紅色供應(yīng)鏈來(lái)勢(shì)洶洶，外界原本認(rèn)為，陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過(guò)有分析師預(yù)測(cè)，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。

　　巴 倫(Barronˋs)6日?qǐng)?bào)導(dǎo)，美系外資晶片設(shè)備分析師Atif Malik稱，中國(guó)透過(guò)Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術(shù)授權(quán)。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權(quán)協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲(chǔ)存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate)的NAND IP。Malik表示，他們相信2017年底就能取得48層3D NAND的驗(yàn)證，2018年進(jìn)行量產(chǎn)。

　　目前只有三星有能力量產(chǎn)48層3D NAND，另一記憶體大廠SK海力士預(yù)料要到今年下半才能生產(chǎn)。

　　與 此同時(shí)，Malik也指出，中國(guó)投入半導(dǎo)體市場(chǎng)，對(duì)設(shè)備商來(lái)說(shuō)短多長(zhǎng)空。中國(guó)砸錢大買設(shè)備建廠，應(yīng)用材料(Applied Materials)、Lam Research一開(kāi)始有望受惠。但是長(zhǎng)期而言，設(shè)備業(yè)者將流失非中國(guó)業(yè)者訂單。這是“零和游戲”，中國(guó)訂單大增，表示其他記憶體和晶圓代工大廠需要減少 資本開(kāi)支。(注：零和游戲/zero sum game，一方獲利意味另一方將蒙受損失、兩者相加的總和永遠(yuǎn)為零)

　　他強(qiáng)調(diào)，中國(guó)加入不會(huì)擴(kuò)大全球半導(dǎo)體設(shè)備支出，因?yàn)橹袊?guó)向半導(dǎo)體的三大資本開(kāi)支大廠，采購(gòu)大量晶片。這三大業(yè)者分別是臺(tái)積電(2330)、英特爾、三星電子。中國(guó)計(jì)畫(huà)2020年前，國(guó)內(nèi)消費(fèi)的40%晶片改為自制。

　　巴 倫(Barronˋs)網(wǎng)站4月12日?qǐng)?bào)導(dǎo)，Bernstein分析師Mark Newman表示，記憶體業(yè)者自相殘殺，等到中國(guó)廠商進(jìn)入市場(chǎng)，情況將急轉(zhuǎn)直下。報(bào)告稱，中國(guó)可能是足以顛覆市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)者，他們財(cái)力雄厚，等到供給上線 后，市況將慘不忍睹。武漢新芯(XMC)的3D NAND技術(shù)大約落后領(lǐng)先廠商4~5年，他們打算狂燒資本加緊追趕，等到量產(chǎn)之后，市場(chǎng)供給過(guò)剩將更加惡化。

　　巴倫(Barronˋs)網(wǎng) 站、韓媒etnews 4月報(bào)導(dǎo)，Brean Capital的Mike Burton表示，目前只有三星有能力制造3D NAND，其他業(yè)者要到今年下半才開(kāi)始生產(chǎn)。3D NAND采用較舊制程(35~50奈米)，業(yè)者能以較低成本、提高產(chǎn)能。英特爾主管David Lundell表示，預(yù)計(jì)大連廠會(huì)在今年底量產(chǎn)3D NAND。