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DRAM缺貨恐延至明年 兩大模組廠喊缺
- 臺灣兩大存儲器模組廠威剛與創(chuàng)見一致認為，動態(tài)隨機存取存儲器( DRAM )將持續(xù)缺貨。威剛預期，DRAM缺貨情況可能延續(xù)到明年。 威剛指出，全球人工智能與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，帶動云端基礎設備及服務規(guī)模大舉躍升，連帶刺激全球DRAM需求急遽成長。 只是全球DRAM大廠近年都專注于制程改良，并未就新增產(chǎn)能進行巨額投資，威剛表示，這使得今年來全球DRAM缺貨問題不斷延燒。 創(chuàng)見預期，第4季DRAM市場仍將持續(xù)供不應求，產(chǎn)品價格也將維持高檔。 威剛更指出，韓系DRAM大廠已預告明年第1
- 關鍵字： DRAM
DRAM核心設計的新舊存取技術差異
- 本文討論不同的存取技術對于DRAM在進行實體設計時所發(fā)生的改變，尤其是指由1電晶體+1電容器組成的儲存單元——DRAM的最小記憶單位… 不同的存取技術對于動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)在進行實體設計時將發(fā)生什么改變?當動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)中的儲存單元(storage cell)加上控制端點以及數(shù)據(jù)端點后，就被稱為1T1C DRAM單元;其中，控制端點也就是字組線(WL)，用于傳遞位址訊號，數(shù)據(jù)端點也就是位元線(BL)，用于傳遞數(shù)據(jù)值。 陣列結(jié)
- 關鍵字： DRAM
0.7納秒！相變存儲器速度新極限
- 隨著數(shù)字全球化，爆炸式增長的信息對數(shù)據(jù)的存儲與傳輸提出了極大的挑戰(zhàn)，而且目前商用計算體系架構內(nèi)各存儲部件，即緩存(SRAM)、內(nèi)存(DRAM)和閃存(NAND Flash)之間性能差距日益加大，其間的數(shù)據(jù)交換效率也已成為了電子設備發(fā)展的瓶頸。因此研發(fā)具備存儲密度大、讀寫速度快、能耗低、非易失(即斷電后數(shù)據(jù)不丟失)等特點的新式通用式存儲介質(zhì)勢在必行。 近日，美國Science雜志發(fā)表了西安交通大學與上海微系統(tǒng)與信息技術研究所的合作論文——《Red
- 關鍵字： 相變存儲器 DRAM
蘋果掃貨 DRAM本季已漲10% 下季料將續(xù)漲5%
- 由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季行動式DRAM產(chǎn)能，在產(chǎn)能排擠效應發(fā)酵下，標準型、服務器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨，第四季合約價順利再漲6～10%，業(yè)界對明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識，法人點名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。 南亞科受惠于DRAM合約價順利調(diào)漲，加上20納米制程新產(chǎn)能全面開出，6日公告10月合并營收月增9.2%達新臺幣50.72億元，創(chuàng)下單月營收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收，但法人樂觀預估華邦電營收將介于新臺幣4
- 關鍵字： 蘋果 DRAM
三星擴產(chǎn)留一手 DRAM缺貨到明年
- 包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠近2年來產(chǎn)能擴張幅度有限，加上20納米以下先進制程轉(zhuǎn)換難度提高，DRAM位元供給成長明顯較往年放緩。但由需求面來看，智慧型手機搭載容量快速增加，物聯(lián)網(wǎng)及汽車電子的需求亦進入倍數(shù)成長階段。也因此，在供給吃緊情況下，DRAM價格由去年下半年一路漲到今年底，累計漲幅已將超過1倍。 以4GBDDR4模組合約價來看，去年第3季平均價格僅13美元，但今年第4季價格已大漲至30.5美元，不僅價格已連續(xù)6季度調(diào)漲，累計漲幅亦超過1.3倍。想當然爾，DRAM價格大漲也明顯
