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          SAM4E單片機(jī)之旅——16、NAND Flash讀寫

          作者: 時間:2017-04-12 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            這次大概介紹了一下 Flash,以及在ASF中使用它的方法。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201704/346498.htm

            一、 接線

            這個開發(fā)板搭載了一個256 MB,8位的 Flash(MT29F2G08ABAEA)。引腳接線如下:

              

          wps_clip_image-17474

           

            偷個懶,直接上引腳復(fù)用的圖。其中PC14表明該 FLASH需要作為SMC的外設(shè)0使用。通過使用NANDOE和NANDWE引腳說明需要使用芯片的NAND Flash控制邏輯。另外,PC18復(fù)用為輸入引腳,用以查詢芯片的狀態(tài)。

              

          wps_clip_image-1894

           

            二、 NAND Flash

            組織結(jié)構(gòu)與尋址

            NAND Flash的容量較大。整片F(xiàn)lash分為若干個塊(Block),每個Block分為若干個頁(Page)。在每個頁中,除了數(shù)據(jù)區(qū)域,也包含若干“多余”的區(qū)域,用來進(jìn)行ECC等操作。在進(jìn)行擦除操作是,基本單位是“塊”;而編程的基本單位是“頁”。

            另外,NAND Flash的物理特性決定了其在編程時,每個bit只能從1變成0。所以在寫入前,必須先對該塊進(jìn)行擦除(擦除時把所有位置為1)。

            該Flash的結(jié)構(gòu)如下(忽略plane):

              

          wps_clip_image-30709

           

            在尋址時,是通過行地址和列地址指定儲存單元的。其中行地址表示頁的編號,列地址表示指定在目標(biāo)地址在該頁的位置。

            讀寫時序

            因?yàn)闆]有地址線,所以讀寫較為復(fù)雜。讀寫時,需要先發(fā)送相應(yīng)操作命令,然后發(fā)送地址,才能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。一個簡單的“頁讀取”操作時序圖如下:

              

          wps_clip_image-13318

           

            該命令首先拷貝整個頁到NAND Flash的cache寄存器中,然后在需要輸出的時候,再從指定的列地址開始輸出。

            PS,該NAND Flash支持在上電的時候自動送出第一頁的數(shù)據(jù),所以經(jīng)過適當(dāng)?shù)呐渲?,也是可以通過它進(jìn)行Boot的。

            CE# Don’t Care

            在給NAND Flash發(fā)送完命令后,F(xiàn)lash需要一個準(zhǔn)備的過程。在這個過程中,需要保持片選信號的有效。(據(jù)說否則Flash就會進(jìn)入低功耗狀態(tài))

            一個簡單的方法是使用GPIO直接控制這個引腳。在ASF中使用的即是這個方法。

            另外的方法即是使用Flash的“CE# Don’t Care”功能。開啟這個功能后,即使片選無效,F(xiàn)lash也會進(jìn)行工作。這樣做的好處是不用再手動控制片選信號線外;同時可以在Flash進(jìn)行內(nèi)部操作時,可以進(jìn)行其他的片選。比如在一塊Flash忙時,可以給另外一塊Flash發(fā)送命令。但是,開啟這個功能可能會增加Flash的功耗。

            三、 ASF中NAND Flash使用

            準(zhǔn)備

            在ASF Wizard中添加“NAND Flash on EBI”模塊。

            在conf_board.h中進(jìn)行如下聲明,記得調(diào)用board_init():

            1#define CONF_BOARD_NAND

            Flash 初始化

            在board_init()之后,調(diào)用nand_flash_raw_initialize() 即可完成NAND Flash的初始化工作。

            struct nand_flash_raw nf_raw;

            memset((void*)&nf_raw, 0, sizeof(nf_raw));

            // Init NAND Flash, and get informations into nf_raw

            if (nand_flash_raw_initialize(&nf_raw, 0,

            BOARD_NF_COMMAND_ADDR, BOARD_NF_ADDRESS_ADDR, BOARD_NF_DATA_ADDR)) {

            MainExit();

            }

            該函數(shù)中,會對SMC和若干引腳進(jìn)行配置;同時對Bus matrix進(jìn)行設(shè)置,以使用芯片提供的NAND Flash邏輯功能。

            然后會對NAND Flash進(jìn)行重置。接著就會讀取該Flash的ID,并根據(jù)該ID檢測Flash的參數(shù),如page大小,block數(shù)目等。

            基本操作

            在nand_flash_raw.h中還提供了一些比較基礎(chǔ)的操作。

            以下代碼對所有的塊進(jìn)行擦除,若在擦除中碰到錯誤,則打印出來(這里printf會通過UART0口打印,以后有機(jī)會會說怎么實(shí)現(xiàn)):

            // Get NAND's information from nf_raw

            const struct nand_flash_model* nf_mod = &(nf_raw.model);

            int num_block = nand_flash_model_get_device_size_in_blocks(nf_mod);

            // Erase all block

            printf("Erasing NAND Flash...nr");

            int error;

            for (int i = 0; i < num_block; i++) {

            error = nand_flash_raw_erase_block(&nf_raw, i);

            if (error == NAND_COMMON_ERROR_BADBLOCK) {

            printf("-E- Block %u is BAD block. nr", i);

            }

            }

            還有page的寫入、讀取和拷貝等操作就不一一列舉了……



          關(guān)鍵詞: SAM4E NAND

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