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半導(dǎo)體
半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
2008半導(dǎo)體市場(chǎng)：幾家歡喜幾家愁
- 對(duì)2008年IC產(chǎn)業(yè)的展望，許多市場(chǎng)研究者發(fā)布了他們各種各樣的預(yù)言。IC市場(chǎng)在經(jīng)歷了相對(duì)乏味的2007年后，2008年將會(huì)上升，但是今年的投資額預(yù)計(jì)將降低10%甚至更多。 各大市場(chǎng)調(diào)研公司對(duì)于2008年的IC市場(chǎng)增長(zhǎng)率的預(yù)測(cè)從6.2%到12%不等。以下即為來(lái)自不同研究機(jī)構(gòu)的預(yù)言： ●SemicoResearch：12% ●ICInsights：10% ●SIA：7.7% ●iSuppli：7.5% ●VLSIResearch：7.5% ●Gartner：6.2
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風(fēng)險(xiǎn)投資在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“遇到麻煩”
- 有專家警告，風(fēng)險(xiǎn)投資對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的興趣正在減少，這可能會(huì)引發(fā)工程師及其他有才華的人到產(chǎn)業(yè)之外尋找工作機(jī)會(huì)。 ShahinFarshchi是位于紐約的風(fēng)險(xiǎn)投資公司LuxCapitalManagement的合伙人，他把現(xiàn)在風(fēng)險(xiǎn)投資對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的整體趨勢(shì)描述為“遇到麻煩”。 事實(shí)上，在過去的幾年間，風(fēng)險(xiǎn)投資對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的整體投資一直很平穩(wěn)，每年徘徊在20億美元左右，但2007年比2006年降低了10%。Farshchi是在ISSCC(InternationalSolid
- 關(guān)鍵字： 風(fēng)險(xiǎn)投資 半導(dǎo)體
安森美半導(dǎo)體發(fā)布2007年第4季度及全年業(yè)績(jī)
- 2007年第4季度摘要: · 總收入為4.079億美元 · 扣除利息、稅項(xiàng)、折舊及攤銷前盈利(EBITDA)為9,550萬(wàn)美元 · 每股全面攤薄凈收入0.20美元 · 非公認(rèn)會(huì)計(jì)原則每股全面攤薄凈收入0.23美元 · 現(xiàn)金及現(xiàn)金等值2.746億美元 · 2007年12月31日向Analog Devices, Inc. 收購(gòu)中央處理器電壓及PC熱監(jiān)控產(chǎn)品部 · 宣布
- 關(guān)鍵字： 安森美 半導(dǎo)體 2007 200802
半導(dǎo)體二極管之快恢復(fù)整流二極管
- 一、快恢復(fù)整流二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及特性 ? 快恢復(fù)整流二極管是近期問世的新型半導(dǎo)體器件，它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，它在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成P—I—N硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，使反向恢復(fù)時(shí)間大大減少。除此之外，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使二極管能承受很高的反向電壓。 ? ? 反向恢復(fù)時(shí)間t1是快恢復(fù)二極管的重要參數(shù)，它是指電流通過零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換成反向，再?gòu)姆聪蜣D(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔，如圖14-20所示。 ?
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 快恢復(fù) 整流二極管
半導(dǎo)體二極管之開關(guān)二極管
- 一、開關(guān)二極管的特性 ? 由于半導(dǎo)體二極管具有單向?qū)щ姷奶匦?，在正偏壓下PN結(jié)導(dǎo)通，在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻很小，約為幾十至幾百歐；在反向偏壓下，則呈截止?fàn)顟B(tài)，其電阻很大，一般硅二極管在10MΩ以上，鍺管也有幾十千歐至幾百千歐。利用這一特性，二極管將在電路中起到控制電流接通或關(guān)斷的作用，成為一個(gè)理想的電子開關(guān)。開關(guān)二極管就是為在電路上進(jìn)行“開”、“關(guān)"而特殊設(shè)計(jì)制造的一類二極管。開關(guān)二極管從截止(高阻狀態(tài))到導(dǎo)通(低阻狀態(tài))的時(shí)間叫開通時(shí)間
