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5大重要技巧讓您利用 SiC 實(shí)現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品！

當(dāng)您設(shè)計(jì)新電力電子產(chǎn)品時(shí)，您的目標(biāo)任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個(gè)必須實(shí)現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標(biāo)的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導(dǎo)體的開關(guān)電源，其應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開關(guān)模式設(shè)計(jì)的首選功率半導(dǎo)體是正確的，請(qǐng)考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級(jí)結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
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氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開關(guān)。只有合理設(shè)計(jì)能夠支持這種功率開關(guān)轉(zhuǎn)換的印刷電路板 (PCB) ，才能實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關(guān)的全部性能優(yōu)勢(shì)。本文將簡(jiǎn)單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設(shè)計(jì)高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動(dòng)電路的 PCB 設(shè)計(jì)要點(diǎn)。NCP51820 是一款全功能專用驅(qū)動(dòng)器，為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關(guān)性能而
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一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算

與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來(lái)確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度，有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應(yīng)用筆記將簡(jiǎn)單說(shuō)明如何測(cè)量功耗并計(jì)算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據(jù)電路拓?fù)浜凸ぷ鳁l件，兩個(gè)芯片之間的功率損耗可能會(huì)有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導(dǎo)通損耗和開關(guān)（開通和關(guān)斷）損耗，而二極管損耗
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碳化硅如何革新電氣化趨勢(shì)

在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來(lái)了一種替代材料，它能減輕對(duì)硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體：將電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)硅基器件的多種優(yōu)勢(shì)。由于漏電流更小且?guī)陡螅骷梢栽诟鼘挼臏囟确秶鷥?nèi)工作，而不會(huì)發(fā)生故障或降低效率。它還具有化學(xué)惰性，所有這些優(yōu)點(diǎn)進(jìn)一步鞏固了 SiC 在電力電子領(lǐng)域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應(yīng)用，例如電源、純
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使用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)指南（三）：設(shè)計(jì)要點(diǎn)和PCB布局指南

本設(shè)計(jì)指南分為三部分，將講解如何為電力電子應(yīng)用中的功率開關(guān)器件選用合適的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，并介紹實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。上兩期分別講解了隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的介紹與選型指南以及使用安森美(onsemi)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的電源、濾波設(shè)計(jì)與死區(qū)時(shí)間控制，本文為第三部分，將為大家?guī)?lái)設(shè)計(jì)中的要點(diǎn)和PCB布局指南。設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)器VCC時(shí)，關(guān)于上電延遲有哪些注意事項(xiàng)？對(duì)于所使用的驅(qū)動(dòng)器，要設(shè)計(jì)一個(gè)高能效且快速的電路，啟動(dòng)時(shí)間是一個(gè)重要因素。因此，啟動(dòng)時(shí)間必須要短。但是，啟動(dòng)時(shí)間受上電延遲的限制，上電延遲是指驅(qū)動(dòng)器使能到首次柵極輸出的時(shí)間。
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高集成度、最大化靈活度的電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)器

三相永磁無(wú)刷直流（以下簡(jiǎn)稱“BLDC”）電機(jī)控制需要一個(gè)電子換向電路，而傳統(tǒng)的有刷直流電機(jī)是采用機(jī)械自換向的方式。與有刷直流電機(jī)不同，BLDC電機(jī)沒(méi)有電刷，無(wú)需定期維護(hù)或更換，因而不易受到磨損。我們將簡(jiǎn)要介紹 BLDC 電機(jī)的結(jié)構(gòu)和控制，然后介紹三種換向方法：● 梯形換向● 磁場(chǎng)定向控制● 直接扭矩和磁通控制最后，我們會(huì)介紹一種創(chuàng)新的BLDC換向方法，可以以單個(gè)電機(jī)控制集成電路(IC)實(shí)施三種換向方法中的任何一種。BLDC結(jié)構(gòu)BLDC
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約29.35億元，全球半導(dǎo)體再現(xiàn)12英寸廠出售案

