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被神秘的FS7“附體”，解讀兩大最新功率模塊系列的“超能力”
- 安森美（onsemi）在2024年先后推出兩款超強功率半導(dǎo)體模塊新貴，IGBT模塊系列——SPM31 IPM，QDual 3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技術(shù)，主要性能拉滿，形成業(yè)內(nèi)獨特的領(lǐng)先優(yōu)勢。解密FS7“附體”的超能力眾所周知，IGBT是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件，結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的優(yōu)點，具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通電壓降的特點。而安森美的Field Stop技術(shù)則是IGBT的一種改進技術(shù)，通過在器件的漂移區(qū)引入一個場截
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意法半導(dǎo)體先進的電隔離柵極驅(qū)動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能
- 意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。STGAP3S 在柵極驅(qū)動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動化、家電等工業(yè)電機驅(qū)動裝置的可靠性。新驅(qū)動器還適合電源和能源應(yīng)用，包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
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Microchip推出廣泛的IGBT 7 功率器件組合，專為可持續(xù)發(fā)展、電動出行和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用而優(yōu)化設(shè)計
- 為滿足電力電子系統(tǒng)對更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長的需求，功率元件正在不斷發(fā)展。為了向系統(tǒng)設(shè)計人員提供廣泛的電源解決方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封裝、支持多種拓撲結(jié)構(gòu)以及電流和電壓范圍的IGBT 7器件組合。這一新產(chǎn)品組合具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的器件尺寸，旨在滿足可持續(xù)發(fā)展、電動汽車和數(shù)據(jù)中心等高增長細分市場的需求。高性能IGBT 7器件是太陽能逆變器、氫能生態(tài)系統(tǒng)、商用車和農(nóng)用車以及更多電動飛機（MEA）中電源應(yīng)用的關(guān)鍵構(gòu)件
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采用IGBT5.XT技術(shù)的PrimePACK?為風(fēng)能變流器提供卓越的解決方案
- 本文由英飛凌科技的現(xiàn)場應(yīng)用工程師Marcel Morisse與高級技術(shù)市場經(jīng)理Michael Busshardt共同撰寫。鑒于迫切的環(huán)境需求，我們必須確保清潔能源基礎(chǔ)設(shè)施的啟用，以減少碳排放對環(huán)境的負面影響。在這一至關(guān)重要的舉措中，風(fēng)力發(fā)電技術(shù)扮演了關(guān)鍵角色，并已處于領(lǐng)先地位。在過去的20年中，風(fēng)力渦輪機的尺寸已擴大三倍，其發(fā)電功率大幅提升，不久后將突破15MW的大關(guān)。因此，先進風(fēng)能變流器的需求在不斷增長。這些變流器在惡劣境條件下工作，需要高度的可靠性和堅固性，以確保較長的使用壽命。為了在限制機柜內(nèi)元件數(shù)
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功率模塊選得好，逆變器高效又可靠
- 全球正加速向電氣化轉(zhuǎn)型，尤其是在交通和基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。無論是乘用車還是商用/農(nóng)業(yè)車輛(CAV)，都在轉(zhuǎn)向電動驅(qū)動。國際能源署(IEA)2022 年的數(shù)據(jù)顯示，太陽能發(fā)電量首次超過風(fēng)電，達到1300TWh。轉(zhuǎn)換能量需要用到逆變器和轉(zhuǎn)換器。太陽能光伏(PV)板產(chǎn)生直流電，而電網(wǎng)中運行的是交流電。電動汽車(EV)的情況類似，其主驅(qū)電池系統(tǒng)提供直流電，而發(fā)動機中的主驅(qū)電機需要交流電。在這兩種情況下，電力轉(zhuǎn)換過程的能效具有重要影響，因為任何能量損失都會轉(zhuǎn)化為熱量，這就需要風(fēng)扇或散熱器等散熱措施，進而會擴大整體解決方案
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更高額定電流的第8代LV100 IGBT模塊
- 摘要本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結(jié)構(gòu)，并通過可以控制載流子的等離子體層（CPL）結(jié)構(gòu)減少芯片厚度，從而顯著的降低了功率損耗。特別是，在開通dv/dt與傳統(tǒng)模塊相同的情況下，SDA結(jié)構(gòu)可將Eon降低約60%，通過大幅降低功率損耗，模塊可以提高功率密度。通過采用這些技術(shù)并擴大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實現(xiàn)了1800
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IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實現(xiàn)高性價比電驅(qū)
- 引言近幾年新能源車發(fā)展迅猛，技術(shù)創(chuàng)新突飛猛進。如何設(shè)計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術(shù)人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當(dāng)?shù)钠胶?。?dāng)前新能源汽車牽引逆變器的功率半導(dǎo)體器件幾乎都是基于單一的硅基(Si) 或者碳化硅基（SiC）。Si IGBT 或?qū)拵?SiC MOSFET功率半導(dǎo)體具有不同的性能特點，可以適合不同的目標應(yīng)用。單一性質(zhì)的IGBT器件或SiC器件在逆變器應(yīng)用中很難同時滿足高效和成本的要求。如今越來越多的設(shè)計人員希望以創(chuàng)造性的
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高壓柵極驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析，一文get√
