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          PCIM2024論文摘要|離網場景下SiC MOSFETs應用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢

          • 梗概隨著全球低碳化的進程,可再生能源發(fā)電占比及滲透率越來越高,此種背景下,儲能系統的引入有效抑制了新能源發(fā)電的波動性,PCS作為儲能系統的核心裝置應用廣泛。在工商業(yè)應用里,存在單相負載與三相不平衡負載,為了滿足單相供電需求以及對三相不平衡電壓的抑制,三相四線變流器拓撲是非常必要的,常見的拓撲形式有以下幾種:a)三橋臂分裂電容式拓撲b) 平衡橋臂拓撲圖一分裂電容式拓撲,由于N線電流流過母線電容,電容容量需求增大,且直流電壓利用率較低,諧波畸變較大,抑制三相不平衡能力相對有限,平衡橋臂式拓撲通過硬件電路增強中
          • 關鍵字: 英飛凌  MOSFET  

          Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產品組合可提供更高的設計靈活性

          • Nexperia近日宣布,公司正在持續(xù)擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產品組合,并推出了幾款采用行業(yè)標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進行了優(yōu)化,可在服務器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應用以及各種電信、電機控制和其他工業(yè)設備中提供高效率和低尖峰。設計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇,RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。許多MOSFET
          • 關鍵字: Nexperia  NextPower  MOSFET  

          ROHM開發(fā)出安裝可靠性高的車載Nch MOSFET,非常適用于汽車車門、座椅等所用的各種電機以及LED前照燈等應用!

          • ~符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101,有助于車載應用的高效運行和小型化~全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出具有低導通電阻*1優(yōu)勢的車載Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新產品非常適用于汽車門鎖和座椅調節(jié)裝置等所用的各種電機以及LED前照燈等應用。目前,3種封裝10種型號的新產品已經開始銷售,未來會繼續(xù)擴大產品陣容。在汽車領域,隨著安全性和便捷性的提高,電子產品逐漸增加,使得所安裝的電子元器件數量也
          • 關鍵字: ROHM  Nch MOSFET  汽車車門  座椅  電機  LED前照燈  

          很基礎的MOS管知識

          • 半導體三極管中參與導電的有兩種極性的載流子,所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管,這種三極管只有一種載流子參與導電,所以也稱為單極型三極管,因為這種管子是利用電場效應控制電流的,所以也叫場效應三極管(FET),簡稱場效應管。場效應管可以分成兩大類,一類是結型場效應管(JFET),另一類是絕緣柵場效應管(MOSFET)。在如果你在某寶里搜索“場效應管”你會發(fā)現,搜索出來的基本上是絕緣柵場效應管。即使搜索“結型場效應管”,出來的也只有幾種,你是不是懷疑結型場效應管已經被人類拋棄了的感覺,沒錯,JFE
          • 關鍵字: 三極管  MOSFET  JFET  

          實現3.3KW高功率密度雙向圖騰柱PFC數字電源方案

          • 隨著社會經濟發(fā)展、能源結構變革,近幾年全球對家用儲能系統的需求量一直保持相當程度的增長。2023年,全球家用儲能系統市場銷售額達到了87.4億美元,預計2029年將達到498.6億美元,年復合增長率(CAGR)為33.68%(2023-2029);便攜儲能市場經過了一輪爆發(fā)式增長的狂歡后,現在也迎來了穩(wěn)定增長期,從未來看,預計在2027年便攜儲能市場將達到900億元;AI Server市場規(guī)模持續(xù)增長,帶來了數字化、智能化服務器所需的高功率服務器電源的需求,現在單機3KW的Power也成為了標配。對于
          • 關鍵字: Infineon  XMC1400  CoolSiC  Mosfet   高功率密度  雙向圖騰柱  PFC  數字電源  

          還分不清結型場效應管與絕緣柵?看這一文就夠了,圖表展現

          • JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于,通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結上的電場引導,而在 MOSFET 中,導電性是由于嵌入在半導體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場。JFET 與 MOSFET的區(qū)別兩者之間的下一個關鍵區(qū)別是,JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小,因為后者嵌入了絕緣體,因此漏電流更少。JFET?通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具,具有低漏極電阻,而?MOSFET?通常被稱為“OFF 器件”,
          • 關鍵字: 結型場效應管  jfet  MOSFET  電路設計  

          貿澤開售適合能量轉換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

          • 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產品授權代理商貿澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術,開啟了電力系統和能量轉換的新篇章,適用于光伏逆變器、能量儲存系統、電動汽車充電、電源和電機驅動應用。貿澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見電源方案組合(AC-DC、DC-DC和DC-A
          • 關鍵字: 貿澤  英飛凌  CoolSiC G2  MOSFET  

