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          Power Integrations宣布旗下適用于SiC MOSFET的SCALE-iDriver現(xiàn)已通過AEC-Q100汽車級認(rèn)證

          —— 外形緊湊、堅固耐用的隔離型SiC MOSFET驅(qū)動器集成了有源鉗位并且短路關(guān)斷時間<2μs
          作者: 時間:2020-03-18 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極技術(shù)領(lǐng)域的知名公司近日宣布,其適合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率單通道門極 SIC118xKQ SCALE-iDriver?現(xiàn)已通過AEC-Q100汽車級。新品件經(jīng)過設(shè)定后可支持常用SiC MOSFET的門極驅(qū)動電壓要求,并具有先進(jìn)的安全和保護(hù)特性。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202003/411055.htm

          SIC1182KQ  (1200V)和 SIC1181KQ  (750V) SCALE-iDriver器件可驅(qū)動汽車應(yīng)用中的SiC MOSFET,新產(chǎn)品具有軌到軌輸出、快速門極開關(guān)速度、支持正負(fù)輸出電壓的單極供電電壓、集成的功率和電壓管理以及加強絕緣。重要安全特性包括漏源極(VDS)監(jiān)測、電流檢測讀出、原方和副方欠壓保護(hù)(UVLO)、限流門極驅(qū)動以及可確保在故障情況下安全工作和軟關(guān)斷的高級有源鉗位(AAC)。AAC 與 VDS 監(jiān)控相結(jié)合,可確保在短路情況下的安全關(guān)斷時間少于2μs。門極驅(qū)動控制和AAC特性可使門極電阻最小化,這有助于降低開關(guān)損耗,提高逆變器效率。

          新器件將SCALE-iDriver的控制和安全特性與其高速FluxLink?通信技術(shù)的完美結(jié)合,與使用光耦器或電容性耦合器或磁性耦合器相比,Power Integrations為門極IC技術(shù)帶來了革命性變化。這種組合極大地提高了絕緣能力,并且使用極少的外部器件即可實現(xiàn)安全可靠、高性價比的300kW以下逆變器設(shè)計。

          Power Integrations汽車門極驅(qū)動器產(chǎn)品高級市場總監(jiān)Michael Hornkamp表示:“碳化硅MOSFET技術(shù)打開了通向更輕便小巧的汽車逆變器系統(tǒng)的大門。開關(guān)速度和工作頻率不斷提高;我們的低門極電阻值可用來維持高開關(guān)效率,而我們的快速短路響應(yīng)可在發(fā)生故障時為系統(tǒng)提供及時保護(hù)。”

          “此外,SCALE-iDriver在絕緣強度方面為功能安全樹立了新標(biāo)準(zhǔn);即使功率器件導(dǎo)致了嚴(yán)重的驅(qū)動器故障,SCALE-iDriver的絕緣性能仍然完好無損,從而確保機箱的任何部分都不會有威脅生命的高壓存在。”Hornkamp補充道。

          新的單通道SIC118xKQ門極驅(qū)動器可提供高達(dá)8A的輸出電流,并且適合標(biāo)準(zhǔn)門極-發(fā)射極電壓最低為+15V,負(fù)電壓范圍介于-3V至-15V的SiC MOSFET。新器件具有較強的外部磁場抗擾性能,采用緊湊的eSOP封裝,可提供≥9.5mm的爬電距離和電氣間隙,并且所采用的材料達(dá)到了最高CTI級(根據(jù)IEC 60112標(biāo)準(zhǔn),CTI = 600)。新器件現(xiàn)已開始供貨,以10,000片為單位訂貨,單價為5.39美元。

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