- 中國北京,2019年7月16日–各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID今日宣布,公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關材料國際會議”上,發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅動器”的論文,并介紹公司在該領域的最新研究開發(fā)成果。CISSOID首席技術官Pierre Delatte將于19日在該會議上發(fā)表該文章。當今,碳化硅(SiC)在汽車制造商的大力追捧下方興未艾,碳化硅技術可以提供更高的能效和增加功率密度;在工業(yè)應用方面,越來越多的人則
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CISSOID 碳化硅 功率模塊 高溫柵極驅動器
- 此次產能擴大,將帶來SiC(碳化硅)晶圓制造產能的30倍增長和SiC(碳化硅)材料生產的30倍增長,以滿足2024年之前的預期市場增長
5年的投資,充分利用現有的建筑設施North Fab,并整新200mm設備,建造采用最先進技術的滿足汽車認證的生產工廠
投資:4.5億美元用于North Fab;4.5億美元用于材料超級工廠(mega factory);1億美元用于伴隨著業(yè)務增長所需要的其它投入
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碳化硅 碳化硅基氮化鎵 工廠
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC
MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型,該系列產品支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※2),而且產品陣容豐富,擁有13個機型?! OHM于2010年在全球率先成功實現SiC
MOSFET的量產,在SiC功率元器件領域,ROHM始終在推動領先的產品開發(fā)和量產體制構建。在需求不斷擴大的車載市場,ROHM也及時確立車載品質,并于2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特
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ROHM SiC MOSFET
- 2019年3月14日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON
Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer
Studio?
開發(fā)平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應用廣泛的電源方案,使用戶能在一個具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統方案的選擇范圍,且在采購硬件和完成設計之前對系統性能有信心?! trata Developer
S
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安森美 SiC
- Mar. 7, 2019 ----
全球市場研究機構集邦咨詢在最新《中國半導體產業(yè)深度分析報告》中指出,受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產品持續(xù)缺貨和漲價,帶動了2018年中國功率半導體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣,較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣,較2017年同比增長8%?! 〖钭稍兎治鰩熤x瑞峰指出,功率半導體作為需求驅動型的產業(yè),2019年
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IGBT SiC
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
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碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
- 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日推出SIC1182K
SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC)
MOSFET門極驅動器,可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經過設定后可支持不同的門極驅動電壓,來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統、伺服驅動器、電焊機和電源?! IC1182K可在125°C結溫下提供8
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Power Integrations SiC-MOSFET
- 介紹了SiC的市場動向,SiC市場不斷擴大的原因,SiC技術及解決方案的突破,以及羅姆公司在SiC方面的特點。
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SiC 市場 應用 汽車 201903
- 據業(yè)內人士透露,作為蕪湖大院大所合作的重點項目,國產化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功,打破國外壟斷。這標志著今后國內各大芯片企業(yè)生產5G通信芯片,有望用上國產材料。
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碳化硅 氮化鎵 5G
- 意法半導體(ST)近日與瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB公司簽署協議,收購后者55%股權。Norstel公司于2005年從Link?ping大學分拆出來,開發(fā)和生產150mm SiC裸晶圓和外延晶圓。ST表示,在交易完成之后,它將在全球產能受限的情況下控制部分SiC器件的整個供應鏈,并為自己帶來一個重要的增長機會。
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ST Norstel SiC
- 在現實世界中,沒有人可以和“半導體”撇清關系。雖然這個概念聽上去可能顯得有些冰冷,但是你每天用的電腦,手機以及電視等等,都會用到半導體元件。半導體的重要性自不必說,今天我們來說一下半導體產業(yè)中一個很關鍵的組成部分,那就是半導體材料。
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碳化硅 氮化鎵
- 目前,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高,它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發(fā)揮傳統的硅器件無法實現的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面,會有非常廣闊的發(fā)展前景?! ∪欢琒iC和GaN并不是終點,最近,氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野,憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶,該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此,近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來?! 嶋H上,氧化鎵并不是很新的技術,多年前就
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半導體 SiC GaN
- 11月30日,北汽新能源(北汽藍谷
600733)與羅姆半導體集團合作成立SiC產品技術聯合實驗室。北汽新能源執(zhí)行副總經理陳上華與羅姆半導體集團董事末永良明現場簽署了合作協議書,并共同為SiC產品技術聯合試驗室揭牌?! ≡撀摵蠈嶒炇业某闪?,是北汽新能源在新能源汽車領域不斷加強自主技術實力的重要舉措,聯合實驗室成立后,北汽新能源將可以與羅姆半導體集團共同深入到碳化硅等新技術的預研中,并圍繞碳化硅的新產品進行全面合作開發(fā)?! 〗陙?,以SiC為代表的第三代功率半導體材料,已經被廣泛應用在新能源
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北汽新能源 羅姆半導體 SiC
- 11月4-7日,由中國電源學會與IEEE電力電子學會聯合主辦的第二屆國際電力電子技術與應用會議暨博覽會(IEEE PEAC
2018)在深圳隆重舉行?;景雽w作為本次大會的金牌贊助商,重磅推出碳化硅MOSFET產品,反響熱烈?! ∽鳛槿蛐缘碾娏﹄娮有袠I(yè)盛會,IEEE PEAC
2018可謂大咖云集,來自31個國家和地區(qū)的電力電子學術界和產業(yè)界的800余位代表參加了本次會議。大會主席、中國電源學會理事長徐德鴻教授主持開幕式并致開幕詞,美國工程院院士、中國工程院外籍院士李澤元教授,中國工程院院
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基本半導體 碳化硅 第三代半導體
- 10月31日-11月2日,第92屆中國電子展在上海新國際博覽中心隆重舉行?;景雽w亮相深圳坪山第三代半導體產業(yè)園展區(qū),展示公司自主研發(fā)的碳化硅
MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產品?! ≈袊娮诱故请娮有袠I(yè)的年度盛會,集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設備、測試測量、軍民融合、物聯網、汽車電子等產業(yè),傾力打造從上游基礎電子元器件到下游產品應用端的全產業(yè)鏈陣容。本次展會以“信息化帶動工業(yè)化,電子技術促進產業(yè)升級”為主題,共有40000余名買家和專業(yè)觀眾觀展,共同打造了一場電子行業(yè)年度盛會?!?/li>
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基本半導體 碳化硅 第三代半導體
碳化硅(sic)介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)!
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