近日，安森美宣布，已成功收購(gòu)格芯(GlobalFoundries) 位于美國(guó)紐約州東菲什基爾（East Fishkill，EFK）地區(qū)的300mm晶圓廠，自2022年12月31日起生效。該交易為安森美團(tuán)隊(duì)增加了1,000多名世界一流的技術(shù)專家和工程師。2019年4月，安森美與格芯宣布達(dá)成協(xié)議，收購(gòu)格芯位于美國(guó)紐約州East Fishkill的300mm晶圓，總價(jià)格為4.3億美元（約合人民幣29.35億元），其中1億美元已在簽署最終協(xié)議時(shí)支付，3.3億美元在2022年底支付。根據(jù)協(xié)議，安森美幾年內(nèi)可在該廠增
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安森美舉行剪彩儀式,慶祝原格芯紐約東菲什基爾工廠所有權(quán)轉(zhuǎn)讓完成

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi），近日宣布于2022年12月31日成功完成了對(duì)格芯（GlobalFoundries）位于紐約州東菲什基爾（EFK）的300毫米工廠的收購(gòu)。該交易為安森美團(tuán)隊(duì)帶來(lái)了1000多名世界一流的技術(shù)專家和工程師人才。在過(guò)去的三年里，安森美一直致力于確保東菲什基爾（EFK）工廠及其員工的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展，大力投資于300毫米的生產(chǎn)能力，以加快公司在電源、模擬和感知產(chǎn)品的增長(zhǎng)，并優(yōu)化制造成本結(jié)構(gòu)。東菲什基爾（EFK）工廠為安森美帶來(lái)了先進(jìn)的CMOS制造能力--包括生產(chǎn)圖像傳感
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使用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)指南（二）：電源、濾波設(shè)計(jì)與死區(qū)時(shí)間

本設(shè)計(jì)指南分為三部分，將講解如何為電力電子應(yīng)用中的功率開關(guān)器件選用合適的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，并介紹實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。上次為大家梳理了隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的介紹和選型指南，本文為第二部分，將帶大家全面了解使用安森美(onsemi)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的電源、濾波設(shè)計(jì)以及死區(qū)時(shí)間控制。電源建議以下是使用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器電源時(shí)應(yīng)注意的一些建議。VDD 和 VCC 的旁路電容對(duì)于實(shí)現(xiàn)可靠的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器性能至關(guān)重要。建議選擇具有適當(dāng)電壓額定值、溫度系數(shù)和電容容差的低 ESR 和低 ESL 表面貼裝多層陶瓷電容
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安森美第四季度業(yè)績(jī)超預(yù)期,宣布30億美元股票回購(gòu)計(jì)劃

安森美(onsemi)近日公布其2022年第4季度及全年業(yè)績(jī)，亮點(diǎn)如下：●? ?第4季度收入21.036億美元，同比增長(zhǎng)14%●? ?第4季度公認(rèn)會(huì)計(jì)原則(以下簡(jiǎn)稱“GAAP”) 毛利率分別48.5%，同比增長(zhǎng)343基點(diǎn)，非公認(rèn)會(huì)計(jì)原則(以下簡(jiǎn)稱“non-GAAP”)毛利率48.4%，同比增長(zhǎng)321基點(diǎn)●? ?第4季度破紀(jì)錄汽車行業(yè)收入9.89億美元，同比增長(zhǎng)54%●? ?第4季度GAAP和non-GAAP每股攤薄盈利分別為1
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e絡(luò)盟開售安森美能源基礎(chǔ)設(shè)施解決方案

憑借數(shù)十年的創(chuàng)新技術(shù)經(jīng)驗(yàn)以及可靠高效的下一代功率半導(dǎo)體，安森美將為能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高功率密度水平，降低功率損耗，并縮短開發(fā)時(shí)間?中國(guó)上海，2023年2月2日 – 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟宣布供應(yīng)安森美（onsemi）EliteSiC系列高度優(yōu)化的最新碳化硅（SiC）產(chǎn)品，適用于能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。與同類競(jìng)品相比，這些新器件在現(xiàn)實(shí)條件下實(shí)現(xiàn)了更低的開關(guān)損耗，能夠滿足下一代能源基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的更高性能要求。隨著脫碳轉(zhuǎn)型的加速，全球能源需求逐步轉(zhuǎn)向部署更多能源基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)，
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第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車上的應(yīng)用

