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晶圓廠產(chǎn)能不足 MOSFET供貨警報響
- 臺晶圓代工廠產(chǎn)能供應失序情形，近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓，包括LCD驅(qū)動IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產(chǎn)能動作，讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急追單，MOSFET市場明顯供不應求現(xiàn)象，對臺系相關供應商如富鼎、尼克森及茂達2010年第1季營收表現(xiàn)，將有顯著貢獻。 臺系MOSFET供應商指出，近期合作的5寸、6寸晶圓廠內(nèi)部產(chǎn)能利用率直線拉升，影響所及，盡管公司緊急向晶圓廠加單，不過，由于加單動作明顯落后其它業(yè)者，未來3個月可
- 關鍵字： 晶圓代工 電源管理 MOSFET
Vishay推出12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導通電阻。 SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品，使用了自對準工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進的技術(shù)實現(xiàn)了超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)
- 關鍵字： Vishay MOSFET TrenchFET
英飛凌和飛兆半導體達成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關的14項專利。 通過廣泛的半導體技術(shù)專利交叉許可，雙方就上述訴訟達成和解。根據(jù)和解協(xié)議，飛兆半導體將向英飛凌支付許可費，但協(xié)議的具體條款和條件保密。 英飛凌和飛兆半導體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經(jīng)達成和解，并將申請撤訴。 作為半導體行業(yè)的全球領袖，英飛凌目前正
- 關鍵字： 英飛凌 MOSFET IGBT
IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
- 新型電力半導體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應當認識到，電力半導體器件和集成電路在國民經(jīng)濟發(fā)展中地位同樣重要，因此，政府應該對IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。 眾所周知，電力電子技術(shù)可以提高用電效率，改善用電質(zhì)量，是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關元器件，它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導體器件的代表性器件，
- 關鍵字： 器件 IGBT 封裝 測試 MOSFET
能效需求催生功率器件應用熱潮
- 市場需求逐步恢復 ● 能效需求催生功率器件應用熱潮 ● 擴內(nèi)需政策為企業(yè)提供增長空間 陳坤和 從2008年底到2009年初，所有電子產(chǎn)品的需求均有減少，功率半導體也不例外。我們認識到，困難時期可能成為重新把公司塑造成一個更精簡、更專注、更贏利企業(yè)的催化劑。由于各國政府的經(jīng)濟刺激措施紛紛把提升能效列為重點內(nèi)容，許多企業(yè)開始關注功率產(chǎn)品。在中國，由于政府刺激消費電子市場，中國市場需求增長，推動功率管理和其他半導體產(chǎn)品的需求開始復蘇。從長期來看，功率半導體將與許多其他領域的半導體產(chǎn)品
- 關鍵字： 功率器件 MOSFET
Diodes推出為VoIP應用優(yōu)化的全新MOSFET
- Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡電話 (VoIP) 通信設備的設計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的復雜性和成本。 ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過特別設計，能滿足各種VoIP應用中基于用戶線接口電路(SLIC)DC/DC轉(zhuǎn)換器對變壓器中初級開關位置的嚴格要求。這些應用涵蓋寬帶語音系統(tǒng)、PBX系統(tǒng)、有線和DSL網(wǎng)關。 兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V，能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式，不需要額外的保護電
- 關鍵字： Diodes MOSFET
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