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半導(dǎo)體二極管之雙向觸發(fā)二極管
- 一、雙向觸發(fā)二極管的結(jié)構(gòu)與特性 ? 雙向觸發(fā)二極管由硅NPN三層結(jié)構(gòu)組成，它是一個(gè)具有對(duì)稱性的半導(dǎo)體二極管器件，可等效為基極開路、集電極與發(fā)射極對(duì)稱的NPN半導(dǎo)體三極管，如圖14-38所示。 ? 雙向觸發(fā)二極管的伏安特性曲線如圖14-39所示，其正向和反向具有相同負(fù)阻特性。當(dāng)雙向觸發(fā)二極管兩端所加電壓V，低于正向轉(zhuǎn)折電壓VBO時(shí)，器件呈高阻狀態(tài)。當(dāng)外加電壓升高到VBO時(shí)，器件擊穿導(dǎo)通，由高阻轉(zhuǎn)為低阻進(jìn)入負(fù)阻區(qū)。同樣，當(dāng)所加電壓大于反向轉(zhuǎn)折電壓-UBO時(shí)，器件也會(huì)擊穿導(dǎo)通進(jìn)入負(fù)阻
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SEMI在大連建立“大連半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園”
- 國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備和材料協(xié)會(huì)(SEMI)的代表，與大連開發(fā)區(qū)管委會(huì)領(lǐng)導(dǎo)共同簽署“大連半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園合作備忘錄”——雙方將共同協(xié)作，為英特爾芯片項(xiàng)目提供更便捷的配套服務(wù)，同時(shí)完善大連的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈、資金鏈與人才鏈，使大連成為國(guó)際一流的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。大連市長(zhǎng)夏德仁、副市長(zhǎng)戴玉林，SEMI全球總裁Stanley T. Myers先生等領(lǐng)導(dǎo)和嘉賓出席了簽字儀式。 SEMI協(xié)會(huì)的會(huì)員主要為在半導(dǎo)體、平板顯示、納米以及MEMS等領(lǐng)域提供設(shè)備、材料以及服務(wù)的公司，全
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Mirics 新增廣播調(diào)諧產(chǎn)品系列，用于便攜消費(fèi)電子產(chǎn)品和手持應(yīng)用
- 來(lái)自英國(guó)的為地面廣播接收應(yīng)用提供創(chuàng)新可配置 RF 解決方案的Mirics 半導(dǎo)體公司，今天宣布其產(chǎn)品系列新增了 MSi002 多波段調(diào)諧器 IC。 MSi002 調(diào)諧器帶有工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 12C 控制接口，可支持老式單一標(biāo)準(zhǔn)和多標(biāo)準(zhǔn)解調(diào)器 IC。Mirics 通過使用創(chuàng)新設(shè)計(jì)技術(shù)進(jìn)行工程設(shè)計(jì)，MSi002 能夠向消費(fèi)電子設(shè)備提供高性能廣播接收解決方案，這些電子設(shè)備包括移動(dòng)手持設(shè)備、便攜收音機(jī)、PMP、筆記本電腦和 USB TV 加密狗。該裝置是對(duì) Mirics 的突破性 MSi001 調(diào)諧器的補(bǔ)充，MSi
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MLCC邁向規(guī)范化工業(yè)生產(chǎn) 核心技術(shù)待提高
- 在電子信息產(chǎn)業(yè)迅猛向前發(fā)展的今天，我們震驚于各種電子信息產(chǎn)品，如筆記本電腦、手機(jī)、液晶電視機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和攝影機(jī)、MP4等給我們生活帶來(lái)極大便利的同時(shí)，我們感覺到現(xiàn)在的電器產(chǎn)品較以前越來(lái)越小，且功能越來(lái)越完備、功耗越來(lái)越小，價(jià)格越來(lái)越便宜。這一切都?xì)w功于電器產(chǎn)品核心——半導(dǎo)體元器件和眾多的被動(dòng)貼片元件越來(lái)越小型化、高精度、低功耗化，使得家用電器類等信息產(chǎn)品小型化成為可能。 MLCC正形成規(guī)范化工業(yè)生產(chǎn) 片式多層陶瓷電容器(Multi-layerCeramicCapac
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德州儀器大力支持中國(guó)半導(dǎo)體人才培養(yǎng)
