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	sic jfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
          
                                                            
            
                    	
          • 　　與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。

　　SiC功率半導體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
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          • 關(guān)鍵字：
                        SiC  GaN                          
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          在光伏逆變器中運用SiC BJT實現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本
          
                                                            
            
                    	
          • 最近，碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命，生產(chǎn)出一款可實現(xiàn)更高功率密度、更低系統(tǒng)成本且設(shè)計更簡易的...
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          • 關(guān)鍵字：
                        光伏逆變器  SiC  BJT                          
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          通過基片薄型化降低導通電阻漸成趨勢
          
                                                            
            
                    	
          • 　　通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。
　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。
　　比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
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          • 關(guān)鍵字：
                        三菱電機  SiC                          
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          SiC二極管 通過基片薄型化降低導通電阻
          
                                                            
            
                    	
          • 　　通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。
　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。
　　比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
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          • 關(guān)鍵字：
                        SiC  二極管                          
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          新日本無線新推出粗銅線絲焊類型的音頻SiC-SBD
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗銅線有利于降低損耗提高效率，SiC-SBD專長于高速開關(guān)動作，再加上注重最佳音質(zhì)的制造工藝技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)高音質(zhì)音響效果。
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          • 關(guān)鍵字：
                        新日本無線  SiC-SBD  MUSES                          
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          美高森美全新650V碳化硅肖特基解決方案提升大功率系統(tǒng)性能
          
                                                            
            
                    	
          • 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 擴展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列，推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列，新型二極管產(chǎn)品瞄準包括太陽能逆變器的大功率工業(yè)應(yīng)用。
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          • 關(guān)鍵字：
                        美高森美  SiC                          
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          功率半導體的革命：SiC與GaN的共舞（二）
          
                                                            
            
                    	
          • GaN和SiC將區(qū)分使用　　2015年，市場上或許就可以穩(wěn)定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時GaN類功率元件 ...
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          • 關(guān)鍵字：
                        功率  半導體  SiC  GaN                          
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          山東天岳及韓國SK集團等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在SiC及GaN等新一代功率半導體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導體國際學會“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上，最近開始擴大SiC晶圓業(yè)務(wù)的亞洲企業(yè)紛紛出展。
　　山東天岳先進材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開始對外銷售的直徑2～4英寸(50mm～100mm)的SiC裸晶圓。該公司當前的目標
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          • 關(guān)鍵字：
                        SiC  晶圓                          
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          PV逆變器應(yīng)用升溫，推動SiC功率元件發(fā)展
          
                                                            
            
                    	
          • 碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽能（PV）逆變器應(yīng)用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳...
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          • 關(guān)鍵字：
                        PV  逆變器  SiC  功率元件                          
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          SiC和GaN是“下一代”還是“當代”？
          
                                                            
            
                    	
          • 　　SiC企業(yè)不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導體已經(jīng)不再特別?！边@是因為，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導體”的大量發(fā)布，在學會和展會的舞臺上，這種功率半導體逐漸帶上了“當代”的色彩。
　　那么，在使用功率半導體的制造現(xiàn)場，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導體使用者的心目中，此類產(chǎn)品已逐漸由
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          • 關(guān)鍵字：
                        SiC  GaN                          
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          GT推出碳化硅爐新產(chǎn)品線
          
                                                            
            
                    	
          • GT Advanced Technologies(納斯達克：GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產(chǎn)爐。 SiClone100采用升華生長技術(shù)，能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。 在其初步階段，SiClone100主要針對本身已經(jīng)擁有熱場、合格的晶體塊生產(chǎn)配方及正準備開始量產(chǎn)的客戶。
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          • 關(guān)鍵字：
                        GT  SiC  晶體                          
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          未來十年GaN和SiC功率半導體市場將以18%的速度穩(wěn)增
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。
　　據(jù)有關(guān)報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。
　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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          • 關(guān)鍵字：
                        GaN  半導體  SiC                          
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          未來十年GaN和SiC功率半導體市場將以18%的速度穩(wěn)增
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。
　　據(jù)有關(guān)報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。
　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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          SiC集成技術(shù)在生物電信號采集設(shè)計
          
                                                            
            
                    	
          • SiC集成技術(shù)在生物電信號采集設(shè)計, 人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域，人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體
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                        SiC  集成技術(shù)  生物電信號采集                            
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          Microsemi公司推出工業(yè)級碳化硅功率模塊系列產(chǎn)品
          
                                                            
            
                    	
          • 　　致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)日前宣布，推出新一代工業(yè)溫度碳化硅(SiC)標準功率模塊。新產(chǎn)品非常適用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬達驅(qū)動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其他高功率高電壓工業(yè)應(yīng)用。該功率模塊系列還擴展了溫度范圍，以滿足下一代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對于功率密度、工作頻率和效率的更高要求。
　　SiC技術(shù)比硅材料提供更高的擊穿電場強度和更好的熱傳導性
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                        Microsemi  SiC                          
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