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GaN 器件的直接驅動配置
- 受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關損耗、更佳
- 關鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
一種電動汽車能量回饋下IGBT保護策略優(yōu)化及驗證
- 舒 暉（奇瑞新能源汽車股份有限公司，安徽 蕪湖 241002） 摘 要：針對電動汽車在能量回饋時，動力電池高壓繼電器異常斷開的特殊工況下，提出了一種IGBT保護策略優(yōu)化方案，快速檢測因動力電池瞬斷產生的尖峰電壓，觸發(fā)保護機制保護IGBT模塊。本文通過臺架實驗對比了方案優(yōu)化前后的尖峰電壓值，最終通過實車驗證了該方案的可行性。結果表明，優(yōu)化后的保護策略能更快地檢測到抬升的母線電壓，觸發(fā)保護機制，停止IGBT工作，降低IGBT模塊損壞的風險。 關鍵詞：電動汽車；能量回饋；IGBT 0 引言 傳統(tǒng)汽車
- 關鍵字： 202007 電動汽車 能量回饋 IGBT
新基建驅動電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案
- 我國正在大力進行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起，奠定了堅實的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產品部區(qū)域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產品世界記者的采訪，分享了對工業(yè)市場的預測，并介紹了ST的新產品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產品部 區(qū)域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
- 關鍵字： 電源 SiC IGBT GaN
使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅動器的能源效率
- 本文將強調出無論就能源效率、散熱片尺寸或節(jié)省成本方面來看,工業(yè)傳動不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)點。摘要由于電動馬達佔工業(yè)大部分的耗電量,工業(yè)傳動的能源效率成為一大關鍵挑戰(zhàn)。因此,半導體製造商必須花費大量心神,來強化轉換器階段所使用功率元件之效能。意法半導體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)技術,為電力切換領域立下全新的效能標準。1.導言目前工業(yè)傳動通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開發(fā)的碳化
- 關鍵字： MOSEFT FWD ST IGBT
東芝面向中大電流IGBT／MOSFET 推出內置保護功能的光耦
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和MOSFET的預驅動光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏（PV）的功率調節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預驅動光耦內置多種功能[1]，其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實現(xiàn)過流檢測。產品于今日起開始出貨。新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。目前現(xiàn)有產品[2]需要使用雙極型晶體管構成的緩沖電路來實現(xiàn)電流放大，這會在工作中消耗基極電流。新產品能夠
- 關鍵字： IGBT MOSEFT
工業(yè)電機用功率半導體的動向
- Steven?Shackell? （安森美半導體?工業(yè)業(yè)務拓展經理）摘? 要：電動工具用電機正從有刷直流(BDC)轉向無刷直流(BLDC)電機；工業(yè)電機需要更高能效的電機，同時 需要強固和高質量。安森美以領先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應對這些轉變帶來的商機。 關鍵詞：電機；電動工具；MOSFET；工業(yè)；IGBT；IPM安森美半導體提供全面的電機產品系列，尤其是功 率半導體方面。安森美半導體因來自所有電機類型的 商機感到興奮，并非?？春脽o刷直流電機(BLDC)應用 （例如電動工具），
- 關鍵字： 202003 電機 電動工具 MOSFET 工業(yè) IGBT IPM
關于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案
- 王定良（電子科技大學 電子科學與工程學院，四川 成都 610054） 摘? 要：作為電機驅動電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來越重要，但是越來越快的開關速度，可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過高的dV/dt也會在IGBT關斷狀態(tài)下產生雪崩擊穿。本文結合半橋電路的寄生參數(shù)模型，完善傳統(tǒng)公式的推導?；趯脚cIGBT擎住現(xiàn)象的分析，并結合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來動態(tài)擴展IGBT安全工作區(qū)的電路結構，改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時的可靠性?！ ￡P鍵詞：IGBT；
- 關鍵字： 202002 IGBT 誤觸發(fā) dV/dt 可靠性
CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創(chuàng)新與產業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領域實現(xiàn)廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應用中
- 關鍵字： IGBT SiC GaN
同類最佳的超級結MOSFET和 具成本優(yōu)勢的IGBT用于電動汽車充電樁
- 插電式混合動力/電動汽車(xEV)包含一個高壓電池子系統(tǒng)，可采用內置的車載充電器(OBC)或外部的充電樁進行充電。充電(應用)要求在高溫環(huán)境下具有高電壓、高電流和高性能，開發(fā)高能效、高性能、具豐富保護功能的充電樁對于實現(xiàn)以盡可能短的充電時間續(xù)航更遠的里程至關重要。常用的半導體器件有IGBT、超結MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半導體為電動汽車OBC和直流充電樁提供完整的系統(tǒng)方案，包括通過AEC車規(guī)認證的超級結MOSFET、IGBT、門極驅動器、碳化硅(SiC)器件、電壓檢測、控制產品乃至電源模塊等，
- 關鍵字： 超級結MOSFET IGBT 充電樁
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