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          Vishay發(fā)布新型光隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器--- VOM1271。新器件集成了關(guān)斷電路,因此不需要外部的關(guān)斷元件和副邊供電電源。新的MOSFET驅(qū)動(dòng)器極大降低了配置成本和PCB空間,并提高了整體的系統(tǒng)可靠性和性能。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  

          Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要

          • b觸點(diǎn)型“PhotoMOS”的開(kāi)發(fā)隨著PhotoMOSMOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢(shì)被廣泛了解,人們將其用于信息通信...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  光電耦合器  

          實(shí)現(xiàn)汽車(chē)器件0ppm目標(biāo)的舉措

          • 汽車(chē)可靠性和AEC資格認(rèn)證汽車(chē)可能是我們每個(gè)人擁有的最可靠的設(shè)備之一。這可能聽(tīng)起來(lái)有失偏頗,并且如果您的...
          • 關(guān)鍵字: 汽車(chē)電子  IR  MOSFET  

          雙柵極SET與MOSFET的混合特性

          • 雙柵極SET 與MOSFET 的混合特性  由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構(gòu)成雙柵極SET/MOSFET ...
          • 關(guān)鍵字: 雙柵極  SET  MOSFET  

          MOSFET柵漏電流噪聲分析

          • CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì),導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長(zhǎng)度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄,柵漏電流越 ...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  柵漏電流  噪聲分析  

          瑞薩電子推出工業(yè)用首個(gè)微控制器

          • 高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍廠(chǎng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE:6723,以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩”),于日前發(fā)布了最新的用于個(gè)人計(jì)算機(jī)CPU、服務(wù)器和儲(chǔ)存系統(tǒng)的供電穩(wěn)壓器 (VR) 芯片集誕生。它包括行業(yè)首個(gè)集成微控制器(MCU)數(shù)字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢測(cè)電路的智能脈寬調(diào)制(PWM)- Driver - MOSFET功率器件DrMOS)R2J20759NP。
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  MCU  MOSFET  

          安森美推出采用極緊湊、低厚度封裝的最小MOSFET

          • 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)擴(kuò)充公司寬廣的接口及電源管理產(chǎn)品陣容,推出一對(duì)優(yōu)化的超小超薄小信號(hào)MOSFET,用于空間受限的便攜消費(fèi)電子產(chǎn)品,如平板電腦、智能手機(jī)、GPS系統(tǒng)、數(shù)字媒體播放器及便攜式游戲機(jī)。
          • 關(guān)鍵字: 安森美  MOSFET  

          Vishay的17款新器件擴(kuò)充600V N溝道功率MOSFET系列

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件,將該系列MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到39m?~600m?,將最高電流等級(jí)擴(kuò)展至7A~73A。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

          Intersil擴(kuò)展業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的“HIP”橋式驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列

          • 全球高性能模擬混合信號(hào)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼:ISIL)日前宣布,推出面向電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的業(yè)內(nèi)領(lǐng)先“HIP”系列MOSFET橋式驅(qū)動(dòng)器新品---HIP212x系列。該100V、2A高頻半橋驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品家族提供最短的上升/下降時(shí)間,可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間控制和靈活的控制輸出。
          • 關(guān)鍵字: Intersil  MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  

          功率MOSFET管驅(qū)動(dòng)變壓器設(shè)計(jì)

          • 摘要: 對(duì)具有驅(qū)動(dòng)變壓器的功率MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路的動(dòng)態(tài)過(guò)程進(jìn)行了分析,推導(dǎo)了驅(qū)動(dòng)變壓器設(shè)計(jì)參數(shù)(繞組電流有效值,變壓器功率)的計(jì)算方法,定量分析了變壓器漏感和電路雜散電感對(duì)開(kāi)通過(guò)程的影響,并通過(guò)仿真和試
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動(dòng)  變壓器設(shè)計(jì)    

          Vishay推出新款單路12V器件--SiA447DJ

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ,以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU,擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III系列P溝道功率MOSFET。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

          Intersil推出業(yè)內(nèi)最堅(jiān)固O(píng)Ring控制器

          • 全球高性能模擬混合信號(hào)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼:ISIL)日前宣布,<0}推出以最小功率耗散提供電源冗余和保護(hù)的堅(jiān)固、緊湊型ORing FET控制器。
          • 關(guān)鍵字: Intersil  MOSFET  ISL6146  

          同步降壓MOSFET電阻比的選擇

          • 在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中,我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理,而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常,作為設(shè)計(jì)過(guò)程的一個(gè)組
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  同步降壓  電阻比    

          恩智浦提供汽車(chē)認(rèn)證雙通道Power-SO8 MOSFET

          • 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼:NXPI)近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET,專(zhuān)為燃油噴射、ABS和穩(wěn)定性控制等汽車(chē)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。恩智浦LFPAK56D系列產(chǎn)品完全符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),具有一流的性能和可靠性;同時(shí),與通常需要使用兩個(gè)器件的DPAK解決方案相比,節(jié)省了77%的占位面積。
          • 關(guān)鍵字: 恩智浦  LFPAK56D  MOSFET  

          意法半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)功率MOSFET系列產(chǎn)品

          • 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管,助力技術(shù)型企業(yè)滿(mǎn)足日益嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)功率和能效的要求,瞄準(zhǔn)太陽(yáng)能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動(dòng)汽車(chē)等綠色能源應(yīng)用。
          • 關(guān)鍵字: 意法  晶體管  MOSFET  LED  
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          sic mosfet介紹

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