- 德州儀器(TI)在其成功開展中國(guó)大學(xué)計(jì)劃12年之際，又在中國(guó)新設(shè)“德州儀器創(chuàng)新基金”和“德州儀器杰出教育者獎(jiǎng)”。從2008年起，新的基金和獎(jiǎng)項(xiàng)將用以支持中國(guó)大學(xué)的素質(zhì)教育、科研項(xiàng)目和獎(jiǎng)勵(lì)運(yùn)用半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)行教學(xué)和科研的教育工作者，體現(xiàn)了TI長(zhǎng)期致力于發(fā)展中國(guó)高等教育，培養(yǎng)電子信息技術(shù)人才的決心。 TI的中國(guó)大學(xué)計(jì)劃始于1996年，12年來(lái)已協(xié)助中國(guó)的141所大學(xué)建立超過160個(gè)實(shí)驗(yàn)室。目前，TI的DSP、微控制器以及模擬技術(shù)在這些大學(xué)的教學(xué)科研活動(dòng)中被廣泛
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 半導(dǎo)體 TI
08年全球芯片設(shè)備支出減少1.4% 09年恢復(fù)增長(zhǎng)
- SEMI首席執(zhí)行官StanleyMyers近日表示，全球芯片制造商今年在半導(dǎo)體設(shè)備方面的支出預(yù)計(jì)將減少1.4%，不過鑒于這些企業(yè)為保市場(chǎng)占有率而不斷努力，其在半導(dǎo)體設(shè)備方面的支出從2009年起可能恢復(fù)增長(zhǎng)。 Myers表示，2008年全球芯片制造商在芯片制造設(shè)備方面的資本支出預(yù)計(jì)為411億美元，低于去年的417億美元，原因在于芯片價(jià)格大幅滑坡令多數(shù)芯片制造商遭受損失。 Myers在首爾參加一個(gè)芯片設(shè)備會(huì)議的間隙接受道瓊斯通訊社(DowJonesNewswires)采訪時(shí)稱，盡管過去幾年的設(shè)
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中芯15.8億美元揮師深圳 欲建大陸第六基地
- 中芯國(guó)際(下稱“中芯”)總裁張汝京不愧是全球半導(dǎo)體業(yè)著名的建廠高手。張汝京在深圳宣布，公司將在深圳投資15.8億美元，建設(shè)新的芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目，深圳也將成為中芯國(guó)際南方基地。 而這也將是中芯在大陸的第六個(gè)生產(chǎn)基地。此前，從2000年開始，它相繼在上海、北京、武漢、成都設(shè)立了工廠。而天津工廠則是從摩托羅拉手中買來(lái)。 投資15.8億美元 中芯國(guó)際將延續(xù)上海、北京投資模式，在深圳獨(dú)資成立“中芯國(guó)際深圳公司”。新的生產(chǎn)基地，未來(lái)將包括一座半導(dǎo)體技
- 關(guān)鍵字： 中芯國(guó)際 半導(dǎo)體 摩托羅拉
半導(dǎo)體設(shè)計(jì)工程進(jìn)入“32納米”時(shí)代
- 由IBM主導(dǎo)的半導(dǎo)體聯(lián)盟“通用平臺(tái)(CommonPlatform)”表示計(jì)劃集中投資32納米平臺(tái)。通用平臺(tái)由IBM、三星電子、特許半導(dǎo)體(新加坡)等企業(yè)組成，這些企業(yè)以共享半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造環(huán)境為目的組成這一聯(lián)盟，并生產(chǎn)了90納米手機(jī)芯片，而且正在開發(fā)64納米、45納米工程。這次由9個(gè)企業(yè)組成的聯(lián)盟正式表明了集中投資32納米工程的意向，半導(dǎo)體平臺(tái)的時(shí)代交替顯得更加指日可待。 IBM雖然沒有透露詳細(xì)計(jì)劃，但表示對(duì)32納米平臺(tái)的開發(fā)投入將是目前投資規(guī)模的兩倍。IBM稱，整體
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體，32納米
全球DRAM廠虧損持續(xù)擴(kuò)大
- 盡管DRAM價(jià)格暫止血，但全球DRAM廠虧損黑洞卻持續(xù)擴(kuò)大，為搶救當(dāng)前重大危機(jī)，包括國(guó)際大廠及臺(tái)系DRAM廠紛紛被迫出招應(yīng)對(duì)，其中，全球第3大DRAM廠奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)旗下位于亞太唯一自建12英寸廠，目前已確定將暫停機(jī)器設(shè)備移入；至于同樣面臨極大壓力的臺(tái)廠，則傳出茂德決定在中科12英寸廠歲修時(shí)程將破天荒長(zhǎng)達(dá)10天。臺(tái)DRAM廠坦言，目前全球DRAM產(chǎn)業(yè)鏈的庫(kù)存非常夠用，盡管拉長(zhǎng)歲修時(shí)程對(duì)整體供需幫助不大，卻凸顯各DRAM廠面對(duì)虧損擴(kuò)大壓力，紛紛展開應(yīng)變措施。 現(xiàn)階段對(duì)于DRAM廠而言，投資建廠
- 關(guān)鍵字： DRAM 半導(dǎo)體 Qimonda
半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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