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快速開關(guān)TRENCHSTOP 5 IGBT

緊湊的尺寸和不斷降低的系統(tǒng)成本是電力電子設(shè)計(jì)的開發(fā)者一直追求的目標(biāo)?，F(xiàn)在，由于家用電器消耗的能量不斷增加，從事此類應(yīng)用的工程師還有一個(gè)目標(biāo)：保持高功率因數(shù)(PF)。特別是空調(diào)，其額定功率為1.8kW或更大，是最耗電的設(shè)備之一。在這里，功率因數(shù)校正(PFC)是強(qiáng)制性的，對(duì)于PFC，設(shè)計(jì)者認(rèn)為IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是具有最高性價(jià)比的開關(guān)器件。緊湊的尺寸和不斷降低的系統(tǒng)成本是電力電子設(shè)計(jì)的開發(fā)者一直追求的目標(biāo)。現(xiàn)在，由于家用電器消耗的能量不斷增加，從事此類應(yīng)用的工程師還有一個(gè)目標(biāo)：保持高功率因數(shù)(PF)
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功率半導(dǎo)體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考

4月24日，東芝電子元器件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導(dǎo)體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。施工將分兩個(gè)階段進(jìn)行，第一階段的生產(chǎn)計(jì)劃在2024財(cái)年內(nèi)開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應(yīng)對(duì)人員的增加。此外，今年2月下旬，日經(jīng)亞洲報(bào)道，東芝計(jì)劃到2024年將碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據(jù)日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節(jié)，布局完成后將形成：外延設(shè)備+外
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賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT功率模塊

賽米控丹佛斯（總部位于德國(guó)紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發(fā)SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好合作關(guān)系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶的需求。ROHM Co., Ltd. 董事常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英（左）賽米控丹佛斯 CEO Claus A.
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“一芯難求”？IGBT 憑啥這么搶手？

今天要聊的這個(gè)或許不僅是“供不應(yīng)求”，在媒體報(bào)道中更被稱為是“一芯難求”！用報(bào)道的話來(lái)說(shuō)，“不是價(jià)格多高的問(wèn)題，而是根本買不到”。TA就是簡(jiǎn)稱為“IGBT”的絕緣柵雙極型晶體管。聽到“一芯難求”，聰明的你應(yīng)該就能get到其中的投資機(jī)會(huì)，IGBT究竟為啥這么搶手？咱們又能從中找到哪些投資良機(jī)呢？01 什么是IGBT？作為新能源領(lǐng)域的“新晉紅人”，IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，可以?jiǎn)單理解為一種功率開關(guān)元件。心臟的作用大家都知道吧？在心臟泵的作用下，心臟把血液推動(dòng)到身體的各個(gè)器官，為身體補(bǔ)充充足的血液和
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設(shè)備廠商訂單量大增；4個(gè)IGBT項(xiàng)目開工

2022年，盡管全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)局勢(shì)復(fù)雜，但中國(guó)本土半導(dǎo)體似乎依然保持著朝陽(yáng)勢(shì)頭，發(fā)展火熱。尤其是半導(dǎo)體設(shè)備廠商，在國(guó)產(chǎn)化浪潮進(jìn)一步驅(qū)動(dòng)下，去年大部分國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商在營(yíng)收及訂單方面表現(xiàn)出了強(qiáng)勁的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。2023年以來(lái)，至純科技、中微公司、以及盛美上海均披露了其2022年年度報(bào)告。其中，2022年度，至純科技實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入30.5億元，同比增長(zhǎng)46.32%，新增訂單42.19億元，同比增長(zhǎng)30.62%；；中微公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收47.4億元，同比增長(zhǎng)52.5%，新簽訂單金額約63.2億元，同比增加約53%；盛美上海實(shí)現(xiàn)
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高電壓技術(shù)是構(gòu)建更可持續(xù)未來(lái)的關(guān)鍵

隨著世界各地的電力消耗持續(xù)增長(zhǎng)，高電壓技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新讓設(shè)計(jì)工程師能夠開發(fā)出更高效的解決方案，使電氣化和可再生能源技術(shù)更易于使用。?“隨著人均用電量的持續(xù)增長(zhǎng)，可持續(xù)能源變得越來(lái)越重要，”TI 副總裁及高電壓產(chǎn)品部總經(jīng)理 Kannan Soundarapandian 表示?！耙载?fù)責(zé)的方式管理能源使用非常重要。我們不能浪費(fèi)任何一毫焦1的能量。這就是為什么高電壓技術(shù)的創(chuàng)新是實(shí)現(xiàn)能源可持續(xù)的關(guān)鍵?！?隨著電力需求的增加（在 2 秒內(nèi)將電動(dòng)汽車 (EV) 從 0mph加速到 60mph?
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車用/工用等IGBT供不應(yīng)求，缺貨問(wèn)題至少在2024年中前難以解決？

隨著車用、工業(yè)應(yīng)用所需用量大增，IGBT市場(chǎng)陷入供不應(yīng)求，此前有消息指出，部分廠商IGBT產(chǎn)線代工價(jià)上漲10%。而根據(jù)行業(yè)媒體的最新消息，IGBT缺貨問(wèn)題至少在2024年中前難以解決。導(dǎo)致IGBT缺貨、漲價(jià)的原因主要有四點(diǎn)：其一，需求旺盛，車用、工業(yè)應(yīng)用所需IGBT用量大增；其二，供給不足，產(chǎn)能擴(kuò)增緩慢；其三，客戶認(rèn)證需要時(shí)間；其四，特斯拉大砍75%碳化硅用量，IGBT為潛在替代方案。IGBT是第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品，具有高頻、高電壓、大電流，易于開關(guān)等優(yōu)良性能，被業(yè)界譽(yù)為電力電子裝置的“C
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SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析；廠商談IGBT大缺貨

