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          德州儀器推出業(yè)界速度最快的 JFET 輸入放大器

          •   日前,德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運算放大器,其可實現(xiàn)3 倍于同類競爭產(chǎn)品的 2675 V/us 壓擺率,從而可顯著提高脈沖響應。上述放大器將寬帶電壓反饋放大器與高阻抗 JFET 輸入級完美結(jié)合,可通過其高頻率帶寬和低總諧波失真充分滿足頻率域與 FET 分析的需求。   OPA653 與 OPA659 的主要特性與優(yōu)勢 業(yè)界最佳的壓擺率與低失真可提高時間域和脈沖型應用的信號完整性:     o OPA653 是一款具有 2675
          • 關(guān)鍵字: TI  運算放大器  JFET   

          即將普及的碳化硅器件

          •   隨綠色經(jīng)濟的興起,節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中,人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題,電能消耗約占人類總耗能的七成,提高電力利用效率被提至重要地位。   據(jù)統(tǒng)計,60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的,而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件,也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。   在這種情況下,性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
          • 關(guān)鍵字: 豐田  SiC  碳化硅  MOSFET  200910  

          SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

          • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型,利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC,研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片,連續(xù)波測試顯示,頻率為9.1~10.1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W,帶內(nèi)增益大于12 dB,增益平坦度為±0.2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
          • 關(guān)鍵字: MMIC  SiC  GaN  襯底    

          SiC二極管逆變器投入應用,讓燃料電池車更輕

          •   日產(chǎn)汽車開發(fā)出了采用SiC二極管的汽車逆變器。日產(chǎn)已經(jīng)把該逆變器配備在該公司的燃料電池車“X-TRAIL FCV”上,并開始行駛實驗。通過把二極管材料由原來的Si變更為SiC,今后有望實現(xiàn)逆變器的小型輕量化、提高可靠性。對于電動汽車而言,逆變器的大小一直是布局的制約因素之一。   SiC元件作為具有優(yōu)異特性的新一代功率半導體備受矚目。SiC的絕緣破壞電場比Si大1位數(shù)左右,理論上SiC導通電阻可比Si減小2位數(shù)以上。原因是導通電阻與絕緣破壞電場3次方成反比。導通電阻小,因此可
          • 關(guān)鍵字: 二極管  SiC  汽車  逆變器  日產(chǎn)  

          探討基于SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案

          •   人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域,人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間,并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了,但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個不小的挑戰(zhàn)。本文介紹采用IMEC的SiC技術(shù),它的開發(fā)重點是進一步縮小集成后的EEG系統(tǒng)體積以及將低功耗處理技術(shù)、無線通信技術(shù)和能量提取技術(shù)整合起來,在已有系統(tǒng)上增加一個帶太陽能電池和能量存儲電路的額外堆疊層,這樣就能構(gòu)成一套完全獨立的生物電信號采集方案。   
          • 關(guān)鍵字: SiC  EEG  生物電信號采集  IMEC  

          車載SiC功率半導體前景光明 逆變器大幅實現(xiàn)小型化及低成本化

          •   豐田汽車在“ICSCRM 2007”展會第一天的主題演講中,談到了對應用于車載的SiC功率半導體的期待。為了在“本世紀10年代”將其嵌入到混合動力車等所采用的馬達控制用逆變器中,“希望業(yè)界廣泛提供合作”。如果能嵌入SiC半導體,將有助于逆變器大幅實現(xiàn)小型化及低成本化。   在汽車領(lǐng)域的應用是許多SiC半導體廠商瞄準的目標,但多數(shù)看法認為,就元器件的成本、性能及可靠性而言,比起在產(chǎn)業(yè)設備以及民用設備上配備,在汽車上配備的障礙更大。該公司雖然沒有透露計劃采用SiC半導體的日期,但表示“到本世紀10年代前
          • 關(guān)鍵字: 汽車電子  豐田  SiC  半導體  汽車電子  

          京大等三家開發(fā)成功SiC外延膜量產(chǎn)技術(shù)

          •    京都大學、東京電子、羅姆等宣布,使用“量產(chǎn)型SiC(碳化硅)外延膜生長試制裝置”,確立對SiC晶圓進行大批量統(tǒng)一處理的技術(shù)已經(jīng)有了眉目。由此具備耐高溫、耐高壓、低損耗、大電流及高導熱系數(shù)等特征的功率半導體朝著實用化邁出了一大步。目前,三家已經(jīng)開始使用該裝置進行功率半導體的試制,面向混合動力車的馬達控制用半導體等環(huán)境惡劣但需要高可靠度的用途,“各廠商供應工程樣品,并獲得了好評”。      此次開發(fā)的是SiC外延生長薄膜的量產(chǎn)技術(shù)。
          • 關(guān)鍵字: 消費電子  京大  SiC  外延膜  消費電子  
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          sic jfet介紹

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