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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM開發(fā)成功
- 三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首款采用12納米（nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung Lee表示："三星12nm級(jí)DRAM將成為推動(dòng)整個(gè)市場(chǎng)廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運(yùn)營(yíng)的基礎(chǔ)。"AMD高級(jí)副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計(jì)算
- 關(guān)鍵字： 三星電子 12納米 DDR5 DRAM
美光與AMD宣布全新技術(shù)合作
- 12月19日，美光宣布，與AMD在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗(yàn)室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗(yàn)證時(shí)間。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5內(nèi)存和第四代AMD EPYCTM（霄龍）處理器均已出貨。長(zhǎng)期以來(lái)，超級(jí)計(jì)算機(jī)承擔(dān)著高性能計(jì)算工作負(fù)載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載需要運(yùn)行TB級(jí)的數(shù)據(jù)量以進(jìn)行數(shù)百萬(wàn)個(gè)并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預(yù)測(cè)；地震建模；化學(xué)、物理和生物分析等。隨著計(jì)算機(jī)架構(gòu)的進(jìn)步，此類工作負(fù)載往往托管在超大型“可橫向擴(kuò)展”的高性能服務(wù)器集群中。這些服務(wù)器集群需要集合最強(qiáng)大的算力、架構(gòu)、內(nèi)存和存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字： 美光 AMD DDR5
美光 DDR5 搭配第四代 AMD EPYC 處理器官方基準(zhǔn)測(cè)試：內(nèi)存帶寬翻倍
- IT之家 12 月 19 日消息，據(jù)美光發(fā)布，美光與 AMD 雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗(yàn)室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗(yàn)證時(shí)間，在產(chǎn)品驗(yàn)證和發(fā)布期間共同進(jìn)行工作負(fù)載測(cè)試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTM （霄龍）處理器均已出貨，官方對(duì)其進(jìn)行了一些常見的高性能計(jì)算（HPC）工作負(fù)載基準(zhǔn)測(cè)試。長(zhǎng)期以來(lái)，超級(jí)計(jì)算機(jī)承擔(dān)著高性能計(jì)算工作負(fù)載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載需要運(yùn)行 TB 級(jí)的數(shù)據(jù)量以進(jìn)行數(shù)百萬(wàn)個(gè)并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣
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美光 DDR5 內(nèi)存配合第四代 AMD EPYC 處理器，提升高性能計(jì)算工作負(fù)載
- 美光與AMD聯(lián)手為客戶及數(shù)據(jù)中心平臺(tái)提供一流的用戶體驗(yàn)。雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗(yàn)室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗(yàn)證時(shí)間，在產(chǎn)品驗(yàn)證和發(fā)布期間共同進(jìn)行工作負(fù)載測(cè)試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTMTM （霄龍）處理器均已出貨，我們對(duì)其進(jìn)行了一些常見的高性能計(jì)算（HPC）工作負(fù)載基準(zhǔn)測(cè)試。 長(zhǎng)期以來(lái)，超級(jí)計(jì)算機(jī)承擔(dān)著高性能計(jì)算工作負(fù)載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載需要運(yùn)行TB 級(jí)的數(shù)據(jù)量以進(jìn)行數(shù)百萬(wàn)個(gè)并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預(yù)測(cè)；地震建模；化學(xué)、物理和生
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SK海力士研發(fā)全球最快內(nèi)存：超越DDR5-4800 80％！
- SK海力士宣布，已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內(nèi)存， 起步速率就可以達(dá)到8Gbps，相比于標(biāo)準(zhǔn)的DDR5-4800快了多達(dá)80％ ，也追平了DDR5內(nèi)存條的最高紀(jì)錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內(nèi)存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā)，面向服務(wù)器領(lǐng)域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”，多路復(fù)用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術(shù)，通過在DRAM內(nèi)存模組、CPU處理器之間加入特殊的
