ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
美光 DDR5 內(nèi)存現(xiàn)已配合第四代 AMD EPYC 處理器平臺出貨
- 2022 年 11 月 18 日——中國上?！獌?nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布出貨適用于數(shù)據(jù)中心并已通過AMD 全新EPYC? （霄龍） 9004 系列處理器驗(yàn)證的 DDR5 內(nèi)存。隨著現(xiàn)代服務(wù)器配備更多處理內(nèi)核的CPU，其單個(gè)CPU內(nèi)核的內(nèi)存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸，美光 DDR5 提供比前幾代產(chǎn)品更高的帶寬，從而提升可靠性和可擴(kuò)展性。第四代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，使
- 關(guān)鍵字： 美光 DDR5 AMD EPYC 處理器
美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲器
- 當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月10日，美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲器，該存儲器已針對新的AMD EPYC? 9004系列處理器進(jìn)行了驗(yàn)證。隨著現(xiàn)代服務(wù)器將更多處理內(nèi)核裝入CPU，每個(gè)CPU內(nèi)核的存儲器帶寬一直在下降。與前幾代相比，美光DDR5提供了更高的帶寬，從而緩解了這一瓶頸，提高了可靠性和可擴(kuò)展性。據(jù)介紹，美光將配備其DDR5的單個(gè)第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)的STREAM基準(zhǔn)性能與3200MT/秒的第3代AMD EPYC處理器系統(tǒng)和美光DDR4進(jìn)行了比較。使用第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字： 美光 數(shù)據(jù)中心 DDR5 存儲器
報(bào)告稱三星電子 DRAM 市場份額創(chuàng) 8 年來新低
- IT之家 11 月 9 日消息，根據(jù)最新的報(bào)告，三星電子在全球 DRAM 市場的份額已跌至八年來的最低點(diǎn)。據(jù) Eugene Investment & Securities 11 月 8 日發(fā)布的報(bào)告，第三季度全球 DRAM 市場銷售額為 179.73 億美元（當(dāng)前約 1301.25 億元人民幣），較第二季度的 254.27 億美元下降 29.3%。三星電子的 DRAM 銷售額從第二季度的 111.21 億美元下降到第三季度的 73.71 億美元（當(dāng)前約 533.66 億元人民幣
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
芯片巨頭美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)
- 本周美光宣布，采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。 1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)?！ ∫粋€(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。 這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計(jì)方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM 內(nèi)存芯片 光刻機(jī) EUV
SMART Modular 世邁科技推出DuraMemory DDR5 VLP ECC UDIMM 內(nèi)存模塊
- 隸屬SGH（Nasdaq：SGH) 控股集團(tuán)的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與儲存解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技（“SMART”）宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊，為刀鋒服務(wù)器專用VLP模組產(chǎn)品添增生力軍。 專為網(wǎng)通及高算力應(yīng)用所需1U刀鋒服務(wù)器而生隸屬SGH（Nasdaq：SGH) 控股集團(tuán)的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與儲存解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技（“SMART”）宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊，為
- 關(guān)鍵字： DDR5 內(nèi)存模塊
機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)今年服務(wù)器 DRAM 需求將達(dá)到 684.86 億 GB，首次超過移動設(shè)備
- 11 月 2 日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，受電子消費(fèi)品續(xù)期下滑影響，當(dāng)前全球存儲芯片市場并不樂觀，DRAM 與 NAND 閃存的需求和價(jià)格都有下滑，三星電子、SK 海力士等存儲芯片制造商的業(yè)績，也受到了影響。雖然存儲芯片市場整體的狀況并不樂觀，但部分領(lǐng)域的需求，卻在不斷增長。研究機(jī)構(gòu)在最新的報(bào)告中就表示，服務(wù)器 DRAM 的需求在不斷增長，在今年有望首次超過智能手機(jī)、平板電腦等移動設(shè)備對 DRAM 的需求。研究機(jī)構(gòu)在報(bào)告中預(yù)計(jì)，今年全球服務(wù)器對 DRAM 的需求，會達(dá)到 684.86 億 GB，智能手機(jī)、平板
- 關(guān)鍵字： DRAM 市場
功率效率提高15%，美光1β DRAM樣本出貨
- 當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月1日，美光宣布正在向選定的智能手機(jī)制造商和芯片組運(yùn)送其1β DRAM技術(shù)的合格樣品合作伙伴，并已通過世界上最先進(jìn)的DRAM技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)準(zhǔn)備。據(jù)官方介紹，美光于2021年實(shí)現(xiàn)1α LPDDR5X DRAM批量出貨，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每區(qū)儲存的位元數(shù)也增加35%。美光表示，隨著LPDDR5X的出樣，移動產(chǎn)品將率先從1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機(jī)的性能的同時(shí)，消耗更少的電力。美光DRAM程序整合部門副總裁Thy Tran表示，新版
- 關(guān)鍵字： 功率效率 美光 1β DRAM
美光出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM
