于碳化硅的新型控制器,便引領(lǐng)著這一輪高壓技術(shù)的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺(tái)Si(硅)早已
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 SiC
5大重要技巧讓您利用 SiC 實(shí)現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品!
- 當(dāng)您設(shè)計(jì)新電力電子產(chǎn)品時(shí),您的目標(biāo)任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求,但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個(gè)必須實(shí)現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿(mǎn)足這些目標(biāo)的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)電源,其應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē) (EV) 充電站等。為何選擇 SiC?為了證明您選擇 SiC 作為開(kāi)關(guān)模式設(shè)計(jì)的首選功率半導(dǎo)體是正確的,請(qǐng)考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級(jí)結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比,SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
- 關(guān)鍵字: 安森美 SiC
英飛凌與Resonac擴(kuò)大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應(yīng)協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)持續(xù)擴(kuò)大與碳化硅(SiC)供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國(guó)的半導(dǎo)體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年,雙方就曾簽署合作協(xié)議,此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進(jìn)一步豐富和擴(kuò)展,將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示,英飛凌未來(lái)十年用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的SiC材料中,約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期,Resonac將主要供應(yīng)6英寸SiC
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 Resonac 碳化硅 SiC
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