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業(yè)界最快：SK 海力士開發(fā)出數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá) 8Gbps 的服務(wù)器 DDR5 內(nèi)存模組
- IT之家 12 月 8 日消息，SK 海力士今日在官網(wǎng)宣布，成功開發(fā)出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組樣品，這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器 DRAM 產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達(dá) 8Gbps，較之目前 DDR5 產(chǎn)品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。官方稱，該 MCR DIMM 產(chǎn)品采用了全新的方法來(lái)以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認(rèn)為 DDR5 的運(yùn)行速度取決于單個(gè) DRAM 芯片的速度，但 SK 海力士工程師在開發(fā)該產(chǎn)品時(shí)另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個(gè) DRAM 芯
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
56核+8通道DDR5內(nèi)存 Intel確認(rèn)發(fā)燒級(jí)CPU王者歸來(lái)
- 還記得2018年Intel推出的至強(qiáng)W-3175X處理器嗎？當(dāng)年這是Intel為了跟AMD競(jìng)爭(zhēng)專業(yè)市場(chǎng)，將服務(wù)器版至強(qiáng)下放到了工作站，滿血28核56線程，還是唯一解鎖超頻的至強(qiáng)，售價(jià)超過2萬(wàn)元。這款處理器在2021年就退役了，這兩年Intel的發(fā)燒級(jí)HEDT平臺(tái)也沒了動(dòng)靜，至強(qiáng)W的繼任者也沒了音信，一度傳聞被取消，但是Intlel現(xiàn)在親自出面，證實(shí)了新一代工作站處理器要來(lái)了。他們的官推來(lái)看，Intel稱新一代的工作站處理器非?？?，暗示性能強(qiáng)大，甚至需要用戶重新規(guī)劃下去接咖啡的時(shí)間了，因?yàn)楣ぷ鞯却龝r(shí)間會(huì)更短
- 關(guān)鍵字： 英特爾 CPU 至強(qiáng) DDR5
DRAM大廠：消費(fèi)端整體市況回穩(wěn)恐得等到2023年下半年
- 12月5日，DRAM大廠南亞科發(fā)布公告11月自結(jié)合并營(yíng)收為新臺(tái)幣27.71億元，較上月減少0.40%，較去年同期減少61.81%。累計(jì)合并營(yíng)收為新臺(tái)幣545.52億元，較去年同期減少30.65%。據(jù)TrendForce集邦咨詢11月16日研究顯示，南亞科（Nanya）因consumer DRAM產(chǎn)品比重高，第三季營(yíng)收衰退達(dá)40.8%，衰退幅度為第三季前六大業(yè)者最甚。南亞科已于第四季小幅減少投片，但轉(zhuǎn)進(jìn)1Anm的進(jìn)度仍舊持續(xù)，預(yù)期2023上半年推出樣本，然客戶端因需求展望保守，導(dǎo)入意愿可能并不積極，預(yù)計(jì)
- 關(guān)鍵字： DRAM 南亞科
瀾起科技：DDR5 世代內(nèi)存模組配套芯片需求將大幅增加
- IT之家 12 月 5 日消息，根據(jù)瀾起科技今日披露的投資者關(guān)系活動(dòng)記錄，瀾起科技在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，隨著 DDR5 相關(guān)產(chǎn)品滲透率的穩(wěn)步提升，2022 年第三季度公司的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片收入均有所增長(zhǎng)，從而推動(dòng)互連類芯片產(chǎn)品線業(yè)務(wù)的增長(zhǎng)。據(jù)介紹，內(nèi)存接口及模組配套芯片的需求量和服務(wù)器內(nèi)存模組的數(shù)量呈正相關(guān)。行業(yè)對(duì)內(nèi)存容量的需求是持續(xù)增加的，為滿足內(nèi)存容量的增長(zhǎng)需求，主要通過兩種方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，一是提升內(nèi)存顆粒密度，二是增加內(nèi)存模組數(shù)量。如果在一定時(shí)期內(nèi)存顆粒密度提升放緩，則內(nèi)存容量增
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DDR5
1TB降到100元可期！SSD還要降價(jià) 原廠顆粒賣不動(dòng)：內(nèi)存閃存市場(chǎng)價(jià)繼續(xù)走跌
- 很顯然內(nèi)存市場(chǎng)的需求依然很淡，不少消費(fèi)者依然沒有出手，當(dāng)然還是覺得廠商能繼續(xù)降價(jià)。調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce現(xiàn)發(fā)布了最新的研究報(bào)告，表明目前DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)仍在保持下跌的趨勢(shì)，主要買家對(duì)未來(lái)皆抱持跌價(jià)心態(tài)，整體市況仍因大環(huán)境因素影響價(jià)格難以止跌。具體來(lái)說(shuō)：DDR4 1Gx8 2666/3200 部分，SK 海力士 DJR-XNC 一般成交價(jià)在 1.95~2.00 美元左右；三星WC-BCWE報(bào)價(jià)下調(diào)至 2.08~2.10 美元，WC-BCTD 因月底即將到貨而降至 2.00~2.03 美元。