- 關鍵字： 三星 DRAM
蘋果掃貨DRAM漲不停本季已漲10％，下季料將續(xù)漲5％
- 由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季移動式DRAM產(chǎn)能，在產(chǎn)能排擠效應發(fā)酵下，標準型、服務器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨，第四季合約價順利再漲6～10%，業(yè)界對明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識，法人點名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。 南亞科受惠于DRAM合約價順利調(diào)漲，加上20納米制程新產(chǎn)能全面開出，昨(6)日公告10月合并營收月增9.2%達50.72億元，創(chuàng)下單月營收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收，但法人樂觀預估華邦電營收將介于43～4
- 關鍵字： DRAM 存儲器
DRAM風云錄，國產(chǎn)廠商也要入局
- 三星、SK海力士和鎂光，這三家大佬目前占據(jù)了市場上95%的份額，現(xiàn)在國產(chǎn)存儲研發(fā)成功，但是良率能否提升、量產(chǎn)能否實現(xiàn)，也仍然存在較大不確定性，從研發(fā)成功至量產(chǎn)并形成銷售需要長達幾年時間。
- 關鍵字： DRAM
DRAM供不應求短期難解 三星計劃下季再調(diào)漲報價3~5%
- DRAM供不應求短期難解，全球DRAM制造龍頭韓國三星半導體通知渠道商，計劃明年第1季再調(diào)漲DRAM報價，漲幅3~5%，其中以行動式DRAM漲幅較大，這也說明三星在采取節(jié)制性增產(chǎn)下，仍不愿放棄持續(xù)拉升DRAM獲利，推升集團獲利表現(xiàn)，有助破除讓近期市場擔心三星可能會擴產(chǎn)，打亂DRAM產(chǎn)業(yè)秩序的疑慮。 中國臺灣地區(qū)DRAM大廠也強調(diào)，目前主要大廠包括三星、美光和SK海力士等，仍以升級制程作為提高DRAM產(chǎn)出的主要方向，預料即使三星調(diào)升部分產(chǎn)線，增加的DRAM產(chǎn)出仍無法滿足市場需求，預料明年DRAM還
- 關鍵字： DRAM 三星
國內(nèi)芯片廠商砸180億造內(nèi)存 不再看國外臉色！
- 去年雙11時，一條8G DDR4 2400hz的內(nèi)存僅在300元左右，轉(zhuǎn)眼1年過去了，價格已經(jīng)飆升至900元，也就是說兩條8GB的內(nèi)存足以購買一塊中端顯卡了，這樣的價格很多年沒有看到過了，也導致了許多想更換內(nèi)存的朋友望而生畏。 其實內(nèi)存主要上漲的原因就是內(nèi)存的上游原料DRAM顆粒在近1年以來瘋狂的上漲，其漲幅到達了111%，原材料的上漲導致內(nèi)存成本飆升。另一方面由于2016年時電腦市場內(nèi)存飽和，許多DRAM顆粒制作廠商紛紛把銷售方向轉(zhuǎn)向了手機，因為手機在不斷的推出新產(chǎn)
- 關鍵字： 芯片 DRAM
三星考慮明年擴大DRAM產(chǎn)能，恐改變目前供給緊俏格局
- 根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，由于DRAM廠近兩年來產(chǎn)能擴張幅度有限，加上制程轉(zhuǎn)換的難度，DRAM供給成長明顯較往年放緩，配合著下半年終端市場消費旺季的推波助瀾，DRAM合約價自2016年中開啟漲價序幕。然而，三星傳出在考慮提高競爭者進入門檻的情況下，可能將擴大DRAM產(chǎn)能，恐將改變DRAM供給緊俏格局。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，以主流標準型內(nèi)存模組(DDR4 4GB)合約價為例，從去年中開始起漲，由當時的DDR4 4GB 13美元均價拉升至今年
- 關鍵字： 三星 DRAM
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