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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> igbt-ipm

          如何通過(guò)改進(jìn)IGBT模塊布局來(lái)克服芯片縮小帶來(lái)的熱性能挑戰(zhàn)

          • 尺寸和功率往往看起來(lái)像是硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時(shí)--這是我們行業(yè)中不斷強(qiáng)調(diào)的目標(biāo)之一--你不可避免地會(huì)降低功率。但情況一定是這樣嗎?如果將我們的思維從芯片轉(zhuǎn)移到模塊設(shè)計(jì)上,就不需要拋硬幣了。在IGBT模塊中,芯片面積減小導(dǎo)致了熱阻抗的增加,進(jìn)而影響性能。但是,由于較小的芯片在基板上釋放了更多的空間,因此有可能利用這些新的可用空間來(lái)優(yōu)化模塊的布局。在這篇文章中,我們將探討如何調(diào)整模塊設(shè)計(jì)來(lái)改善熱性能。下篇將探討如何改善電氣性能。作為參考,我們將使用采用TRENCHSTOP? IGBT 7技術(shù)的新型1200
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  

          一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算

          • 與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來(lái)確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度,有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應(yīng)用筆記將簡(jiǎn)單說(shuō)明如何測(cè)量功耗并計(jì)算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據(jù)電路拓?fù)浜凸ぷ鳁l件,兩個(gè)芯片之間的功率損耗可能會(huì)有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導(dǎo)通損耗和開關(guān)(開通和關(guān)斷)損耗,而二極管損耗
          • 關(guān)鍵字: 安森美  IGBT  

          為什么逆導(dǎo)型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC電路

          • 對(duì)于功率因數(shù)校正(PFC),通常使用升壓轉(zhuǎn)換器Boost拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時(shí)IGBT是大功率PFC應(yīng)用的最佳選擇,如空調(diào)、加熱、通風(fēng)和空調(diào)(HVAC)以及熱泵。理論上,在連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)下,通過(guò)IGBT反向續(xù)流永遠(yuǎn)不會(huì)發(fā)生。然而,在輕負(fù)載或瞬態(tài)條件下,由于升壓電感Lboost和IGBT的輸出電容Coss之間的共振,會(huì)有反向電流流過(guò)。這個(gè)諧振電流,iQN(t)是由以下公式給出的。諧振期間IGBT兩端的電壓(VCE)可以得出:當(dāng)輸入電壓Vin低于輸出電壓的一半時(shí)(Vin&l
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  CCM模式  

          如何手動(dòng)計(jì)算IGBT的損耗

          • 現(xiàn)今隨著高端測(cè)試儀器和仿真軟件的普及,大部分的損耗計(jì)算都可以使用工具自動(dòng)完成,節(jié)省了不少精力,不得不說(shuō)這對(duì)工程師來(lái)說(shuō)是一種解放,但是這些工具就像黑盒子,好學(xué)的小伙伴總想知道工作機(jī)理。其實(shí)基礎(chǔ)都是大家學(xué)過(guò)的基本高等數(shù)學(xué)知識(shí)。今天作者就幫大家打開這個(gè)黑盒子,詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時(shí)一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識(shí)。我們先來(lái)看一個(gè)IGBT的完整工作波形:IGBT的損耗可以分為開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,其中開關(guān)損耗又分為開通和關(guān)斷兩部分,下面我分別來(lái)看一下各部分的計(jì)算推導(dǎo)過(guò)程。開關(guān)損耗-開通部分我們先來(lái)看一下理想的
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  

          功率器件:新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟

          • 功率半導(dǎo)體器件,也稱為電力電子器件,主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變(直流轉(zhuǎn)換成交流)、整流(交流轉(zhuǎn)換成直流)、斬波(直流升降壓)、變頻(交流之間轉(zhuǎn)換)是基本的電能轉(zhuǎn)換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽車是功率器件增量需求主要來(lái)源01 下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,新能源汽車為主作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件,功率器件下游應(yīng)用十分廣泛,包括新能源(風(fēng)電、光伏、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車)、消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等,根據(jù)每個(gè)細(xì)分領(lǐng)域性能要求
          • 關(guān)鍵字: 功率器件  IGBT  MOSFET  國(guó)產(chǎn)替代  

          瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動(dòng)IC 用于驅(qū)動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

          • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)近日宣布,推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM,用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率器件。柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們?cè)诘蛪河蚪邮諄?lái)自MCU的控制信號(hào),并將這些信號(hào)傳遞至高壓域,快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動(dòng)車輛電池的更高電壓,RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kV
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  柵極驅(qū)動(dòng)IC  EV逆變器  IGBT  SiC MOSFET  

          IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

          • 針對(duì)氮化鋁陶瓷基板的IGBT應(yīng)用展開分析,著重對(duì)不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進(jìn)行可靠性進(jìn)行研究。通過(guò)對(duì)比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強(qiáng)度、熱循環(huán)、功率循環(huán),分析結(jié)果可知,活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板,剝離強(qiáng)度25 MPa,(-40 ~150)℃熱循環(huán)達(dá)到1 500次,能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測(cè)試7萬(wàn)次,滿足IGBT模塊對(duì)陶瓷基板可靠性需求。
          • 關(guān)鍵字: IGBT  AlN陶瓷基板  金屬化  可靠性應(yīng)用  202212  

          一文讀懂功率半導(dǎo)體

          • 功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中,都會(huì)用到功率器件,MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設(shè)備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過(guò)一系列的轉(zhuǎn)換調(diào)制變成擁有特定電能參數(shù)的“精電”、供給需求不一的用電終端,為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過(guò)程中,20世紀(jì)50年代,功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀(jì)60至70年代,晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展。20世紀(jì)70年代
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  MOSFET  IGBT  

          10分鐘狂充80%電量!東風(fēng)碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車

          • 近日消息,從東風(fēng)汽車官方獲悉,東風(fēng)碳化硅功率模塊項(xiàng)目課題已經(jīng)順利完成,將于2023年搭載東風(fēng)自主新能源乘用車,實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門檻非常高,除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn),IGBT模塊封裝測(cè)試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求,作為IGBT模塊的升級(jí)產(chǎn)品、第三代半導(dǎo)體,碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動(dòng)新能源汽車電氣架構(gòu)從400V到800V的迭代,從而實(shí)現(xiàn)10分鐘充電80%,并進(jìn)一步提升車輛續(xù)航里程,降低整車成本。同時(shí),總投資2.8億元的功率模塊二期項(xiàng)
          • 關(guān)鍵字: 東風(fēng)  碳化硅  功率模塊  IGBT  

          吉利也要自制IGBT功率模塊,一期年產(chǎn)60萬(wàn)套

          • 吉利招標(biāo)平臺(tái)發(fā)布了一則《晶能微電子一期工廠改造項(xiàng)目監(jiān)理工程招標(biāo)公告》。該公告指向,吉利加入IGBT封裝的自制隊(duì)伍。從開發(fā)走向制造晶能微電子一期工廠改造項(xiàng)目租賃樂坤產(chǎn)業(yè)園 A-3 的314單元約 5000 平萬(wàn)米,建設(shè)年產(chǎn)60萬(wàn)套IGBT 功率模塊的一期工廠,主要包括 3000 平方米的萬(wàn)級(jí)潔凈室及實(shí)驗(yàn)室,1000平方米的動(dòng)力站,1000 平方米的倉(cāng)庫(kù)及辦公區(qū)。本項(xiàng)目位于杭州市余杭區(qū)錢江經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū),杭州錢江經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)于2006年3月6日經(jīng)浙江省人民政府批準(zhǔn)設(shè)立,是余杭區(qū)五大“產(chǎn)業(yè)平臺(tái)”之一,是連接杭州城東智
          • 關(guān)鍵字: IGBT  功率模塊  吉利  

          半導(dǎo)體周期調(diào)整IGBT走強(qiáng),頭部公司訂單飽滿紛紛擴(kuò)產(chǎn)

          • 半導(dǎo)體周期雖然出現(xiàn)階段性調(diào)整,但受益于新能源汽車、新能源發(fā)電等需求推動(dòng),以IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)為代表的功率器件強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng),相關(guān)IGBT公司訂單量飽滿,產(chǎn)能供不應(yīng)求。車規(guī)級(jí)IGBT持續(xù)放量作為IGBT龍頭,斯達(dá)半導(dǎo)今年前三季度實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)達(dá)到5.9億元,同比增長(zhǎng)1.21倍,增速超過(guò)營(yíng)業(yè)收入,銷售毛利率達(dá)到41.07%,環(huán)比提升。在12月5日斯達(dá)半導(dǎo)三季度業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上,公司高管介紹,近幾個(gè)季度營(yíng)收增長(zhǎng)主要驅(qū)動(dòng)力來(lái)自公司產(chǎn)品在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、風(fēng)電等行業(yè)持續(xù)快速放量,市場(chǎng)份額不斷提高;隨著規(guī)模化效應(yīng)
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  IGBT  