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DRAM，三星 SK海力士
DDR5加速滲透，封測(cè)龍頭帶來(lái)新消息
- 近日，封測(cè)龍頭長(zhǎng)電科技宣布，高性能動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)DDR5芯片成品實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。隨著5G高速網(wǎng)絡(luò)、云端服務(wù)器、智能汽車等領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)系統(tǒng)性能的要求不斷提升，DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。相比前代產(chǎn)品，DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢(shì)，給用戶帶來(lái)更佳的可靠性和擴(kuò)展性，市場(chǎng)前景廣闊。反映到芯片成品制造環(huán)節(jié)，包括DDR5在內(nèi)的存儲(chǔ)芯片效能不斷提升，對(duì)芯片封裝提出更高集成度、更好電氣性能、更低時(shí)延，以及更短互連等要求。為此，長(zhǎng)電科技通過各種先進(jìn)的2.5D/3D封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)同尺寸
- 關(guān)鍵字： DDR5 封測(cè)
韓國(guó)芯片出口暴降30%！SSD腰斬白菜價(jià)甩賣：SK海力士、三星虧到家
- 作為韓國(guó)的重要支柱，芯片出口的多少，直接關(guān)系著幾大財(cái)團(tuán)的營(yíng)收，比如三星、SK海力士等等。據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑，導(dǎo)致對(duì)芯片的需求下滑，尤其是存儲(chǔ)芯片，需求與價(jià)格雙雙下滑。韓國(guó)關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示，在11月份的前20天，韓國(guó)芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國(guó)重要的出口產(chǎn)品還有智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備，但這一類產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標(biāo)志性的一個(gè)現(xiàn)象是，全球智能手機(jī)老大已經(jīng)在不停的砍單了，至少在3000萬(wàn)部，這也
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 DRAM NAND
美光發(fā)布 HSE 3.0 開源存儲(chǔ)引擎
- IT之家 11 月 20 日消息，2020 年初，美光的軟件工程師宣布了一款專為 SSD 和持久內(nèi)存設(shè)計(jì)的開源存儲(chǔ)引擎 HSE，這是一款快速鍵值存儲(chǔ)數(shù)據(jù)庫(kù)。去年 HSE 2.0 首次亮相，不再依賴于對(duì) Linux 內(nèi)核的修改，改為完全基于用戶空間的解決方案。本周，美光發(fā)布了 HSE 3.0 開源存儲(chǔ)引擎，帶來(lái)了更多功能改進(jìn)。據(jù)介紹，HSE 3.0 改進(jìn)了數(shù)據(jù)管理，提高了各種重要工作負(fù)載的性能。此外，HSE 3.0 引擎圍繞具有單調(diào)遞增鍵（例如時(shí)間序列數(shù)據(jù)）的工作負(fù)載、多客戶端工作負(fù)載、將壓縮和未壓縮值存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字： 美光 SSD DRAM HSE
美光 DDR5 內(nèi)存現(xiàn)已配合第四代 AMD EPYC 處理器平臺(tái)出貨
- 2022 年 11 月 18 日——中國(guó)上?！獌?nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布出貨適用于數(shù)據(jù)中心并已通過AMD 全新EPYC? （霄龍） 9004 系列處理器驗(yàn)證的 DDR5 內(nèi)存。隨著現(xiàn)代服務(wù)器配備更多處理內(nèi)核的CPU，其單個(gè)CPU內(nèi)核的內(nèi)存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸，美光 DDR5 提供比前幾代產(chǎn)品更高的帶寬，從而提升可靠性和可擴(kuò)展性。第四代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，使
- 關(guān)鍵字： 美光 DDR5 AMD EPYC 處理器
美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲(chǔ)器
- 當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月10日，美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器已針對(duì)新的AMD EPYC? 9004系列處理器進(jìn)行了驗(yàn)證。隨著現(xiàn)代服務(wù)器將更多處理內(nèi)核裝入CPU，每個(gè)CPU內(nèi)核的存儲(chǔ)器帶寬一直在下降。與前幾代相比，美光DDR5提供了更高的帶寬，從而緩解了這一瓶頸，提高了可靠性和可擴(kuò)展性。據(jù)介紹，美光將配備其DDR5的單個(gè)第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)的STREAM基準(zhǔn)性能與3200MT/秒的第3代AMD EPYC處理器系統(tǒng)和美光DDR4進(jìn)行了比較。使用第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字： 美光 數(shù)據(jù)中心 DDR5 存儲(chǔ)器
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