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          SK海力士今年投資規(guī)模上看62億美元 致力于技術(shù)提升

          •   以往半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競爭要素在產(chǎn)能擴(kuò)大與降低成本,但制程愈趨于先進(jìn),研發(fā)難度提高,投資規(guī)模擴(kuò)大不保證能帶來對等獲利。面對產(chǎn)業(yè)環(huán)境改變,SK海力士(SK Hynix)期盼借由技術(shù)創(chuàng)新開拓全球市場。   據(jù)韓媒每日經(jīng)濟(jì)報導(dǎo),SK海力士計劃在2017年下半提高10納米級DRAM生產(chǎn)比例,并持續(xù)增加14納米NAND Flash產(chǎn)量,以取得更具優(yōu)勢的成本競爭力,提高事業(yè)獲利性。   SK海力士將持續(xù)以大規(guī)模研發(fā)投資提高技術(shù)競爭力。   資通訊技術(shù)發(fā)達(dá)帶動存儲器需求成長,移動裝置用DRAM及NAND Flash
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  

          Gartner預(yù)測2017年全球半導(dǎo)體收入將達(dá)到4千億美元

          •   根據(jù)全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問公司Gartner的最新預(yù)測,2017年全球半導(dǎo)體總體收入將首度突破4,000億美元大關(guān),達(dá)到4014億美元,較2016年增加16.8%。2010年全球半導(dǎo)體收入曾創(chuàng)下3000億美元的紀(jì)錄,更早之前則是在2000年超過了2000億美元。  Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示:“存儲器的短缺正在帶動半導(dǎo)體市場的整體繁榮。由于存儲器廠商抬高DRAM和NAND的價格,其收入和利潤亦隨之增長?!薄 artner預(yù)計2017年存儲器市場的收入漲幅
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

          下半年存儲器漲勢迎拐點:2017全年價格漲幅仍十分可觀

          •   市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights表示,2017年DRAM和NAND型閃存銷售額都將創(chuàng)出歷史新高,而DRAM和NAND閃存創(chuàng)新高的原因都是由于價格瘋漲。該機(jī)構(gòu)預(yù)計,2017年DRAM出貨量同比下降,而NAND閃存也僅增長2%,閃存出貨量增長對存儲器銷售額創(chuàng)新高雖然是正面作用,但并非主要原因。   存儲器價格上漲始于2016年第二季度,到2017年上半年為止,每季度價格都持續(xù)向上走。如圖所示,從2016年第三季度,到2017年第二季度,DRAM價格季度平均增長率為16.8%,NAND閃存價格季度平均增
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

          晉華DRAM制程技術(shù)開發(fā)技術(shù)合同通過評審,交易額4億美元

          •   據(jù)科技日報報道,記者從福建省晉江科技和知識產(chǎn)權(quán)局獲悉,福建省晉華集成電路有限公司的“DRAM制程技術(shù)開發(fā)”重大技術(shù)合同通過評審,相關(guān)技術(shù)將填補(bǔ)國內(nèi)空白。   合同成交總金額達(dá)7億美元,其中技術(shù)交易額4億美元,折合人民幣26.0984億元,是目前國內(nèi)經(jīng)評審認(rèn)定最大金額的單項技術(shù)合同。   評審會上,合同雙方通過技術(shù)合作開發(fā)的方式,開發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù),推動DRAM生產(chǎn)線的建設(shè)及技術(shù)國產(chǎn)化,將完善我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。來自福建省內(nèi)外的集成電路制造、技術(shù)合同管理、稅務(wù)及財務(wù)專家
          • 關(guān)鍵字: 晉華  DRAM  

          ICinsights:DRAM、NAND漲勢第四季微幅逆轉(zhuǎn)

          •   ICinsights認(rèn)為,全球內(nèi)存下半年價格上漲動能可能減緩,包含DRAM與NAND閃存均是如此。   盡管漲勢減緩,但DRAM與NAND今年營收預(yù)料仍將創(chuàng)新高記錄,這完全都是拜先前平均售價快速上漲之賜。 以DRAM為例,DRAM平均售價今年預(yù)估年漲幅高達(dá)63%,此為1993年有記錄以來之最。   內(nèi)存價格從去年第三季起漲,ICinsights預(yù)期動能可能持續(xù)至2017年第三季,第四季可能微幅轉(zhuǎn)負(fù),為這波正向循環(huán)劃下休止符。   ICinsights指出,隨著價格走揚(yáng),內(nèi)存制造商也再次增加資本投
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          全球PC銷量持續(xù)下滑 主要原因是價格越來越貴

