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半導(dǎo)體
半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
半導(dǎo)體后工程進(jìn)入外包時(shí)代
- Hynix半導(dǎo)體公司出資成立的半導(dǎo)體專門測(cè)試企業(yè)Hisem日前正式成立，這意味著半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入了對(duì)后工程的外包時(shí)代。 Hisem于不久前正式啟動(dòng)了在韓國(guó)京畿道的半導(dǎo)體測(cè)試工廠。Hisem有關(guān)人員稱：“工廠啟動(dòng)時(shí)已經(jīng)開(kāi)始了Hynix公司生產(chǎn)的部分NANDFlash(非易矢閃存技術(shù))存儲(chǔ)器的測(cè)試，以后會(huì)將測(cè)試工程擴(kuò)大到SDRAM(同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))和DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)等?！? Hisem是Hynix半導(dǎo)體公司旗下的32家子公司共同出資成立的半導(dǎo)體測(cè)試外包企業(yè)，于去
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今年1月全球半導(dǎo)體銷售收入同比增長(zhǎng)0.03%
- 3月4日消息，美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）周一稱，今年1月全球半導(dǎo)體銷售收入持平，而美國(guó)市場(chǎng)的半導(dǎo)體銷售收入下降。今年1月全球半導(dǎo)體銷售收入為214.9億美元，比2007年1月增長(zhǎng)了0.03%。美國(guó)市場(chǎng)今年1月的半導(dǎo)體銷售收入為34.5億美元，比2007年1月的37.1億美元減少了6.9%。 SIA稱，今年1月全球半導(dǎo)體銷售收入比2007年12月的222.8億美元減少了3.6%。傳統(tǒng)的季節(jié)性因素是銷售下降的主要原因。美國(guó)市場(chǎng)1月份的半導(dǎo)體銷售收入比2007年12月減少了5.6%。 SIA稱
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1月份日本半導(dǎo)體設(shè)備訂單同比暴跌51.9%
- 據(jù)SemiconductorInternational網(wǎng)站報(bào)道，日本半導(dǎo)體設(shè)備協(xié)會(huì)(SEAJ)近日表示，一月份日本半導(dǎo)體設(shè)備商全球訂單量大幅下降，較去年同期暴跌51.9%至1058億日元，設(shè)備銷售量降低3.8%至1331億日元。 SEAJ稱，由于半導(dǎo)體制造商縮減投資，日本芯片設(shè)備在近期內(nèi)將不能得到復(fù)蘇。 據(jù)悉，包括步進(jìn)機(jī)、刻蝕設(shè)備在內(nèi)的晶圓處理設(shè)備訂單跌幅達(dá)60%至738億日元，而測(cè)試設(shè)備下滑24.3%至137億日元。
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)：臺(tái)灣三大廠12寸新廠將動(dòng)工
- 據(jù)臺(tái)灣聯(lián)合新聞網(wǎng)報(bào)道，臺(tái)積電、力晶與世界先進(jìn)三家半導(dǎo)體大廠位于竹科三、五路的12寸新廠即將舉行聯(lián)合動(dòng)土，意味高達(dá)4000億新臺(tái)幣的半導(dǎo)體大型投資計(jì)劃將陸續(xù)啟動(dòng)。 由于半導(dǎo)體廠今年普遍縮減資本支出，此次聯(lián)合動(dòng)土，顯示廠商仍有迎接多頭景氣的擴(kuò)產(chǎn)準(zhǔn)備。 承租的半導(dǎo)體業(yè)指出，這片占地約34公頃的12寸晶圓廠預(yù)定地，將是臺(tái)積電在竹科的第四座12寸晶圓廠，也是世界先進(jìn)的首座12寸晶圓廠落腳處;力晶也預(yù)計(jì)在當(dāng)?shù)匾?guī)劃兩座12寸廠，合計(jì)三家半導(dǎo)體廠商未來(lái)在這塊地就會(huì)有至少四座12寸晶圓廠，以一座12寸晶圓廠
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調(diào)整階段：集成電路設(shè)計(jì)仍然是最受青睞的投資領(lǐng)域之一
- 我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨著眾多的挑戰(zhàn)。在國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)公司發(fā)展乏力的影響下，代工線將不得不更多地謀求外部訂單，對(duì)外依存度將進(jìn)一步提升。SiP等新技術(shù)的出現(xiàn)，將有力地影響到現(xiàn)行封裝產(chǎn)業(yè)的發(fā)展路線。集成電路設(shè)計(jì)業(yè)的發(fā)展面臨困難，產(chǎn)品問(wèn)題仍然是困擾設(shè)計(jì)業(yè)的核心問(wèn)題，產(chǎn)品升級(jí)換代將是不可回避的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，工藝技術(shù)進(jìn)步后帶來(lái)的技術(shù)挑戰(zhàn)和新的殺手應(yīng)用不明朗，必然導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)發(fā)展乏力。 我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)過(guò)去幾年的快速發(fā)展之后，將逐漸進(jìn)入調(diào)整階段。預(yù)計(jì)未來(lái)幾年，我們?cè)诒３指哂谌蛟鲩L(zhǎng)速率的發(fā)展速度的同時(shí)，產(chǎn)業(yè)發(fā)展會(huì)逐漸