- 高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動集成電路（HVIC）是專為半橋開關(guān)應(yīng)用設(shè)計的高邊和低邊柵極驅(qū)動集成電路，驅(qū)動高壓、高速MOSFET 而設(shè)計?！陡邏簴艠O驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態(tài)功率損耗分析、動態(tài)功率損耗分析、柵極驅(qū)動損耗分析等方面進行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內(nèi)部框圖。主要功能模塊包括輸入級、欠壓鎖定保護、電平轉(zhuǎn)換器和輸出驅(qū)動級。柵極驅(qū)動器損耗
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安森美 NFAL5065L4BT IPM 應(yīng)用于1500W熱泵熱水器壓縮機驅(qū)動器方案
- 碳排放量的根本源頭在于能源消耗的多寡與能源轉(zhuǎn)換效率的高低，特別是在電能轉(zhuǎn)換成熱能或冷能的家電產(chǎn)品上。為了鼓勵民眾使用高能效的家電產(chǎn)品，政府推出了使用一級能效等級家電即提供高額補助獎金的政策。目前市面上的冷氣機和冰箱已經(jīng)廣泛采用變頻壓縮機技術(shù)，一級能效產(chǎn)品屢見不鮮，但高能效的電熱水器產(chǎn)品卻相對稀少。 熱泵熱水器是一種利用少量電能驅(qū)動壓縮機冷媒，并將冷媒轉(zhuǎn)態(tài)時產(chǎn)生的熱能傳送到貯水裝置以加熱水源，同時排出冷空氣的設(shè)備。其加熱效果大約是傳統(tǒng)能源（市電、天然氣、柴油）的三倍。與傳統(tǒng)電熱水器相比，熱泵熱水器
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什么是IGBT的退飽和（desaturation）？ 什么情況下IGBT會進入退飽和狀態(tài)？
- 如下圖，是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線，橫軸是C，E兩端電壓，縱軸是歸一化的集電極電流?？梢钥吹絀GBT工作狀態(tài)分為三個部分：1、關(guān)斷區(qū)：CE間電壓小于一個門檻電壓，即背面PN結(jié)的開啟電壓，IGBT背面PN結(jié)截止，無電流流動。2、飽和區(qū)：CE間電壓大于門檻電壓后，電流開始流動，CE間電壓隨著集電極電流上升而線性上升，這個區(qū)域稱為飽和區(qū)。因為IGBT飽和電壓較低，因此我們希望IGBT工作在飽和區(qū)域。3、線性區(qū)：隨著CE間電壓繼續(xù)上升，電流進一步增大。到一定臨界點后，CE電壓迅速增大，而集電極電流并不隨之增
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一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計算，圖文結(jié)合+計算公式步驟
- 今天給大家分享的是：IGBT的損耗與結(jié)溫計算。與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。這里將主要介紹一下：如何測量功率計算二極管和IGBT芯片的溫升。一、損耗組成部分根據(jù)電路拓撲和工作條件，兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： IGBT 損耗 溫升
革新GaN IPM技術(shù)：引領(lǐng)高壓電機驅(qū)動系統(tǒng)進入新時代
- 在當(dāng)今能效需求日益增長的時代背景下，家電及HVAC系統(tǒng)的設(shè)計師們正全力以赴地追求更高的能效標準。與此同時，他們也積極響應(yīng)消費者對可靠、靜音、緊湊且經(jīng)濟實用的系統(tǒng)的期待。市場上的主要設(shè)計挑戰(zhàn)在于，如何在不增加系統(tǒng)成本的前提下，設(shè)計并開發(fā)出更為小巧、高效且經(jīng)濟適用的電機驅(qū)動器。這一挑戰(zhàn)要求設(shè)計師們不斷創(chuàng)新，以實現(xiàn)能效與實用性的完美結(jié)合。基于以上背景，德州儀器（TI）再次走在行業(yè)前沿，通過其最新發(fā)布的DRV7308氮化鎵（GaN）智能功率模塊（IPM），為高壓電機驅(qū)動系統(tǒng)帶來了革命性的改變。近日，德州儀器在發(fā)布
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德州儀器推出先進的GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機
- ●? ?650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)，助力家電和暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)逆變器達到99%以上效率。●? ?得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。德州儀器 (TI)近日推出了適用于 250W 電機驅(qū)動器應(yīng)用的先進 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時通常面臨的許多設(shè)
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 GaN IPM 高壓電機
德州儀器推出先進的 GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機
- 650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)，助力家電和暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)逆變器達到99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。中國上海（2024 年 6 月 18 日）– 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）推出了適用于 250W 電機驅(qū)動器應(yīng)用的先進 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時通
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安森美第7代IGBT模塊協(xié)助再生能源簡化設(shè)計并降低成本
- 安森美(onsemi) 最新發(fā)布第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模塊，與其他同類產(chǎn)品相比，該模塊的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模塊基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術(shù)，帶來出色的效能表現(xiàn)，有助于降低系統(tǒng)成本并簡化設(shè)計。在用于 150 千瓦的逆變器中時，QDual3 模塊的損耗比同類競品少 200 瓦（W），從而大大縮減散熱器的尺寸。QDual3模塊專為在惡劣條件下工作而設(shè)計，非常適合用于大功率變流器
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