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東芝面向中大電流IGBT／MOSFET 推出內置保護功能的光耦
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和MOSFET的預驅動光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏（PV）的功率調節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預驅動光耦內置多種功能[1]，其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實現(xiàn)過流檢測。產(chǎn)品于今日起開始出貨。新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。目前現(xiàn)有產(chǎn)品[2]需要使用雙極型晶體管構成的緩沖電路來實現(xiàn)電流放大，這會在工作中消耗基極電流。新產(chǎn)品能夠
- 關鍵字： IGBT MOSEFT
CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。這項新的智能功率模塊技術提供了一種一體化解決方案，即整合了內置柵極驅動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個全新的可擴展平臺同時優(yōu)化了功率開關的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制，對于電動汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機驅動的電動機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時間。該可擴展
- 關鍵字： SiC IPM
電機的應用趨勢及控制解決方案
- 顧偉俊? （羅姆半導體（上海）有限公司?技術中心?現(xiàn)場應用工程師）摘? 要：介紹了電機的應用趨勢，以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動向。 關鍵詞：電機；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機的應用趨勢?隨著智能家居、工業(yè)自動化、物流自動化等概念的 普及深化，在與每個人息息相關的家電領域、車載領 域以及工業(yè)領域，各類電機在技術方面都出現(xiàn)了新的 需求。?在家電領域，電器的 智能化需要電器對人機交 流產(chǎn)生相應的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間，規(guī)劃路線，然后執(zhí) 行移動以及相應
- 關鍵字： 202003 電機 BLDC MCU SiC IPM
用智能相位控制技術提高家用電器的電機效率
- 姜鐵軍 （東芝電子元件（上海）有限公司?系統(tǒng)LSI戰(zhàn)略業(yè)務企劃統(tǒng)括部?高級工程師）摘? 要：介紹了家用電器用電機的特點，以及東芝提升電機效率的智能相位控制技術和產(chǎn)品。 關鍵詞：BLDC；智能相位控制技術；IPM1? 家電用電機的特點?電機在如今這個時代非常重要。根據(jù)相關數(shù)據(jù)顯 示，全球大約50%的電能 是被電機消耗的。在以 前，電機的應用主要集中 在工業(yè)領域，隨著人民生 活水平的不斷提升，家用 電器領域開始異軍突起。 數(shù)量巨大的家用電器在電 機使用中占比很大，如家 電類的冰箱、空調、洗
- 關鍵字： 202003 BLDC 智能相位控制技術 IPM
工業(yè)電機用功率半導體的動向
- Steven?Shackell? （安森美半導體?工業(yè)業(yè)務拓展經(jīng)理）摘? 要：電動工具用電機正從有刷直流(BDC)轉向無刷直流(BLDC)電機；工業(yè)電機需要更高能效的電機，同時 需要強固和高質量。安森美以領先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應對這些轉變帶來的商機。 關鍵詞：電機；電動工具；MOSFET；工業(yè)；IGBT；IPM安森美半導體提供全面的電機產(chǎn)品系列，尤其是功 率半導體方面。安森美半導體因來自所有電機類型的 商機感到興奮，并非常看好無刷直流電機(BLDC)應用 （例如電動工具），
- 關鍵字： 202003 電機 電動工具 MOSFET 工業(yè) IGBT IPM
關于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案
- 王定良（電子科技大學 電子科學與工程學院，四川 成都 610054） 摘? 要：作為電機驅動電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來越重要，但是越來越快的開關速度，可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過高的dV/dt也會在IGBT關斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結合半橋電路的寄生參數(shù)模型，完善傳統(tǒng)公式的推導?；趯脚cIGBT擎住現(xiàn)象的分析，并結合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來動態(tài)擴展IGBT安全工作區(qū)的電路結構，改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時的可靠性?！ ￡P鍵詞：IGBT；
- 關鍵字： 202002 IGBT 誤觸發(fā) dV/dt 可靠性
CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領域實現(xiàn)廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應用中
- 關鍵字： IGBT SiC GaN
同類最佳的超級結MOSFET和 具成本優(yōu)勢的IGBT用于電動汽車充電樁
- 插電式混合動力/電動汽車(xEV)包含一個高壓電池子系統(tǒng)，可采用內置的車載充電器(OBC)或外部的充電樁進行充電。充電(應用)要求在高溫環(huán)境下具有高電壓、高電流和高性能，開發(fā)高能效、高性能、具豐富保護功能的充電樁對于實現(xiàn)以盡可能短的充電時間續(xù)航更遠的里程至關重要。常用的半導體器件有IGBT、超結MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半導體為電動汽車OBC和直流充電樁提供完整的系統(tǒng)方案，包括通過AEC車規(guī)認證的超級結MOSFET、IGBT、門極驅動器、碳化硅(SiC)器件、電壓檢測、控制產(chǎn)品乃至電源模塊等，
- 關鍵字： 超級結MOSFET IGBT 充電樁
隔離式柵極驅動器的重要特性
- Thomas?Brand（ADI慕尼黑公司?現(xiàn)場應用工程師） 摘?要：探討了IGBT隔離式柵極驅動器的重要特性?！ ￡P鍵詞：IGBT；隔離式；柵極驅動器 在功率電子（例如驅動技術）中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關期間。為了最大程度減小開關損耗，要求具備較短的開關時間。然而，快速開關同時隱含著高壓瞬變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅動器，還執(zhí)行提供短路保護并影響開關速度的功能。然而，在選擇柵極驅動器
- 關鍵字： 201909 IGBT 隔離式 柵極驅動器
向小功率和大功率延伸 三菱電機五大新品看點
- 在產(chǎn)業(yè)電子化升級過程中，作為電子產(chǎn)品的基礎元器件之一的功率半導體器件越來越得到重視與應用。而中國作為需求大國，已經(jīng)占有約39％的市場份額，在中國制造業(yè)轉型升級的關鍵時期，對功率半導體器件的需求將會越來越大。自上世紀80年代起，功率半導體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應用類型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結構、柵極結構以及硅片加工工藝等7次技術演進，目前可承受電壓能力達到6500V，并且實現(xiàn)了高功率密度化。在此背景下，6月26-28日，PCIM亞洲展2019將在在上海世博展覽館舉行，三
- 關鍵字： 三菱電機 PCIM亞洲展 IGBT
變頻空調IPM可靠性研究與應用
- 黎長源，李帥，項永金（格力電器（合肥）有限公司，安徽 合肥 230088） 摘要：針對空調用IPM模塊生產(chǎn)過程及運輸周轉過程中出現(xiàn)IPM本體開裂問題，本文從IPM失效機理、器件結構工藝設計、器件應用環(huán)境設計質量可靠性等方面進行分析。通過器件失效機理、結構對比、X光、機械應力測試等對IPM器件本體全方位分析論斷，分析結果表明：IPM整體結構設計存在質量缺陷，IPM抗機械應力強度水平低，在實際應用環(huán)境中以較高的可靠性工作，本次IPM物理機械失效與器件本身設計質量缺陷存在較大關聯(lián)；從器件本身可靠性設計、本
- 關鍵字： 變頻空調 IPM 開裂 器件結構 機械應力 201907
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