- 硅上GaN LED不必受應力的影響，一定量的應力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監(jiān)測溫度和晶片曲率，制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內量子效率接近40%。硅襯底在
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GaN LED 分析
- 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運算與幅度調制（AM）等效，可作為低頻調制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
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VCA FET 幅度調制 乘法運算
- 音響發(fā)燒友在孜孜不倦的追求目標，就是自己的音響器材有更純真更自然的音質表現(xiàn)，單端純甲類功放，音質醇厚,偶次 ...
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單端 FET 甲類 功放
- 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產廠已分了幾種等級，但一個等級內仍有差別，如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時，
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VOO 檢驗 電路 VP FET 結合 使用 萬用表
- 隔離式FET脈沖驅動器原理及設計三相控制整流器和變換器、矩陣循環(huán)換流器以及級聯(lián)功率級一般都含有大量功率 ...
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隔離式 FET 脈沖驅動器
- 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
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FET 結型 電壓控制 放大器電路
- 在嚴苛的汽車環(huán)境中，各種功率場效應晶體管(power FET，功率FET)，被一貫地認為可承受極端的溫度變化和熱機械應力。間歇性短路、寒冷的運行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路，連同電感負載及多次短路久而久之會讓該器件疲損，致使其進入開路、短路或阻性模式。
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RTP器件 FET
- 在計算和消費電子產品中，效率已經有了顯著的提高，重點是AC/DC轉換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設計人員開始認識到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進?！ C/DC平均系統(tǒng)
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改善 能量 效率 開關 FET 優(yōu)化 變換器 通過
- 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結構及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
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GaN LED
- 在當今社會，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個月發(fā)生的案例來說：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
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GaN LED
- 1、引言 行波管放大器（TWTA）具有寬頻帶、高增益、高效率等優(yōu)點，被廣泛應用于微波通信、雷達和電子對抗等技術領域中。 TWTA由空間行波管（TWT）和電子功率調節(jié)器（EPC）組成。EPC[1,2]是由大量電子元器件和高
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及其 影響 分析 參數(shù) 分布 高頻 變壓器 EPC
- 超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關鍵材料之...
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LED GaN MOSFET
- 智能手機代表了射頻個人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產品設計之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設備基于...
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射頻開關 隔離度 插損 FET pHEMT
- 簡介
一提到電源設計，大多數(shù)工程師都會感到撓頭，他們往往會問，“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓撲——包括降壓、升壓、flyback、半橋和全橋等。
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intersil FET DC/DC
- 1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來，LED制造技術的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
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LED芯片 硅襯底 GaN
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