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MOS-FET開關(guān)電路
- MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個電路
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J-FET開關(guān)電路工作原理
- 1、簡單開關(guān)控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時，VGS=0，J-FET導(dǎo)通，傳輸信號至VO；當(dāng)VC比V1足夠負，VD導(dǎo)通而J-FET截止，VO=0。2、改進的J-FET開關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
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可用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運算電路
- 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運算與幅度調(diào)制（AM）等效，可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
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GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達1.8億
- 美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進展。 目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
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友達光電宣布收購FET公司的FED資產(chǎn)及技術(shù)
- 友達光電1月20日宣布， 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產(chǎn)收購技術(shù)移轉(zhuǎn)協(xié)議，收購FET的場發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術(shù)，該公司為全球FED技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。友達在此交易中，將取得FET顯示技術(shù)及材料的專利、技術(shù)、發(fā)明，以及相關(guān)設(shè)備等資產(chǎn)。 FED技術(shù)在快速反應(yīng)時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
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瞄準(zhǔn)高端市場 友達將收購FET的部分資產(chǎn)
- 臺灣友達科技近日宣布，他們已經(jīng)與FET公司以及FET日本公司達成了協(xié)議，友達將出資收購FET公司的部分資產(chǎn)，并將因此而獲得FET公司的部分專利技術(shù)。FET公司目前在FED場射顯示技術(shù)(Field Emission Display)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達并表示，其收購的內(nèi)容將包括FED場射面板相 關(guān)技術(shù)專利，F(xiàn)ED技術(shù)實施方案，以及FED面板生產(chǎn)用設(shè)備等。 FED場射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
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Mouser對 EPCOS的授權(quán)分銷拓展至全球
- Mouser 今日宣布，Mouser 的EPCOS授權(quán)分銷區(qū)域拓展至亞洲和歐洲。從2009年10月開始，EPCOS與TDK公司聯(lián)合成立了新的TDK-EPC公司(簡稱TDK-EPC)，銷售旗下TDK和EPCOS品牌產(chǎn)品。是TDK-EPC公司是電子元件、模塊和系統(tǒng)領(lǐng)域的全球性的公司 TDK-EPC產(chǎn)品組合包括陶瓷、鋁電解和薄膜電容器、鐵氧體和電感器、聲表面波(SAW)濾波器和模塊等高頻元件、壓電和保護元件以及傳感器等。正是有了這些產(chǎn)品系列，TDK-EPC能夠進軍日益增長的信息和通信技術(shù)以及汽車、工業(yè)
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