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          安森美向海拉交付第10億顆感應傳感器IC

          • 2023 年 4 月 28日—智能電源和智能感知技術的領導者安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON)宣布,已向海拉(HELLA)交付第10億顆感應傳感器接口集成電路(IC),海拉是一家國際汽車零部件供應商,也是佛瑞亞(FORVIA)集團旗下公司。這顆由安森美設計的IC被用于海拉的汽車線控系統(tǒng)非接觸型感應位置傳感器(CIPOS?)技術。在長達25年的合作中,兩家公司開發(fā)的創(chuàng)新設計縮小了海拉模塊和安森美IC的尺寸,以更好地適配對模塊外形尺寸有著高要求的應用。 CIPOS?是一種感應技術,用
          • 關鍵字: 安森美  海拉  感應傳感器  

          安森美和極氪簽署碳化硅功率器件長期供應協(xié)議

          • 2023 年 4 月 26日—智能電源和智能感知技術的領導者安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON)和豪華智能純電品牌極氪智能科技(ZEEKR)宣布雙方簽署長期供應協(xié)議(LTSA)。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅(SiC)功率器件,以提高其智能電動汽車(EV)的能效,從而提升性能,加快充電速度,延長續(xù)航里程。極氪將采用安森美的M3E 1200V  EliteSiC MOSFET,以配合其不斷擴大的高性能純電車型產(chǎn)品陣容,實現(xiàn)更強的電氣和機械性能及可靠性。這些功率器件提供更高的
          • 關鍵字: 安森美  極氪  碳化硅功率器件  

          使用NCP1623A設計緊湊高效的PFC級的IC控制電路設計

          • 之前我們介紹過快速設計由 NCP1623 驅(qū)動的 CrM/DCM PFC 級的關鍵步驟中的定義關鍵規(guī)格與功率級設計。本文將詳細說明IC控制電路設計中的細節(jié):FB引腳電路、VCTRL 引腳電路、CS/ZCD 引腳電路、CSZCD電阻器設計等內(nèi)容。步驟 3:IC 控制電路設計如圖 1 所示,反饋配置包括:●  一個電阻分壓器,用于降低體電壓,以向 FB 引腳提供反饋信號。出于安全考慮,分壓器的上層電阻通常由兩個或三個電阻構成。否則,RFB1 的任何意外短接都會將輸出高電壓施加到控制器上并將
          • 關鍵字: 安森美  NCP1623A  PFC  

          優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動

          • 在高壓開關電源應用中,相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻(數(shù)百千赫茲)開關,但它們不能用于非常高的電壓(>1 000 V)。而IGBT 雖然可以在高壓下使用,但其 “拖尾電流 “和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美,可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關。然而,SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后,設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性
          • 關鍵字: SiC MOSFET  柵極驅(qū)動  安森美  

          即將亮相2023北京國際聽力學大會,安森美硬核聽力方案了解下~

          • 輔聽耳機,音頻市場下一個突破點?助聽器無線化、智能化,安森美有什么絕招?5月26日至5月28日2023年北京國際聽力學大會——云集芯片、器件、算法、整機算法的行業(yè)盛會鎖定#B31展位聽安森美為您娓娓道來話不多說,先來劇透一波安森美的硬核展品!智能電源和智能感知技術的領導者安森美(onsemi)擁有30多年的助聽器芯片設計經(jīng)驗,是行業(yè)內(nèi)領先的助聽器芯片供應商,將在#B31展位展示一系列先進的專業(yè)數(shù)字助聽器/OTC輔聽方案,包括Ezairo 7160、Ezairo 8300、J11/J10低功耗藍牙無線OTC
          • 關鍵字: 北京國際聽力學大會  安森美  聽力方案  

          關于圖像傳感器的像素誤區(qū)

          • 圖像傳感器的應用日益普及,特別是在安防、工業(yè)和汽車應用領域。很多汽車現(xiàn)在都配備了至少五個以上基于圖像傳感器的攝像頭。但是,圖像傳感器技術不同于標準半導體技術,存在著一些錯誤認知。摩爾定律和圖像傳感器有些人假設著名的“摩爾定律”也適用于圖像傳感器。戈登·摩爾(Fairchild半導體公司的創(chuàng)始人,F(xiàn)airchild半導體現(xiàn)在是安森美的一部分)指出,集成電路 (IC) 上的晶體管數(shù)量每兩年增加一倍。為了將兩倍數(shù)量的晶體管放置在單個器件上,縮小晶體管是主要實現(xiàn)方式。這種趨勢已經(jīng)持續(xù)了數(shù)十年,但近年晶體管數(shù)量增長
          • 關鍵字: 安森美  圖像傳感器  

          使用NCP1623A設計緊湊高效的PFC級的關鍵步驟

          • 本文介紹了快速設計由 NCP1623 驅(qū)動的 CrM/DCM PFC 級的關鍵步驟中的定義關鍵規(guī)格與功率級設計,并以實際的 100W 通用電源應用為例進行說明,IC控制電路設計將在后續(xù)的推文中分享?!?nbsp; 最大輸出功率:100 W●  Rms 線路電壓范圍:90 V - 264 V●  調(diào)節(jié)輸出電壓:●  低壓為 250 V(115V 電源)●  高壓為 390 V(230V 電源)NCP1623 具有多個選項,本文側(cè)重于NCP1623A,它與其他版本的主要
          • 關鍵字: 安森美  NCP1623A  PFC  

          貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

          • 2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM),以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經(jīng)過優(yōu)化,可為能源基礎設施和工業(yè)驅(qū)動應用提供高可靠性和高性能??稍偕茉春痛蠊β使I(yè)應用需要高擊穿電壓 (BV),1700V NTH4L028N170M1
          • 關鍵字: 貿(mào)澤  安森美  EliteSiC  碳化硅  