          •   在經(jīng)歷了大約5年的個人電腦銷量下滑之后,全球PC行業(yè)最近似乎有了回暖的態(tài)勢。目前整個市場的下滑其實已經(jīng)有所緩解,甚至有一些分析師預(yù)測,未來個人電腦的銷量會開始回升。之前PC行業(yè)不斷下滑的主要原因是受到了智能手機(jī)和平板電腦的不斷沖擊,而最近PC產(chǎn)品整體的改善,則直接緩解了當(dāng)前的危機(jī)。不過整個2017年第二季度的全球個人電腦出貨量,依然下滑了4.3%,整體還是呈現(xiàn)下降態(tài)勢。   統(tǒng)計機(jī)構(gòu)Gartner剛剛發(fā)布了全球個人電腦出貨量報告,而這份報告涵蓋了臺式機(jī)、筆記本和移動混合設(shè)備的出貨量,但是卻不包括Ch
          • 關(guān)鍵字: PC  DRAM  

          NOR Flash行業(yè)趨勢解讀:供不應(yīng)求或成常態(tài) 大陸存儲雄心勃勃

          •   這個時間點我們討論NorFlash行業(yè)趨勢與全年景氣度,一方面是Nor廠商二季度業(yè)績即將公布,而相關(guān)公司一季度業(yè)績沒有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關(guān)標(biāo)的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預(yù)期大賣以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會反饋意見等),同時我們調(diào)高AMOLED與TDDINor的需求拉動預(yù)期,詳細(xì)測算供需缺口,以求對未來趨勢定性、定量研究;   汽車電子與工控拉動行業(yè)趨勢反轉(zhuǎn)TDDI+AMOLED新需求錦上添花   1、汽車與工控拉動2016趨勢反轉(zhuǎn)   從各方面驗證,2016年是NOR的拐點
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          季度利潤創(chuàng)歷史最高 三星名利雙收要做江湖第一

          •   上周,三星電子發(fā)布業(yè)績初報告稱,初步核實今年第二季度營業(yè)利潤同比大增72%,達(dá)14萬億韓元(121億美元),超過了2013年第三季度創(chuàng)下的最高紀(jì)錄10.16萬億韓元(88億美元),實現(xiàn)史上最高利潤。同時超出了之前分析師預(yù)計的113億美元。完整的財務(wù)報告將會在本月底對外公布。   初報顯示,此次增長,三星電子主要受到半導(dǎo)體業(yè)務(wù)、S8智能手機(jī)等業(yè)務(wù)的推動以及大幅削減支出。超出了分析師預(yù)期,也創(chuàng)下了公司記錄。   在三星電子公布二季度財務(wù)初步數(shù)據(jù)之后,三星電子股價上周三在韓國首爾證券交易所下跌0.2%,
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          中國存儲器發(fā)展突飛猛進(jìn) 國際大廠坐不住了

          • 面對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和市場的快速成長,有些傳統(tǒng)跨國大廠坐不住了,歧視與恐慌的心理狀態(tài)和情緒在他們之間不斷蔓延…
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

          傳美光華亞科廠逾半晶圓報廢 DRAM供應(yīng)雪上加霜?

          •   存儲器缺貨狀況將雪上加霜?已與臺灣美光半導(dǎo)體合并的DRAM廠華亞科,近日傳出廠房制程所需的氮?dú)獬鰻顩r,造成逾半晶圓報廢,廠房目前仍處停工狀態(tài),接下來DRAM供貨恐受影響。   根據(jù)取得的消息,華亞科廠房近日傳出制程所需氮?dú)獬霈F(xiàn)狀況,氣體污染造成約6萬片晶圓報廢,華亞科廠房為雙子星結(jié)構(gòu),一廠可容納兩座12吋廠,兩廠月產(chǎn)能可達(dá)12萬片以上,此次逾半產(chǎn)能晶圓報廢,影響不可謂小。   華亞科與美國DRAM大廠美光于去年12月初正式合并,華亞科于去年初即逐步轉(zhuǎn)進(jìn)20納米,為美光體系中,最早開始轉(zhuǎn)進(jìn)20納米的
          • 關(guān)鍵字: 美光華  DRAM  

