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	coolsic mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          IR 拓展堅固可靠、系統(tǒng)可擴展的車用 DirectFET?2 功率 MOSFET 系列
          
                                                            
            
                    	
          • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負載應用，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、電源、混合動力汽車的電池開關、微型混合動力汽車的集成起動發(fā)電機系統(tǒng)等。
　　與傳統(tǒng)的標準塑料封裝器件相比，IR 的車用 DirectFET®2 器件可以實現(xiàn)整個系統(tǒng)級尺寸和更低的成本，以及超高的性
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          • 關鍵字：
                        IR  MOSFET                          
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          滿足供電需求的新型封裝技術和MOSFET
          
                                                            
            
                    	
          • 當維持相同的結點溫度時，可以獲得更高的輸出功率和改善功率密度。另外，散熱能力的提高使得電路在提供額定電流的同時，還可以額外提供不超過額定電流50%的更高電流，并使器件工作在更低的溫度、減少發(fā)熱對其他器件的影響，也提高了系統(tǒng)的可靠性。
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          • 關鍵字：
                        技術  MOSFET  封裝  新型  供電  需求  滿足                          
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          Vishay Siliconix 推出新款500V的 N溝道功率MOSFET超低導通電阻
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新型500V、16A的N溝道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.38Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝。
　　SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPA
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          • 關鍵字：
                        Vishay  MOSFET                           
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          一種MOSFET雙峰效應的簡單評估方法
          
                                                            
            
                    	
          • 金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  雙峰效  方法                            
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          Diodes 推出強固型MOSFET 輕松應對IP電話通信設備的嚴峻考驗
          
                                                            
            
                    	
          • 　　Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發(fā)的新型60V N溝道器件，擴展了其MOSFET產(chǎn)品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產(chǎn)生正極線和負極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關時引起的雪崩能量而設計。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉(zhuǎn)換器對基本切換功能的嚴格要求。
　　Diodes 這次推出的四款產(chǎn)品提供四種不同的行業(yè)標準封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
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          • 關鍵字：
                        Diodes  MOSFET                          
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          硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領域的應用
          
                                                            
            
                    	
          • 　功率MOSFET作為雙極晶體管的替代品最早出現(xiàn)于1976年。與那些少數(shù)載流子器件相比，這些多數(shù)載流子器件速度更快、更堅固，并且具有更高的電流增益。因此開關型電源轉(zhuǎn)換技術得以真正商用化。早期臺式電腦的AC/DC開關電
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          • 關鍵字：
                        領域  應用  轉(zhuǎn)換  電源  MOSFET  功率                          
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          Panasonic電工PhotoMOS MOSFET的控制電路
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　前言
　　Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率MOSFET，是作為微小模擬信號用而開發(fā)出的SSD，以高功能型的HF型為首，正逐步擴展系列，如通用型的GU型、高頻型的RF型。
　　上次介紹了PhotoMOS的概要，此次將介紹內(nèi)置在PhotoMOS中構成控制電路的獨特的光電元件的特點、構造、布線等。
　　FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路
　　圖1是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出
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          • 關鍵字：
                        Panansonic  PhotoMOS  MOSFET                          
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          瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產(chǎn)品
          
                                                            
            
                    	
          • 　　高級半導體解決方案領導廠商瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)已于近日宣布開始供應第12代新型功率MOSFET(金屬氧化物半導體晶體管)產(chǎn)品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率半導體器件，主要面向計算機服務器和筆記本電腦等的應用。
　　本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲器的電壓轉(zhuǎn)換電路。例如，可作為降壓電路，用于將電池提供的12V電壓轉(zhuǎn)換為1.05V，以便為CPU所用。隨著公司進一步推進
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          • 關鍵字：
                        瑞薩電子  MOSFET                          
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          Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要2
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　b觸點型“PhotoMOS”的開發(fā)
　　隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解，人們將其用于信息通信設備、OA設備、FA設備及其他廣泛的領域。為了滿足大眾進一步的需求，本公司開發(fā)出了“可通過機械實現(xiàn)、并擁有所有觸點構成(b觸點、c觸點)”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。
　　為實現(xiàn)該產(chǎn)品的開發(fā)，我們在功率MOSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
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          • 關鍵字：
                        Panasonic  MOSFET  PhotoMOS                          
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          IR 推出為 D 類應用優(yōu)化的汽車用 DirectFET2 功率 MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布推出汽車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類音頻系統(tǒng)輸出級等高頻開關應用。

　　新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 適用于汽車 D 類音頻系統(tǒng)的 DirectFET®2 功率 MOSFET 陣營，并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化，來改善總諧波失真
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          • 關鍵字：
                        IR  MOSFET                          
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          基于功率MOSFET的激光器外觸發(fā)系統(tǒng)研制
          
                                                            
            
                    	
          • 采用功率MOSFET及其驅(qū)動器和光纖收發(fā)器件，研究了激光觸發(fā)開關脈沖功率源控制技術中的快上升沿(≤5 ns)觸發(fā)信號產(chǎn)生、驅(qū)動、傳輸及光纖隔離、高耐壓脈沖變壓器使用等關鍵技術。給出了激光器外觸發(fā)控制電路的設計及測試結果，并對其應用特點進行了分析和討論。
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  激光器  觸發(fā)系統(tǒng)                            
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          Diodes 推出小型SOT963封裝器件
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超過采用更大封裝的器件。
　　Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2，比SOT723封裝少30%，比SOT563封裝少60%，適合低功耗應用。占板面積節(jié)省加上0.5 mm的離板高度，讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿足各種超便攜式電子產(chǎn)品的要求。
　　現(xiàn)階段推出的SOT963封裝產(chǎn)品線包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號雙MOS
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          • 關鍵字：
                        Diodes  MOSFET  BJT  TVS                          
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          MOSFET驅(qū)動器介紹及功耗計算
          
                                                            
            
                    	
          • 我們先來看看MOS關模型：



            Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
            Cgd：是兩個不同作用的結果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
            耗盡區(qū)電容
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  驅(qū)動器  功耗計算                            
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          電源設計小貼士17：緩沖反向轉(zhuǎn)換器
          
                                                            
            
                    	
          • 之前，我們介紹了如何對正向轉(zhuǎn)換器輸出整流器開啟期間兩端的電壓進行緩沖?，F(xiàn)在，我們來研究如何對反向轉(zhuǎn)換器的 FET 關斷電壓進行緩沖。圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于
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          • 關鍵字：
                        轉(zhuǎn)換器  緩沖  設計  MOSFET  TI  德州儀器                          
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          Panasonic 電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　前言:
　　Panasonic電工的“PhotoMOS”是一款采用光電元件以及功率MOSFET進行輸出的輸出光電耦合器。面試二十年間，在全世界的銷量達到八億個，堪稱是一款銷售成績驕人的商品。“PhotoMOS”滿足了小型·輕量·薄形化的需求，作為適應電子化的輸出光電耦合器，增加了①高靈敏性、高速響應;②從傳感器輸入信號水平到高頻的控制;③從聲音信號到高頻用途的對應;④高可靠性和長使用壽命;⑤可進行表面安裝的SMD型;⑥多功能
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          • 關鍵字：
                        松下電工  MOSFET  PhotoMOS  光電耦合器                          
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