- 2022年11月2日——中國上?！獌?nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達(dá)每秒8.5Gb。該節(jié)點(diǎn)在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場帶來巨大收益。除了移動應(yīng)用，基于1β節(jié)點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高
- 關(guān)鍵字： 美光 1β技術(shù)節(jié)點(diǎn) DRAM
美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內(nèi)存：采用先進(jìn) 1β 工藝，15% 能效提升
- IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內(nèi)存，采用先進(jìn) 1β 工藝，正在向智能手機(jī)制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據(jù)官方介紹，美光 2021 年實(shí)現(xiàn) 1α 工藝批量出貨，現(xiàn)在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場領(lǐng)先地位。官方稱，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升，每個(gè) die 容量為 16Gb。美光表示，隨著 LPDDR5X 的出樣，移動產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機(jī)的性能的同時(shí)，消
- 關(guān)鍵字： 美光 LPDDR5X-8500 內(nèi)存 1β DRAM
SK海力士：未研究過“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”相關(guān)具體計(jì)劃
- 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運(yùn)營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績發(fā)表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導(dǎo)致中國工廠運(yùn)營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應(yīng)急方案(Contingency Plan)的原則性回復(fù)。其中，“中國工廠的設(shè)備轉(zhuǎn)移”等相關(guān)發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場回復(fù)，SK海力士澄清并未研究過與此相關(guān)的具體計(jì)劃。另外，針對美國對芯片設(shè)備出口的管制，SK海力士表示，
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM NAND
DDR5內(nèi)存與上一代價(jià)差縮小，后市滲透率或借機(jī)提升
- 據(jù)媒體報(bào)道，因筆電市場低迷，沖擊DDR5內(nèi)存價(jià)格跌幅進(jìn)一步擴(kuò)大，可望推動各廠商在2023年啟動產(chǎn)品世代轉(zhuǎn)換，DDR5將隨之放量。從具體跌價(jià)幅度來看，TrendForce集邦咨詢預(yù)估，2022年第四季度DRAM跌幅約在13%~18%左右，而DDR5價(jià)格跌幅大于DDR4。市場消息上，英睿達(dá)、美光16GB DDR5 4800筆記本內(nèi)存條當(dāng)前秒殺價(jià)為499元，而今年6月份售價(jià)則一直穩(wěn)定在699元左右，跌幅超28%。DDR5為何跌跌不休？據(jù)了解，PC市場是DDR5的關(guān)鍵終端市場之一。然而近期PC市場情況并不樂觀，終
- 關(guān)鍵字： DDR5 滲透率
8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運(yùn)行速度創(chuàng)新高
- 10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證，可在驍龍（Snapdragon?）移動平臺上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境，三星超過了自身在今年3月創(chuàng)下的7.5Gbps的最高運(yùn)行速度，夯實(shí)了在內(nèi)存市場的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達(dá)8.5Gbps的運(yùn)行速度作為十多年來全球移動內(nèi)存（DRAM）市場的推動者，三星一直在努力推進(jìn)高端智能手機(jī)普及，使更多消費(fèi)者能夠在移動設(shè)備上體驗(yàn)更為強(qiáng)大的計(jì)算性能。憑借低功
- 關(guān)鍵字： 三星 LPDDR5X DRAM
SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內(nèi)不獲取許可的前提下為中國工廠供應(yīng)設(shè)備
- SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國商務(wù)部進(jìn)行協(xié)商，確保在接下來一年內(nèi)不獲取個(gè)別許可的前提下為中國工廠供應(yīng)所需的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。借此，SK海力士預(yù)期將能夠在接下來一年內(nèi)不獲取美方個(gè)別許可的前提下為中國工廠保障生產(chǎn)設(shè)備的供應(yīng)，進(jìn)而維持在中國的生產(chǎn)經(jīng)營。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國持續(xù)生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國政府及美國商務(wù)部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運(yùn)營盡最大的努力?！泵绹虅?wù)部先前于10月7日發(fā)布稱，將限制用于在中國生產(chǎn)18納米以下
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM NAND
DDR5價(jià)格漸親民，巨頭紛紛押注推動入市
- 近期，DDR4和DDR5價(jià)格持續(xù)下跌，吸引了不少消費(fèi)者的持續(xù)關(guān)注。目前消費(fèi)電子疲軟還在繼續(xù)，據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，第四季度DRAM價(jià)格跌幅將擴(kuò)大至13~18%。從積極方面考量，價(jià)格的親民化或?qū)⒓铀貲DR5的入世，DDR5有望加速成為行業(yè)主流。DDR5對比DDR4的優(yōu)勢從過往歷史看，每代DDR新標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布后都需要經(jīng)過2年左右的優(yōu)化，才能實(shí)現(xiàn)性能的較為全面的穩(wěn)定提升，而后實(shí)現(xiàn)對上一代產(chǎn)品的市場替代則可能需要3到5年的時(shí)間。業(yè)界數(shù)據(jù)顯示，DDR3和DDR4都享有大約7年的生命周期。據(jù)悉，DDR4
- 關(guān)鍵字： DDR5 DDR4
ddr5 dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
ddr5 dram相關(guān)帖子
ddr5 dram資料下載
ddr5 dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473