在行業(yè)下行周期時，新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生往往會成為振奮市場的關(guān)鍵點。當(dāng)下DDR5 DRAM作為存儲領(lǐng)域的新產(chǎn)品，逐漸成為各大企業(yè)競逐的焦點。據(jù)外媒消息報道，行業(yè)專家認(rèn)為三星、美光等公司正大力推動DDR5內(nèi)存普及，以此遏制半導(dǎo)體市場下滑的趨勢。

公開資料顯示，DDR5 DRAM是聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會（JEDEC）于2020年推出的最新DRAM規(guī)范，其性能比DDR4 DRAM高了一倍。據(jù)悉，為了更高的密度和更高的性能，DDR5有望采用最先進(jìn)的DRAM單元技術(shù)節(jié)點，例如D1z或D1a (D1α)代，這是10納米級DRAM節(jié)點的第3代或第4代。DDR5內(nèi)存包含多項創(chuàng)新和新的DIMM架構(gòu)，可實現(xiàn)速度等級跳躍并支持未來擴(kuò)展。

在產(chǎn)品上，三星在2022年12月下旬宣布利用12nm級制程工藝成功開發(fā)出16Gb DDR5 DRAM，近期將與AMD完成了兼容性測試。三星表示，這款產(chǎn)品是業(yè)界最先進(jìn)的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。

美光方面則在1月19日宣布推出新一代DDR5內(nèi)存模塊，產(chǎn)品覆蓋DDR5-5200/5600，最高擁有48GB容量的版本。據(jù)悉，美光新一代DDR5內(nèi)存可以支持5200MT/s和5600MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，以及1.1V電壓下的CL46延遲，同時兼容AMD EXPO和英特爾XMP 3.0配置文件。該模塊在與英特爾處理器兼容上性能提升了49%，配置最高可達(dá)48GB。據(jù)悉，美光的新DDR5存儲模塊已在英特爾處理器芯片上完成了認(rèn)證。

市場消息顯示，DDR4 DRAM當(dāng)前占據(jù)了內(nèi)存市場的大部分份額，從過往歷史看，每代DDR新標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布后都需要經(jīng)過2年左右的優(yōu)化，才能實現(xiàn)性能的較為全面的穩(wěn)定提升，而后實現(xiàn)對上一代產(chǎn)品的市場替代則可能需要3到5年的時間。業(yè)界數(shù)據(jù)顯示，DDR3和DDR4都享有大約7年的生命周期。DDR4存儲器標(biāo)準(zhǔn)于2012年發(fā)布，而其初代產(chǎn)品則于2014年入市，直到2016年才實現(xiàn)了市場份額的大幅提升。

對于最新一代的DDR5而言，其最新款產(chǎn)品產(chǎn)能還處于爬坡期，售價還較高，性能也未發(fā)展到最優(yōu)。業(yè)界認(rèn)為這兩年是DDR5高速發(fā)展期，特別是從今年起，DDR5滲透率將大幅提升。并且由于DDR技術(shù)愈發(fā)成熟，DDR5的保質(zhì)期或比DDR4長。

目前多位業(yè)界人士對于DDR5發(fā)展前景較為看好，TrendForce集邦咨詢分析師吳雅婷表示，隨著時間的推移，預(yù)計自2023年起，服務(wù)器端將逐步導(dǎo)入DDR5，在server新平臺的帶動下，將會拉高DDR5比重。DDR5有望取代DDR4，DDR5 DRAM將迎來快速普及期，成為市場中供給/采用的主流產(chǎn)品。TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，DDR5與DDR4成為主流應(yīng)用的交會點應(yīng)該在2024年底前或2025年初。