根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體研究處最新報(bào)告《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告-Part1》分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)22.8億美元，年成長(zhǎng)41.4%。與此同時(shí)，受惠于下游應(yīng)用市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，TrendForce集邦咨詢預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模可望達(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車及可再生能源2全球車用MCU市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估2022年全球車用MCU市場(chǎng)規(guī)模達(dá)82
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英飛凌推出適用于低功耗設(shè)備的高度集成的iMOTION? IMI110系列模塊

英飛凌科技股份公司日前宣布，推出全新的?iMOTION? IMI110 系列智能功率模塊（IPM）。該產(chǎn)品系列在緊湊的?DSO-22 封裝中集成了?iMOTION?運(yùn)動(dòng)控制引擎（MCE）、三相柵極驅(qū)動(dòng)器和?600 V/2 A?或?600 V/4 A?IGBT。這款集成的電機(jī)控制器系列適用于各種應(yīng)用，包括大、小型家用電器中的電機(jī)，以及輸出功率通常為?70 W?的風(fēng)扇和泵機(jī)。取決于系統(tǒng)設(shè)計(jì)，該系列甚至可以實(shí)現(xiàn)更
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安森美開發(fā)IGBT FS7開關(guān)平臺(tái),性能領(lǐng)先,應(yīng)用工業(yè)市場(chǎng)

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平，最大程度降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。這些新器件旨在提高快速開關(guān)應(yīng)用能效，將主要用于能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，如太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源（UPS）、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車充電電源轉(zhuǎn)換。新的1200V溝槽型場(chǎng)截止（FS7）IGBT在高開關(guān)頻率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中用于升壓電路提高母線電壓，及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關(guān)損耗可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，從而減少磁性元件的尺寸，提高功率密度
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廠商談IGBT大缺貨：根本買不到！

當(dāng)下半導(dǎo)體周期下行，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈多細(xì)分領(lǐng)域均明顯邁入到庫(kù)存調(diào)整周期。然而，在電動(dòng)車與太陽(yáng)能光伏兩大主流應(yīng)用需求大增助推下，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）近期出現(xiàn)較大程度缺貨，不僅價(jià)格連漲，業(yè)界更以“不是價(jià)格多高的問(wèn)題，而是根本買不到”來(lái)形容缺貨盛況。01IGBT供不應(yīng)求，代工價(jià)格喊漲自2020年汽車缺芯以來(lái)，汽車芯片結(jié)構(gòu)性缺芯愈發(fā)明顯，IGBT一直處于緊缺狀態(tài)。在2022年下半年，其甚至超越車用MCU，成為影響汽車擴(kuò)產(chǎn)的最大掣肘。今年年初媒體消息顯示，漢磊集團(tuán)于年初調(diào)漲IGBT產(chǎn)線代工價(jià)一成左右。據(jù)悉，漢
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安森美開發(fā)IGBT FS7開關(guān)平臺(tái)，性能領(lǐng)先，應(yīng)用工業(yè)市場(chǎng)

2023 年 3 月 21日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平，最大程度降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。這些新器件旨在提高快速開關(guān)應(yīng)用能效，將主要用于能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，如太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源（UPS）、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車充電電源轉(zhuǎn)換。新的1200V溝槽型場(chǎng)截止（FS7）IGBT在高開關(guān)頻率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中用于升壓電路提高母線電壓，及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關(guān)損耗
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吉利科技旗下晶能車規(guī)級(jí)IGBT產(chǎn)品成功流片

近日，吉利科技旗下浙江晶能微電子有限公司宣布，其自主設(shè)計(jì)研發(fā)的首款車規(guī)級(jí)IGBT產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求。吉利科技集團(tuán)消息顯示，該款I(lǐng)GBT芯片采用第七代微溝槽柵和場(chǎng)截止技術(shù)，通過(guò)優(yōu)化表面結(jié)構(gòu)和FS結(jié)構(gòu)，兼具短路耐受同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通/開關(guān)損耗，功率密度增大約35%，綜合性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定，采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。據(jù)悉，晶能微電子是吉利科技集團(tuán)孵化的功率半導(dǎo)體公司，聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制與創(chuàng)新，發(fā)揮“芯片設(shè)計(jì)+模塊制
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吉利科技旗下晶能微電子自研首款車規(guī)級(jí) IGBT 產(chǎn)品成功流片

IT之家 3 月 16 日消息，吉利科技旗下浙江晶能微電子近期宣布，其自主設(shè)計(jì)研發(fā)的首款車規(guī)級(jí) IGBT 產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求。晶能自主研發(fā) IGBT 流片晶圓該款 IGBT 芯片采用第七代微溝槽柵和場(chǎng)截止技術(shù)，通過(guò)優(yōu)化表面結(jié)構(gòu)和 FS 結(jié)構(gòu)，兼具短路耐受同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通 / 開關(guān)損耗，功率密度增大約 35%，綜合性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定，采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。晶能表示，一輛典型的新能源汽車芯片用量超過(guò) 1200 顆。功率半導(dǎo)體占比接近 1/
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[向?qū)捊麕а葸M(jìn)]:您能跟上寬禁帶測(cè)試要求的步伐嗎?

_____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來(lái)越高。在電氣方面，這些物質(zhì)比硅和其他典型半導(dǎo)體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性，而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料，所以會(huì)引發(fā)不良的導(dǎo)電性泄漏，且會(huì)隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導(dǎo)電率，相當(dāng)于半導(dǎo)體運(yùn)行失效。在這兩種寬禁帶材料中，GaN主要適合中低檔功率實(shí)現(xiàn)方案，大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個(gè)顯著增長(zhǎng)領(lǐng)域是它在LED照明中的應(yīng)用，而且在汽車
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