目前碳化硅(SiC)在車載充電器(OBC)已經(jīng)得到了普及應(yīng)用，在電驅(qū)的話已經(jīng)開始逐步有企業(yè)開始大規(guī)模應(yīng)用，當(dāng)然SiC和Si的功率器件在成本上還有一定的差距，主要是因?yàn)镾iC的襯底良率還有長(zhǎng)晶的速度很慢導(dǎo)致成本偏高。隨著工藝的改進(jìn)，這些都會(huì)得到解決。同時(shí)SiC由于開關(guān)速度比較快，衍生出來(lái)的問(wèn)題在應(yīng)用里還沒(méi)有完全的暴露出來(lái)，隨著SiC的終端客戶在這方面的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)越來(lái)越豐富，SiC的使用也會(huì)趨于成熟。接下來(lái)，安森美(onsemi)汽車主驅(qū)功率模塊產(chǎn)品線經(jīng)理陸濤將和您聊聊關(guān)于未來(lái)SiC在新能源汽車上的普及及應(yīng)用。
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安森美與大眾汽車集團(tuán)就下一代電動(dòng)汽車的碳化硅(SiC)技術(shù)達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議，進(jìn)一步鞏固戰(zhàn)略合作關(guān)系

2023 年 1 月 30 日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON）宣布與德國(guó)大眾汽車集團(tuán) (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議，為大眾汽車集團(tuán)的下一代平臺(tái)系列提供模塊和半導(dǎo)體器件，以實(shí)現(xiàn)完整的電動(dòng)汽車 (EV) 主驅(qū)逆變器解決方案。安森美所提供的半導(dǎo)體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分，形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅(qū)逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅(qū)逆變器電源模塊，作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性，可
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安森美:圍繞全球可持續(xù)發(fā)展的共同目標(biāo)而推進(jìn)

安森美(onsemi) 得益于在電動(dòng)汽車/ 汽車功能電子化、自動(dòng)駕駛、光伏、儲(chǔ)能和工廠自動(dòng)化等市場(chǎng)的戰(zhàn)略布局和技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，近6個(gè)季度的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)連創(chuàng)新高，2022 年第3 季度實(shí)現(xiàn)破紀(jì)錄收入21.926 億美元，其中汽車和工業(yè)市場(chǎng)收入占比達(dá)到68%。展望2023 年，我們?nèi)詴?huì)專注于這兩大長(zhǎng)期增長(zhǎng)的市場(chǎng)，持續(xù)精益業(yè)務(wù)及流程改進(jìn)，優(yōu)化產(chǎn)能，提升客戶體驗(yàn)及滿意度，以智能電源和智能感知技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)兩倍的市場(chǎng)增長(zhǎng)。碳化硅(“SiC”) 是未來(lái)功率半導(dǎo)體最主流的方向，是顛覆創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)之一。SiC 用于汽車主驅(qū)、車
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安森美宣布新任首席人力資源官

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi)，宣布新任首席人力資源官（CHRO）Padma Thiruvengadam，自2022年12月12日起生效。Padma Thiruvengadam將領(lǐng)導(dǎo)安森美以人為本的活動(dòng)--監(jiān)管人才招聘和發(fā)展；多元化、公平性和包容性(DEI)；整體薪酬回報(bào)以及人力資源體系、洞察及分析—以給員工最佳的體驗(yàn)。Thiruvengadam接替的是Tobin Cookman，他從2012年開始領(lǐng)導(dǎo)人力資源團(tuán)隊(duì)，為安森美提供了超過(guò)25年的杰出服務(wù)。作為新任首席人力資源官（CHRO
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安森美介紹

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor, 美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò)和強(qiáng)大的產(chǎn)品系列，是計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)產(chǎn)品、汽車、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場(chǎng)客戶之首選高能效半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號(hào)、邏輯、分立及定制器件。公司的全球總部位于美國(guó)亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠、銷售辦事處和設(shè)計(jì)中心的業(yè)務(wù) [ 查看詳細(xì) ]