          英飛凌OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET ,助力汽車控制器應用

          • OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET概況采用OptiMOS? 7 技術的40V車規(guī)MOSFET產品系列,進一步提升比導通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實現更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實現相同的RDSON。如下圖所示,英飛凌40V MOSFET不同代際產品在比導通電阻的演進。英飛凌40V MOSFET比導通電阻代際演進英飛凌OptiMOS? 7 技術是英飛凌開發(fā)的第五代溝槽技術,是當今領先的雙多晶硅溝槽技術。無引腳封裝結合銅夾技術的使用,大幅提高了產品的電流能
          • 關鍵字: OptiMOS  MOSFET  英飛凌  

          用先進的SPICE模型模擬MOSFET電流-電壓特性

          • 在本文中,我們使用90nm CMOS的SPICE模型來繪制NMOS晶體管的關鍵電學關系。在前一篇文章中,我解釋了如何獲得集成電路MOSFET的高級SPICE模型,并將其納入LTspice仿真中。然后,我們使用這個模型來研究NMOS晶體管的閾值電壓。在本文中,我們將使用相同的模型來生成直觀地傳達晶體管電氣行為的圖。繪制漏極電流與漏極電壓我們將從生成漏極電流(ID)與漏極-源極電壓(VDS)的基本圖開始。為此,我們將柵極電壓設置為遠高于閾值電壓的固定值,然后執(zhí)行直流掃描模擬,其中VDD的值逐漸增加。圖1顯示了
          • 關鍵字: LTspice  MOSFET  NMOS  

          英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,適用于高成本效益的先進電源應用

          • 英飛凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS??8?高壓超結(SJ)MOSFET產品系列。該系列器件結合了600 V CoolMOS??7 MOSFET系列的先進特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7?和?S7產品系列的后續(xù)產品。全新超結MOSFET實現了具有高成本效益的硅基解決方案,豐富了英飛凌的寬帶隙產品陣容。該系列產品配備集成式快速體二極管,適用于服務器和工業(yè)開關模式電源裝置(SMPS)、電動汽車充電器、微型太陽能等廣泛應用。這些元件采
          • 關鍵字: 英飛凌  oolMOS 8  SJ  MOSFET  電源應用  

          瞻芯電子:第三代SiC MOSFET通過車規(guī)認證

          • 6月23日,瞻芯電子宣布,公司基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品已經通過車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試認證。同時,瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產,后續(xù)將依托浙江義烏的車規(guī)級SiC晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產品。瞻芯電子成立于2017年,是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領域的高科技芯片公司,致力于開發(fā)碳化硅(SiC)功率器件、驅動和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產品。瞻芯電子表示,第三代1200V 13
          • 關鍵字: 瞻芯電子  SiC  MOSFET  車規(guī)認證  

          英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400V,重新定義AI服務器電源的功率密度和效率

          • 隨著人工智能(AI)處理器對功率的要求日益提高,服務器電源(PSU)必須在不超出服務器機架規(guī)定尺寸的情況下提供更高的功率,這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末,每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現,促使英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)開發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產品?,F在,英飛凌基于今年早些時候發(fā)布的第二代(G2)CoolSiCTM技術,推出全新CoolSiC??MOS
          • 關鍵字: 英飛凌  CoolSiC MOSFET  AI服務器電源  

          英飛凌推出集成高精度溫度傳感器的新型600V CoolMOS S7TA MOSFET

          • 全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出適用于汽車功率管理應用的600 V CoolMOS? S7TA超級結MOSFET。S7TA專為滿足汽車電子部件的特殊要求而設計,其集成溫度傳感器在工業(yè)應用同類產品(CoolMOS? S7T)取得的進步基礎上,顯著提高了結溫傳感的精度,因此具有諸如更高的耐用性、安全性和效率等對于汽車領域至關重要的優(yōu)勢。與同系列中的工業(yè)級產品一樣,車規(guī)級CoolMOS? S7TA?尤其適合固態(tài)繼電器(SSR)應用。它具有出色的RDS(on)?
          • 關鍵字: 英飛凌  溫度傳感器  CoolMOS  MOSFET  

          一文了解SiC MOS的應用

          • 作為第三代半導體產業(yè)發(fā)展的重要基礎材料,碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統電力轉換效率,并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統中,應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件,可以實現更低的開關和導通損耗,同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力,顯著提升系統效率及功率密度,從而降低系統綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領域包括:充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車空調、新能
          • 關鍵字: SiC  MOS  碳化硅  MOSFET  

          新型OptiMOS 7 MOSFET改進汽車應用中的導通電阻、設計穩(wěn)健性和開關效率

          • 英飛凌科技股份公司正在擴大其用于汽車應用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產品組合,在40 V?產品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件,并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標準和未來的48 V汽車應用進行了優(yōu)化,包括電動助力轉向、制動系統、新區(qū)域架構中的功率開關、電池管理、電子保險絲盒,以及各種12 V和48 V電氣系統應用中的直流/直流和BLDC驅動器等。這些產品還適用于輕型電動汽車(LEV)、電動二輪車、電動踏板車、電動摩
          • 關鍵字: 英飛凌科技  汽車應用  OptiMOS? 7   MOSFET  
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