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IR 推出具有基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻的全新300V功率MOSFET
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國際整流器公司(InternationalRectifier，簡稱IR)近日推出配備IR最新...
- 關(guān)鍵字： 基準(zhǔn)導(dǎo)通 300V功率 MOSFET
基于SG3525A的太陽能逆變電源設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 引言本文涉及的是光明工程中一個課題的具體技術(shù)問題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電，...
- 關(guān)鍵字： SG3525A 逆變電源 MOSFET-90N10
汽車應(yīng)用MOSFET的技術(shù)趨勢
- 汽車應(yīng)用MOSFET半導(dǎo)體制造商在金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）技術(shù)領(lǐng)域取得了重大進(jìn)步，并繼續(xù)積極發(fā)展。先進(jìn)的功率MOS...
- 關(guān)鍵字： 汽車應(yīng)用 MOSFET 電機(jī)控制
隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧
- 功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
- 關(guān)鍵字： 門極驅(qū)動光耦 隔離驅(qū)動IGBT Power MOSFET
第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立 難分高下
- 進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。 SiC早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，但直到1955年，才有生長高品質(zhì)碳化硅的方法出現(xiàn);到了1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進(jìn)入市場;進(jìn)入21世紀(jì)后，SiC的商業(yè)應(yīng)用才算全面鋪開。相對于Si，SiC的優(yōu)點(diǎn)很多：有10倍的電場強(qiáng)度，高3倍的熱導(dǎo)率，寬3倍禁帶寬度，高一倍的飽和漂
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC 半導(dǎo)體
電源設(shè)計(jì)小貼士46：正確地同步降壓FET時(shí)序
- 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個過渡階段：低...
- 關(guān)鍵字： FET MOSFET 電源設(shè)計(jì)小貼士 德州儀器
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