          污染事件美光媒體各執(zhí)一詞,美光鄭重聲明澄清

          •   針對近日市場上傳出美光旗下桃園廠的相關(guān)傳聞,美光于昨天發(fā)布聲明鄭重澄清,美光桃園廠并無發(fā)生氮?dú)馔庑故录?,也并無撤離廠區(qū)人員,僅有些微廠務(wù)狀況,且已經(jīng)迅速恢復(fù)運(yùn)作,美光相關(guān)業(yè)務(wù)并無受到任何實質(zhì)影響。   美光桃園廠為美光全球DRAM生產(chǎn)據(jù)點之一。 美光表示,作為全球內(nèi)存大廠,美光的生產(chǎn)據(jù)點遍布全球,已能及時應(yīng)對各種廠務(wù)需求,并確保將單一據(jù)點之突發(fā)狀況對營運(yùn)的影響力減至最低,以維持整體良好運(yùn)作。   不過,臺媒報道,根據(jù)協(xié)助的設(shè)備商透露,美光的N2廠遭到污染事件,比想象還嚴(yán)重,到昨天為止還是全數(shù)停工狀
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

          制程良率影響產(chǎn)能提升,美光看好DRAM價格維持高檔

          •   美光2017年第3季財報營收大幅優(yōu)于預(yù)期,這要因DRAM、NAND Flash價格上漲,美光認(rèn)為存儲器產(chǎn)業(yè)需求穩(wěn)定,價格可穩(wěn)定維持至2018年下半年。法人表示,國內(nèi)相關(guān)個股中,華邦電目前DRAM產(chǎn)能約22K,估下半年 DRAM價格維持高檔,2018年上半年在供給改善后將趨緩,因此維持族群中立建議。   永豐投顧表示,今年上半年存儲器業(yè)務(wù)需求強(qiáng)勁,DRAM報價從去年第3季的起漲點已累積約40%的漲幅,雖然Gartner預(yù)估供給速度還未在第3季追上需求,但下半年報價的漲幅由于各大廠擴(kuò)產(chǎn)完成使貨源逐漸充足
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

          中國DRAM夢初現(xiàn)曙光

          •   中國半導(dǎo)體業(yè)要實現(xiàn)制造DRAM夢己經(jīng)初現(xiàn)曙光,近期由臺灣咨詢時報報道的合肥“睿力”做19納米DRAM引起業(yè)界的廣泛興趣。   一直低調(diào)行事的合肥“睿力”DRAM項目,由前應(yīng)用材料公司資深副總裁David王寧國領(lǐng)軍。   匯總消息,“睿力”做DRAM,采用19納米制程工藝。該項目總占地面積約1582畝,一期總投資額約80億美元,一期的兩層廠房預(yù)計2017年三季度完工。目前已開始下設(shè)備的PO訂單,計劃今年10月設(shè)備開始安裝,有望2
          • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲器  

          中國半導(dǎo)體裝備企業(yè)自強(qiáng)之路仍充滿艱辛

          • 現(xiàn)階段,由于我國發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)的時機(jī)與全球不同步,并釆用國家資金為主來推動,遭到了西方部分從業(yè)者的質(zhì)疑。再加上近期投資越來越大更是進(jìn)一步引起了美國、韓國、日本等先進(jìn)國家的關(guān)注。
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

          存儲“芯”動態(tài):美光擴(kuò)產(chǎn)廣島DRAM廠 三星擬擴(kuò)充西安NAND Flash產(chǎn)能

          •   多數(shù)手機(jī)以不同存儲規(guī)格來區(qū)別高配版、標(biāo)準(zhǔn)版,而不同版本之間的差價可達(dá)到幾百元,這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲器的重要性。   半導(dǎo)體存儲器是一個高度壟斷的市場,其三大主流產(chǎn)品 DRAM,NAND Flash,NOR Flash 更是如此,尤其是前兩者,全球市場基本被前三大公司占據(jù),且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例,2016年第一季度,DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù),而NAND Flash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  
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          dram介紹

          DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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