          揭秘碳化硅芯片的設計和制造

          • 眾所周知,對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說,高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎,高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求,接下來我們來看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件設計和制造上都獲得了哪些進展和成果。Die Layout下圖是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。圖一芯片的表面一般是如圖二所示,由源極焊盤(Source pad),柵極焊盤(Gate P
          • 關鍵字: 碳化硅芯片  設計和制造  安森美  

          安森美入選美國《巴倫周刊》2023 年美國最具可持續(xù)發(fā)展力的100家公司榜單

          • 2023 年 4月 3日——智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON)宣布,公司入選《巴倫周刊》美國最具可持續(xù)發(fā)展力的100家公司榜單?!栋蛡愔芸吩u估 1000 家大型上市公司在環(huán)境、社會和管治 (ESG) 方面的230項績效指標,排名前 100 的公司將入選年度榜單。自 2018 年首次啟動評選以來,安森美已連續(xù)六年上榜。安森美的入選彰顯其在管理、執(zhí)行和披露可持續(xù)發(fā)展及 ESG 目標方面的領導力,公司在其年度可持續(xù)發(fā)展報告中介紹相關指標及其進展情況,并根據(jù)全球報
          • 關鍵字: 安森美  巴倫周刊  可持續(xù)發(fā)展力  

          封裝技術開發(fā)要點:不同模型下的瞬態(tài)響應分析

          • 在封裝開發(fā)中,如何正確使用數(shù)據(jù)表的熱特性參數(shù)以做出設計決策經(jīng)常存在一定的誤區(qū)。之前我們討論了穩(wěn)態(tài)數(shù)據(jù)和瞬態(tài)數(shù)據(jù)的解讀與多輸入瞬態(tài)模型,今天我們將繼續(xù)分析各種模型下的瞬態(tài)響應。多結器件和瞬態(tài)響應上一部分中提到了多輸入瞬態(tài)模型。正如熱系統(tǒng)的穩(wěn)態(tài)描述一樣,也可以構建多結器件的瞬態(tài)描述。如果遵循矩陣方法,唯一區(qū)別是矩陣的每個元素都是時間的函數(shù)。對于器件中的每個熱源,都會有一條“自發(fā)熱”瞬態(tài)響應曲線;對于系統(tǒng)中的每個其他關注點,都會存在一條“相互作用”瞬態(tài)響應曲線。在同樣的限制性假設的約束下,線性疊加和互易原理仍然
          • 關鍵字: 安森美  封裝技術  

          安森美:傳統(tǒng)工業(yè)市場升級帶來電機控制新機遇

          • 在后疫情時代,安森美認為在大型和手持電器、機器人、伺服驅(qū)動器等領域,對無刷直流電機(BLDC) 需求較大,將會是重點增長的幾個應用方向。同時安森美也預計所有氣體動力工具/手持電器會繼續(xù)向電氣化發(fā)展,在伺服和自動化等更傳統(tǒng)的工業(yè)應用中也會看到比較大的潛力。特別的,無刷直流電機(BLDC)和永磁同步電機(PMSM)市場將持續(xù)增長,因為它們開始滲入更多的傳統(tǒng)工業(yè)市場,如伺服電機。為了應對這樣的市場需求,安森美(onsemi) 在電機控制領域主打從器件到系統(tǒng)的靈活性解決方案,即提供針對無刷直流(BLDC) 應用的
          • 關鍵字: 202303  安森美  電機控制  

          安森美開發(fā)IGBT FS7開關平臺,性能領先,應用工業(yè)市場

          • 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi),推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),具備業(yè)界領先的性能水平,最大程度降低導通損耗和開關損耗。這些新器件旨在提高快速開關應用能效,將主要用于能源基礎設施應用,如太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、儲能和電動汽車充電電源轉(zhuǎn)換。新的1200V溝槽型場截止(FS7)IGBT在高開關頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線電壓,及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關損耗可實現(xiàn)更高的開關頻率,從而減少磁性元件的尺寸,提高功率密度
          • 關鍵字: 安森美  IGBT FS7  

          安森美推出仿真工具,助力加速復雜電力電子應用上市周期

          • 2023 年 3 月 22日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON),針對其EliteSiC碳化硅(SiC)產(chǎn)品系列及其應用推出一款突破性的仿真工具。全新的Elite Power Simulator在線仿真工具和PLECS模型自助生成工具,使工程師在開發(fā)周期的早期階段,通過對復雜電力電子應用進行系統(tǒng)級仿真,獲得有價值的參考信息。這些工具提供尖端前沿的精確仿真數(shù)據(jù),從而讓客戶根據(jù)應用需求進行EliteSiC產(chǎn)品選型,無需耗費成本和時間進行硬件制造和測試,為電力電子工
          • 關鍵字: 安森美  仿真工具  復雜電力電子應用  

          安森美開發(fā)IGBT FS7開關平臺,性能領先,應用工業(yè)市場

          • 2023 年 3 月 21日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON),推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),具備業(yè)界領先的性能水平,最大程度降低導通損耗和開關損耗。這些新器件旨在提高快速開關應用能效,將主要用于能源基礎設施應用,如太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、儲能和電動汽車充電電源轉(zhuǎn)換。新的1200V溝槽型場截止(FS7)IGBT在高開關頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線電壓,及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關損耗
          • 關鍵字: 安森美  IGBT FS7開關  
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          安森美介紹

          安森美半導體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號:ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡和強大的產(chǎn)品系列,是計算機、通信、消費產(chǎn)品、汽車、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場客戶之首選高能效半導體技術供應商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。 公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯,并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設計中心的業(yè)務 [ 查看詳細 ]

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