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)：臺(tái)灣三大廠12寸新廠將動(dòng)工
- ?據(jù)臺(tái)灣聯(lián)合新聞網(wǎng)報(bào)道，臺(tái)積電、力晶與世界先進(jìn)三家半導(dǎo)體大廠位于竹科三、五路的12寸新廠即將舉行聯(lián)合動(dòng)土，意味高達(dá)4000億新臺(tái)幣的半導(dǎo)體大型投資計(jì)劃將陸續(xù)啟動(dòng)。 ????由于半導(dǎo)體廠今年普遍縮減資本支出，此次聯(lián)合動(dòng)土，顯示廠商仍有迎接多頭景氣的擴(kuò)產(chǎn)準(zhǔn)備。 ????承租的半導(dǎo)體業(yè)指出，這片占地約34公頃的12寸晶圓廠預(yù)定地，將是臺(tái)積電在竹科的第四座12寸晶圓廠，也是世界先進(jìn)的首座12寸晶圓廠落腳處；力晶也預(yù)計(jì)在當(dāng)
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最新出爐：07年中國(guó)top10半導(dǎo)體企業(yè)及最具成長(zhǎng)性企業(yè)
- 據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)站報(bào)道，“2008中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年會(huì)”秉承前四屆的成功經(jīng)驗(yàn)，于2月28日-29日在上海舉行。按企業(yè)技術(shù)水平需在業(yè)內(nèi)具有一定先進(jìn)性，2007年度銷售額及銷售額年成長(zhǎng)幅度，評(píng)選出2007年度中國(guó)十大半導(dǎo)體企業(yè)及最具成長(zhǎng)性半導(dǎo)體企業(yè)。 一、2007年十大集成電路設(shè)計(jì)企業(yè) ???? 二、2007年十大集成電路和分立器件制造企業(yè) ??????&nbs
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我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備應(yīng)從實(shí)際出發(fā) 準(zhǔn)確定位產(chǎn)品
- 每一個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)一定要根據(jù)自身產(chǎn)品的技術(shù)特點(diǎn)，集中研發(fā)適合于自身企業(yè)發(fā)展特點(diǎn)的半導(dǎo)體設(shè)備，才能逐步從根本上解決我國(guó)電子工業(yè)基礎(chǔ)落后的局面。 “摩爾定律”為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了加速度，在整個(gè)產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的同時(shí)，對(duì)其進(jìn)行支撐的設(shè)備制造業(yè)也需要通過(guò)不斷創(chuàng)新、加快研究進(jìn)程來(lái)滿足整個(gè)產(chǎn)業(yè)的需求。 設(shè)備創(chuàng)新帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展 半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展本身就是技術(shù)創(chuàng)新的過(guò)程，IC產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，其背后是以設(shè)備的創(chuàng)新和發(fā)展做支撐的，新的工藝技術(shù)總是用新一代設(shè)備實(shí)現(xiàn)的。 開(kāi)發(fā)新產(chǎn)
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專家稱我國(guó)半導(dǎo)體業(yè)要從上海漢芯事件汲取教訓(xùn)