          揭秘 IGBT 模塊封裝與流程

          • IGBT模塊是新一代的功率半導(dǎo)體電子元件模塊,誕生于20世紀(jì)80年代,并在90年代進(jìn)行新一輪的改革升級(jí),通過(guò)新技術(shù)的發(fā)展,現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通態(tài)壓降低、開關(guān)速度快、高電壓低損耗、大電流熱穩(wěn)定性好等等眾多特點(diǎn)于一身,而這些技術(shù)特點(diǎn)正式IGBT模塊取代舊式雙極管成為電路制造中的重要電子器件的主要原因。近些年,電動(dòng)汽車的蓬勃發(fā)展帶動(dòng)了功率模塊封裝技術(shù)的更新迭代。目前電動(dòng)汽車主逆變器功率半導(dǎo)體技術(shù),代表著中等功率模塊技術(shù)的先進(jìn)水平,高可靠性、高功率密度并且要求成本競(jìng)爭(zhēng)力是其首先需要滿足的要求。功率器件模
          • 關(guān)鍵字: IGBT  功率模塊  封裝  

          車規(guī)級(jí)IGBT,爆火

          • 11月25日,時(shí)代電氣發(fā)布公告稱,公司擬對(duì)控股子公司株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中車時(shí)代半導(dǎo)體”)增資人民幣24.6億元,增資的資金用于中車時(shí)代半導(dǎo)體向公司購(gòu)買汽車組件配套建設(shè)項(xiàng)目(包含IGBT項(xiàng)目)部分資產(chǎn)。天眼查顯示,近日,宜興中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司成立,注冊(cè)資本36億元。該公司由時(shí)代電氣、株洲芯連接零號(hào)企業(yè)管理合伙企業(yè)(有限合伙)共同持股,經(jīng)營(yíng)范圍包含:半導(dǎo)體分立器件制造;半導(dǎo)體分立器件銷售;工程和技術(shù)研究和試驗(yàn)發(fā)展;貨物進(jìn)出口等。就在今年9月,時(shí)代電氣就已投資111億元加速擴(kuò)產(chǎn)IGBT項(xiàng)
          • 關(guān)鍵字: IGBT  車規(guī)級(jí)芯片  

          純電動(dòng)汽車用PMSM系統(tǒng)堵轉(zhuǎn)設(shè)計(jì)與應(yīng)用

          • 摘 要:介紹了一種純電動(dòng)汽車用永磁同步電機(jī)系統(tǒng)的堵轉(zhuǎn)控制包含對(duì)原理、法規(guī)要求過(guò)程分析、測(cè)試方法及 策略控制應(yīng)用,通過(guò)對(duì)永磁同步電機(jī)的基本工作原理變換到堵轉(zhuǎn)的工作原理及帶來(lái)的問(wèn)題的原因,通過(guò)建立堵 轉(zhuǎn)策略及仿真計(jì)算開展實(shí)施驅(qū)動(dòng)電機(jī)和IGBT的溫度保護(hù)策略,并確立目標(biāo)開展對(duì)驅(qū)動(dòng)電機(jī)和IGBT選型設(shè)計(jì), 通過(guò)仿真設(shè)計(jì)校核并通過(guò)臺(tái)架和整車實(shí)車測(cè)試驗(yàn)證設(shè)計(jì)目標(biāo),驗(yàn)證了系統(tǒng)性能,安全性高,在通過(guò)設(shè)計(jì)對(duì)整車 目標(biāo)進(jìn)行校核的同時(shí),防止過(guò)度開發(fā),降低了系統(tǒng)開發(fā)成本。關(guān)鍵詞:PMSM;PWM;堵轉(zhuǎn);IGBT;載頻0
          • 關(guān)鍵字: 202211  PMSM  PWM  堵轉(zhuǎn)  IGBT  載頻  

          新一代1700V IGBT7技術(shù)及其在電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

          • EconoDUAL?3是一款經(jīng)典的IGBT模塊封裝,其上一代的1700V系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于級(jí)聯(lián)型中高壓變頻器、靜止無(wú)功發(fā)生器(SVG)和風(fēng)電變流器,覆蓋了中功率和一部分大功率的應(yīng)用場(chǎng)合。隨著芯片技術(shù)的發(fā)展和市場(chǎng)對(duì)高功率密度IGBT模塊的需求增加,英飛凌已經(jīng)基于最新的1700V IGBT7技術(shù)開發(fā)了新一代的EconoDUAL?3模塊,并率先推出了900A和750A兩款新產(chǎn)品。本文首先分析了上一代最大電流等級(jí)600A的產(chǎn)品FF600R17ME4[1]在MVD和SVG中的典型應(yīng)用,然后介紹了1700V IG
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  
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          igbt-ipm介紹

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