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GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計(jì)
- 摘要：為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對(duì)GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 探測器 紅外 量子 GaN
基于RFID的EPC中間件的設(shè)計(jì)
- 摘要：本文簡述了物聯(lián)網(wǎng)EPC技術(shù)并分析了Savant中間件軟件系統(tǒng)的主要功能和框架結(jié)構(gòu)。在深入研究EPCgloabal后，借鑒EPCgloabl的中間件標(biāo)準(zhǔn)ALE，給出了一種Savant中間件軟件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)思路，并從邏輯上驗(yàn)證了該系統(tǒng)的完
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 中間件 EPC RFID 基于
TI 小貼士：圖例理FET知識(shí)
- 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來生成FFT圖。一般而言，ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
- 關(guān)鍵字： FET
手把手教你讀懂FET選取合適器件
- 現(xiàn)在；一臺(tái)臺(tái)電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過這東西，或用來逆變；或用來整流；或就當(dāng)個(gè)開關(guān)...
- 關(guān)鍵字： FET
一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強(qiáng)度等特點(diǎn)，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 功率放大器 GaN 一種
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