- 2007年我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條中各個(gè)環(huán)節(jié)產(chǎn)品與技術(shù)的創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)化又取得新的進(jìn)展，在2007年中國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)評(píng)選活動(dòng)圓滿結(jié)束之際，我們特邀請(qǐng)業(yè)內(nèi)專家、企業(yè)家就目前我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成就和特點(diǎn)，產(chǎn)業(yè)與市場(chǎng)環(huán)境的變化，2008年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點(diǎn)、目標(biāo)和舉措，以及產(chǎn)品創(chuàng)新的重要性和策略等進(jìn)行探討。 創(chuàng)新是今后中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心，創(chuàng)新包括觀念創(chuàng)新、業(yè)務(wù)模式創(chuàng)新、技術(shù)創(chuàng)新和企業(yè)文化創(chuàng)新四個(gè)方面。 把設(shè)計(jì)業(yè)推向知識(shí)產(chǎn)業(yè) 由于我國(guó)還是發(fā)展中國(guó)家，雖然GDP總額已上升至全球第四位，但
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專家稱：半導(dǎo)體業(yè)要從上海漢芯事件中汲取教訓(xùn)
- 2007年我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條中各個(gè)環(huán)節(jié)產(chǎn)品與技術(shù)的創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)化又取得新的進(jìn)展，在2007年中國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)評(píng)選活動(dòng)圓滿結(jié)束之際，我們特邀請(qǐng)業(yè)內(nèi)專家、企業(yè)家就目前我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成就和特點(diǎn),產(chǎn)業(yè)與市場(chǎng)環(huán)境的變化,2008年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點(diǎn)、目標(biāo)和舉措，以及產(chǎn)品創(chuàng)新的重要性和策略等進(jìn)行探討。 創(chuàng)新是今后中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心，創(chuàng)新包括觀念創(chuàng)新、業(yè)務(wù)模式創(chuàng)新、技術(shù)創(chuàng)新和企業(yè)文化創(chuàng)新四個(gè)方面。 把設(shè)計(jì)業(yè)推向知識(shí)產(chǎn)業(yè) 由于我國(guó)還是發(fā)展中國(guó)家，雖然GDP總額已上升至全球第四位，但
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美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體 “半導(dǎo)體的下一個(gè)任務(wù)是提高QOL(生活質(zhì)量)”
- 今后半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)該用于提高QOL（生活質(zhì)量）”。美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體(National Semiconductor）董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官08年2月28日在大阪舉行的“Global Semiconductor Forum（GSF）／Global Electronics Forum（GEF）”的主題演講中表示。 此前推動(dòng)半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展的應(yīng)用方面，實(shí)現(xiàn)了從大型計(jì)算機(jī)到個(gè)人電腦、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的變化，不過(guò)均是以提高效率和提高生產(chǎn)率為主要目的。Brian L. Halla表示，今后應(yīng)該
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半導(dǎo)體設(shè)備：創(chuàng)新從實(shí)際出發(fā) 產(chǎn)品定位要準(zhǔn)確
- 每一個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)一定要根據(jù)自身產(chǎn)品的技術(shù)特點(diǎn)，集中研發(fā)適合于自身企業(yè)發(fā)展特點(diǎn)的半導(dǎo)體設(shè)備，才能逐步從根本上解決我國(guó)電子工業(yè)基礎(chǔ)落后的局面。 “摩爾定律”為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了加速度，在整個(gè)產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的同時(shí)，對(duì)其進(jìn)行支撐的設(shè)備制造業(yè)也需要通過(guò)不斷創(chuàng)新、加快研究進(jìn)程來(lái)滿足整個(gè)產(chǎn)業(yè)的需求。 設(shè)備創(chuàng)新帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展 半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展本身就是技術(shù)創(chuàng)新的過(guò)程，IC產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，其背后是以設(shè)備的創(chuàng)新和發(fā)展做支撐的，新的工藝技術(shù)總是用新一代設(shè)備實(shí)現(xiàn)的。 開(kāi)發(fā)新產(chǎn)
