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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率器件

          富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

          • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布,推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A,該芯片可耐壓150 V。富士通半導(dǎo)體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off),相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件,品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。
          • 關(guān)鍵字: 富士通  功率器件  GaN  MB51T008A  

          瑞薩針對配有微型隔離器的IGBT驅(qū)動器發(fā)布智能功率器件

          •   微型隔離器的應(yīng)用可進一步縮小電動及混合動力汽車功率逆變器的體積   瑞薩電子公司開發(fā)的配有內(nèi)置式微型隔離器的 IGBT 驅(qū)動器智能器件   日本東京訊-全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(TSE:6723)今天宣布開發(fā)出了隔離型IGBT驅(qū)動器的R2A25110KSP智能型功率器件, 適用于電動和混合動力汽車功率逆變器。R2A25110KSP中融入了瑞薩電子公司最新開發(fā)的微型隔離器隔離專項技術(shù)。這些技術(shù)可為汽車應(yīng)用系統(tǒng)建立更可靠、更緊湊的系統(tǒng)。   用于驅(qū)動電動和混合動力汽車中的電機
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  功率器件  

          如何解決驅(qū)動單元設(shè)計中的電磁兼容問題

          • 電磁干擾一般通過空間輻射和通過導(dǎo)線傳導(dǎo),在工程領(lǐng)域一直是人們要解決的難題和研究熱點。驅(qū)動單元作為大功率...
          • 關(guān)鍵字: 電磁兼容  電磁干擾  逆變  功率器件  

          常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹

          • 常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對其進行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  功率器件  

          IR潘大偉:善用功率器件,為節(jié)能設(shè)計保駕護航

          • 在可以預(yù)見的未來,電能將會成為我們主要的消耗能源。大至高速列車,小至手機,都不能脫離電能而存在。無論什么類 ...
          • 關(guān)鍵字: IR  功率器件  節(jié)能設(shè)計  

          揚州:電子制造業(yè)“三分天下”推動經(jīng)濟發(fā)展

          •   揚州電子信息產(chǎn)業(yè)近年來快速發(fā)展,從電線電纜獨大,到新能源和新光源產(chǎn)業(yè)崛起,“三分天下”格局初成。目前,電線電纜約占1/3,新光源和新能源各占20%強,電子信息制造業(yè)結(jié)構(gòu)趨于合理。未來將通過規(guī)劃引導(dǎo)、項目推動、創(chuàng)新突破等3大舉措,促進電子制造業(yè)加快發(fā)展。   布局3大產(chǎn)業(yè)   揚州電子制造業(yè)形成電線電纜、新光源、新能源3大產(chǎn)業(yè)齊頭并進新格局,結(jié)構(gòu)得到優(yōu)化。   目前,揚州光伏新能源產(chǎn)業(yè)已形成電子級高純度多晶硅、單晶硅、硅片、電池片、組件全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)能力,多晶硅太陽能電池年產(chǎn)
          • 關(guān)鍵字: 電子制造  功率器件  

          隔離驅(qū)動IGBT和PowerMOSFET等功率器件所需要的一些技巧

          • 功率器件,如IGBT,PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等,都需要有充分的保護,以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效...
          • 關(guān)鍵字: 隔離驅(qū)動  PowerMOSFET  功率器件  

          功率器件IGBT應(yīng)用中的常見問題解決方法

          • 1 引言80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件,它綜合了gtr和MOSFET的優(yōu)點,控制方便、開關(guān)速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級的不斷提高,IGBT成為了大功率開關(guān)電源、變頻
          • 關(guān)鍵字: IGBT  功率器件  方法    

          如何準確選擇功率器件二

          • 第三步:確定熱要求  選擇MOSFET的下一步是計算系統(tǒng)的散熱要求。設(shè)計人員必須考慮兩種不同的情況,即最壞情 ...
          • 關(guān)鍵字: 功率器件  

          如何準確選擇功率器件一

          • 所謂功率半導(dǎo)體器件,以前也被稱為電力電子器件,簡單來說,就是進行功率處理的,具有處理高電壓,大電流能力的半導(dǎo)體 ...
          • 關(guān)鍵字: 功率器件    

          隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

          • 11、請問:HCPl-316產(chǎn)品如何做到短路時軟關(guān)斷?謝謝!  HCPL-316J 飽和閾值的頂點設(shè)置在7V,這是對通過一個比較 ...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  Power  MOSFET  功率器件  

          隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

          • 功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保護,以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效 ...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  Power  MOSFET  功率器件  

          Diodes霍爾開關(guān)有效優(yōu)化敏感度

          • Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出四款全極性霍爾效應(yīng)開關(guān),其磁場檢測的敏感度適合于多種產(chǎn)品設(shè)計的接近效應(yīng)與位置檢測功能。這些微功率器件也為電池及低功率操作進行了優(yōu)化,在3V供電下一般僅消耗24 μW。
          • 關(guān)鍵字: Diodes  功率器件  霍爾效應(yīng)  

          國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售

          •   “十二五”規(guī)劃出臺以后,國家對新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視,同時,“節(jié)能減排”工作也深入開展,中國開始從粗放型用電到精細化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)鍵部件,受到了國家的重視,近兩年更是列入國家重大科技專項中提供多方位的支持。   絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導(dǎo)體分立器件,具有易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高的特點,廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機
          • 關(guān)鍵字: 新能源  功率器件  IGBT  

          富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件

          •   上海,2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用,對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。   與傳統(tǒng)硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率,并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業(yè)化
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          功率器件介紹

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