碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)
SiC主驅(qū)逆變器讓電動汽車延長5%里程的秘訣
- 不斷增長的消費需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識/環(huán)境法規(guī)約束，以及越來越豐富的可選方案，都在推動著人們選用電動汽車 (EV)，令電動汽車日益普及。高盛近期的一項研究顯示，到 2023 年，電動汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%；到 2030 年，預計將增長至 30%；到 2035 年，電動汽車銷量將有可能占全球汽車銷量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔心充一次電后行駛里程不夠長，則是影響電動汽車普及的主要障礙之一?？朔@一問題的關(guān)鍵是在不顯著增加成本的情況下延長車輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化
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英飛凌與現(xiàn)代、起亞簽署半導體供應長約
- 英飛凌、現(xiàn)代汽車和起亞汽車三方發(fā)布官方聲明稱，已簽署一項多年期碳化硅和硅功率半導體供應協(xié)議。據(jù)外媒，10月18日，英飛凌、現(xiàn)代汽車和起亞汽車三方發(fā)布官方聲明稱，已達成戰(zhàn)略合作，簽署一項多年期碳化硅和硅功率半導體供應協(xié)議，以確保功率半導體的供應。根據(jù)戰(zhàn)略合作協(xié)議，英飛凌將在2030年前向現(xiàn)代、起亞供應碳化硅和硅功率模塊與芯片，而現(xiàn)代、起亞則會出資支持英飛凌的產(chǎn)能建設與儲備，三方也計劃在提升電動汽車的性能上緊密合作。
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SiC MOSFET 器件特性知多少？
- 對于高壓開關(guān)電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關(guān)超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓
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三星人事變動，瞄準碳化硅！
- 10月16日，根據(jù)韓媒ETNEWS的報道，三星電子近期聘請安森美半導體前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔任副總裁，負責監(jiān)督SiC功率半導體業(yè)務，并在其內(nèi)部組織了SiC功率半導體業(yè)務V-TF部門。Stephen Hong是功率半導體專家，在加入三星電子之前，曾在英飛凌、仙童、安森美半導體等全球主要功率半導體公司工作約25年。目前，Stephen Hong正在尋找SiC商業(yè)化的團隊成員，同時通過與韓國功率半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈和學術(shù)界互動，進行市場和商業(yè)可行性研究。早先三星宣布正式進軍GaN業(yè)務的時候也曾提
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為敏感電路提供過壓及電源反接保護！
- 假如有人將24V電源連接到您的12V電路上，將發(fā)生什么？倘若電源線和接地線因疏忽而反接，電路還能安然無恙嗎？您的應用電路是否工作于那種輸入電源會瞬變至非常高壓或甚至低于地電位的嚴酷環(huán)境中?即使此類事件的發(fā)生概率很低，但只要出現(xiàn)任何一種就將徹底損壞電路板。為了隔離負電源電壓，設計人員慣常的做法是布設一個與電源相串聯(lián)的功率二極管或 P 溝道 MOSFET。然而——◇ 二極管既占用寶貴的板級空間，又會在高負載電流下消耗大量的功率?！?P 溝道 MOSFET 的功耗雖然低于串聯(lián)二極管，但 MOSFET 以及所需的
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中國香港地區(qū)將建首個具規(guī)模的半導體晶圓廠
- 香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導體簽署合作備忘錄，設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心。大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，10月13日，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠，共同推進香港微電子生態(tài)圈及第三代半導體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。據(jù)悉，該項目總投資額約69億港元，計劃到2028年年產(chǎn)24萬片碳化硅晶圓，帶動年產(chǎn)值超過110億港元，并創(chuàng)造超過700個本地和
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杰平方半導體宣布啟動香港首間碳化硅（SiC）先進垂直整合晶圓廠項目
- 由創(chuàng)新科技及工業(yè)局和引進重點企業(yè)辦公室共同推動，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠，共同推進香港微電子生態(tài)圈及第三代半導體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局去年公布的《香港創(chuàng)科發(fā)展藍圖》中，明確指出應加強支持具策略性的先進制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展，譬如半導體芯片，促進香港「新型工業(yè)化」的發(fā)展。作為全球最大的半導體進出口市場之一，香港更是位處大
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Denso和三菱電機10億美元投資Coherent碳化硅業(yè)務
- Denso和三菱電機宣布將分別投資5億美元，入股Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務子公司。據(jù)外媒，日本電裝株式會社(Denso)和三菱電機宣布，將分別投資5億美元，入股美國半導體材料、網(wǎng)絡及激光供應商Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務子公司Silicon Carbide，并分別取得12.5%股權(quán)（兩家日企合計取得25%股權(quán)）。據(jù)悉，Silicon Carbide主要從事SiC晶圓等產(chǎn)品的制造，是于2023年4月從Coherent公司分拆出來設立的SiC業(yè)務子公司。Denso與三菱電機將向該公司采購
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了解高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)
- Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競爭力的產(chǎn)品性能和先進的技術(shù)，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領導地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品，包括電壓阻斷能力高達4700V的器件，能夠支持客戶開發(fā)需求嚴苛的應用。Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競爭力的產(chǎn)品性能和先進的技術(shù)，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領導地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品，包括電壓阻斷能力高達4700V的器件，能夠支持客戶開發(fā)需求嚴苛的應用。Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si) MOSF
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適用于熱插拔應用的具有導通電阻的高效 MOSFET
- 熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會損壞相關(guān)電子設備。電容性負載可能會產(chǎn)生較大的負載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰，從而進一步損壞電子設備。熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會損壞相關(guān)電子設備。電容性負載可能會產(chǎn)生較大的負載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰，從而進一步損壞電子設備。簡介熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會損壞相關(guān)電子設備。電容性負載可能會產(chǎn)生較大的
- 關(guān)鍵字： MOSFET 導通電阻
onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅(qū)動IC 應用于工業(yè)馬達控制器
- 1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內(nèi)部電流隔離的高電流單通道驅(qū)動器，專為高功率應用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設計。其特性包括互補的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時的軟關(guān)斷以及獨立的高低驅(qū)動器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統(tǒng)設計及開發(fā)。 NCD57000 可在輸入側(cè)提供 5
- 關(guān)鍵字： NCD57000 驅(qū)動器 IGBT MOSFET onsemi 馬達控制
如何更好的使用EiceDRIVER IC驅(qū)動SiC MOSFET
- 碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應用，但對驅(qū)動系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護、精準的短路保護、可調(diào)的軟關(guān)斷等功能，為新一代的功率器件保駕護航。EiceDRIVER?增強型1ED34X1主要特色：●? 單通道隔離型柵極驅(qū)動芯片●? 輸出電流典型值+3/6/9A●? 功能絕緣電壓高達2300V●? 帶米勒鉗位、Desat短路保護、
- 關(guān)鍵字： MOSFET EiceDRIVER MOSFET
保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡
- 在工業(yè)、汽車和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩(wěn)健的供應鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動汽車充電基礎設施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來說是一項持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽
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