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2008中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年會(huì)聚焦
- 低增長(zhǎng) 2007年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)表現(xiàn)再次令人們失望，與此同時(shí)，中國(guó)集成電路市場(chǎng)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度也雙雙放緩。這是高速發(fā)展中的短暫調(diào)整，還是即將步入低增長(zhǎng)周期的信號(hào)?未來(lái)中國(guó)市場(chǎng)還能否繼續(xù)扮演全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)的“第一推動(dòng)力”? 創(chuàng)業(yè)機(jī)會(huì)與半導(dǎo)體“新政” 醞釀數(shù)年之久的中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“新政”終將在2008破繭而出。面對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新一輪發(fā)展熱潮，有志之士如何抓住機(jī)遇，實(shí)現(xiàn)自己的創(chuàng)業(yè)之夢(mèng)?從上海、北京、蘇州、深圳等產(chǎn)業(yè)
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人才和市場(chǎng)是半導(dǎo)體設(shè)備創(chuàng)新關(guān)鍵
- 只有在創(chuàng)新資源與創(chuàng)新要素上下功夫，形成市場(chǎng)、人才、技術(shù)、資金等方面的突破，才能改變長(zhǎng)期滯后的局面，獲得良性持續(xù)發(fā)展。 隨著消費(fèi)電子市場(chǎng)的需求增加，中國(guó)的IC產(chǎn)業(yè)，尤其是封裝測(cè)試業(yè)迎來(lái)了無(wú)限的發(fā)展空間。未來(lái)10年是我國(guó)內(nèi)地封測(cè)產(chǎn)業(yè)的黃金十年。業(yè)界普遍認(rèn)同一代設(shè)備、一代電路、一代封裝、一代器件。因此，設(shè)備也代表了生產(chǎn)力，是第一要素，是決定性因素。不過(guò)，沒(méi)有強(qiáng)大的國(guó)產(chǎn)設(shè)備支撐，發(fā)展封裝產(chǎn)業(yè)就是一句空話，我國(guó)內(nèi)地封裝企業(yè)受到國(guó)際巨頭的擠壓，很多原因是沒(méi)有能力用上最先進(jìn)的設(shè)備。我國(guó)內(nèi)地封裝企業(yè)的局限其實(shí)是
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IC主要應(yīng)用已從商業(yè)轉(zhuǎn)向消費(fèi)類電子領(lǐng)域
- 我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨著眾多的挑戰(zhàn)。在國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)公司發(fā)展乏力的影響下，代工線將不得不更多地謀求外部訂單，對(duì)外依存度將進(jìn)一步提升。SiP等新技術(shù)的出現(xiàn)，將有力地影響到現(xiàn)行封裝產(chǎn)業(yè)的發(fā)展路線。集成電路設(shè)計(jì)業(yè)的發(fā)展面臨困難，產(chǎn)品問(wèn)題仍然是困擾設(shè)計(jì)業(yè)的核心問(wèn)題，產(chǎn)品升級(jí)換代將是不可回避的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，工藝技術(shù)進(jìn)步后帶來(lái)的技術(shù)挑戰(zhàn)和新的殺手應(yīng)用不明朗，必然導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)發(fā)展乏力。 我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)過(guò)去幾年的快速發(fā)展之后，將逐漸進(jìn)入調(diào)整階段。預(yù)計(jì)未來(lái)幾年，我們?cè)诒３指哂谌蛟鲩L(zhǎng)速率的發(fā)展速度的同時(shí)，產(chǎn)業(yè)發(fā)展會(huì)逐漸
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半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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